AP04N70BP
先进的电源
电子股份有限公司
▼
动态的dv / dt额定值
▼
额定重复性雪崩
▼
快速开关
▼
简单的驱动要求
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
600/650/700V
2.4Ω
4A
G
S
描述
AP04N70系列产品是专门设计用于主开关器件
万向90 265VAC离线AC / DC转换应用程序。的TO-220
类型提供高阻断电压，以克服电压浪涌和下陷的
最艰难的动力系统与快速的最佳组合
开关，加固设计和成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有commercial-
工业应用。该装置适合于开关模式电源
耗材， DC -AC转换器和大电流高速开关
电路。
G
D
S
TO-220
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
E
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
重复性雪崩能量
存储温度范围
工作结温范围
- / A / H
等级
600/650/700
± 30
4
2.5
15
62.5
0.5
100
4
4
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
2.0
62
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
20030332
AP04N70BP
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
ΔBV
DSS
/ΔT
j
分钟。
/-
/A
/H
600
650
700
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.6
-
-
2.5
-
-
-
16.7
4.1
4.9
11
8.3
23.8
8.2
950
65
6
MAX 。单位
-
-
-
-
2.4
4
-
10
100
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V/℃
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
GS
= 10V ，我
D
=2A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=2A
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=480V
,
V
GS
=0V
V
GS
=
±
30V
I
D
=4A
V
DS
=480V
V
GS
=10V
V
DD
=300V
I
D
=4A
R
G
=10Ω,V
GS
=10V
R
D
=75Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
3
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Starting TJ = 25
o
C，V
DD
= 50V ，L = 25mH ，R
G
=25Ω , I
AS
=4A.
3.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.5V
T
j
=25℃, I
S
= 4A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
4
15
1.5
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
3
订购代码
AP04N70BP- X：X表示BV
DSS
GRADE
空白= BV
DSS
600V
A
H
= BV
DSS
650V
= BV
DSS
700V
AP04N70BP
先进的电源
电子股份有限公司
▼
动态的dv / dt额定值
▼
额定重复性雪崩
▼
快速开关
▼
简单的驱动要求
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
600/650/700V
2.4Ω
4A
G
S
描述
AP04N70系列产品是专门设计用于主开关器件
万向90 265VAC离线AC / DC转换应用程序。的TO-220
类型提供高阻断电压，以克服电压浪涌和下陷的
最艰难的动力系统与快速的最佳组合
开关，加固设计和成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有commercial-
工业应用。该装置适合于开关模式电源
耗材， DC -AC转换器和大电流高速开关
电路。
G
D
S
TO-220
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
E
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
重复性雪崩能量
存储温度范围
工作结温范围
- / A / H
等级
600/650/700
± 30
4
2.5
15
62.5
0.5
100
4
4
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
2.0
62
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
20030332
AP04N70BP
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
ΔBV
DSS
/ΔT
j
分钟。
/-
/A
/H
600
650
700
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.6
-
-
2.5
-
-
-
16.7
4.1
4.9
11
8.3
23.8
8.2
950
65
6
MAX 。单位
-
-
-
-
2.4
4
-
10
100
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V/℃
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
GS
= 10V ，我
D
=2A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=2A
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=480V
,
V
GS
=0V
V
GS
=
±
30V
I
D
=4A
V
DS
=480V
V
GS
=10V
V
DD
=300V
I
D
=4A
R
G
=10Ω,V
GS
=10V
R
D
=75Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
3
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Starting TJ = 25
o
C，V
DD
= 50V ，L = 25mH ，R
G
=25Ω , I
AS
=4A.
3.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.5V
T
j
=25℃, I
S
= 4A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
4
15
1.5
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
3
订购代码
AP04N70BP- X：X表示BV
DSS
GRADE
空白= BV
DSS
600V
A
H
= BV
DSS
650V
= BV
DSS
700V
QQ：2880707522 复制
