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AP09N20BGH-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
低栅极电荷
快速开关特性
符合RoHS &无卤
G
S
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
200V
460mΩ
7.8A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和成本效益。
在TO- 252封装,广泛首选的所有商业,工业
应用程序。
G
D
S
TO-252(H)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
200
+20
7.8
5
20
69
2
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W
总功耗
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境(印刷电路板安装)
3
价值
1.8
62.5
单位
℃/W
℃/W
1
201002111
数据&规格如有变更,恕不另行通知
AP09N20BGH-HF
电气特性@ T
j
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
2
o
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=250uA
V
GS
= 10V ,我
D
=5A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=3A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=5A
V
DS
=160V, V
GS
=0V
V
GS
= +20V, V
DS
=0V
I
D
=5A
V
DS
=160V
V
GS
=4.5V
V
DD
=100V
I
D
=5A
R
G
=3.3Ω
V
GS
=10V
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
分钟。
200
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
9
-
-
21
2
14
6
9
39
10
630
90
45
MAX 。单位
-
460
500
3
-
25
+100
33.6
-
-
-
-
-
-
1000
-
-
V
m
m
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
参数
正向电压上
2
2
测试条件
I
S
= 5A ,V
GS
=0V
I
S
= 5A ,V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
190
1.7
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
uC
反向恢复时间
反向恢复电荷
本产品是敏感的静电放电,请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
APEC保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品,以提高权
可靠性,功能或设计。
2
AP09N20BGH-HF
20
16
T
C
= 25
o
C
16
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
10V
7.0V
6.0V
5.0V
V
G
=4.5V
T
C
=150 C
12
o
10V
7.0V
6.0V
5.0V
V
GS
=4.5V
12
8
8
4
4
0
0
8
16
24
32
0
0
8
16
24
32
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.6
2.8
2.4
1.4
I
D
=5A
V
GS
=10V
归BV
DSS
(V)
归一化
DS ( ON)
-50
0
50
100
150
2
1.2
1.6
1.2
1
0.8
0.8
0.4
0.6
0
-50
0
50
100
150
T
j
,结温( C)
o
T
j
,结温( C)
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
8
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.4
1.2
6
归V
GS ( TH)
(V)
I
S
(A)
1
4
T
j
=150
o
C
2
T
j
=25
o
C
0.8
0.6
0
0.4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP09N20BGH-HF
10
1000
f=1.0MHz
I
D
=5A
V
DS
=160V
V
GS
,门源电压( V)
8
800
4
C( pF)的
6
600
C
国际空间站
400
2
200
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
0
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
10
在这一领域
限于由R
DS ( ON)
1ms
0.2
I
D
(A)
0.1
0.1
10ms
1
0.05
P
DM
100ms
DC
t
0.02
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0.01
T
c
=25 C
单脉冲
0
0.1
1
10
100
1000
o
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
Fig10 。有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
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数量
封装
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP09N20BGH-HF
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
AP09N20BGH-HF
APEC/富鼎
18+
15600
TO-252
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
AP09N20BGH-HF
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23000
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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全新原装现货,原厂代理。
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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VB
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35500
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联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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TO-252
原装正品
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
AP09N20BGH-HF
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全新进口原装现货!
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联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
AP09N20BGH-HF
APEC/富鼎
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21000
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
AP09N20BGH-HF
APEC/富鼎
2024
20918
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上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
AP09N20BGH-HF
富鼎
22+
49600
TO-252
原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
AP09N20BGH-HF
APEC/富鼎
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