AP01N60H/J
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
动态的dv / dt额定值
▼
额定重复性雪崩
▼
快速开关
▼
简单的驱动要求
▼
符合RoHS
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
600V
8Ω
1.6A
描述
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于AC / DC转换器。
通孔版（ AP01N60J ）可用于低轮廓
应用程序。
G
DS
TO-252(H)
G
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
E
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
600
±30
1.6
1
6
39
0.31
2
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
℃
℃
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
存储温度范围
工作结温范围
13
1.6
0.5
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
3.2
110
单位
℃/W
℃/W
200705052-1/4
数据&规格如有变更，恕不另行通知
AP01N60H/J
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
o
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
分钟。
600
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.6
7.2
-
0.8
-
-
-
7.7
1.5
2.6
8
5
14
7
286
25
5
MAX 。单位
-
-
8
4
-
10
100
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
GS
= 10V ，我
D
=0.8A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 50V ，我
D
=0.8A
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=480V
,
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
I
D
=1.6A
V
DS
=480V
V
GS
=10V
V
DD
=300V
I
D
=1.6A
R
G
=10Ω,V
GS
=10V
R
D
=187.5Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
3
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.5V
1
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
1.6
6
1.5
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
正向电压上
3
T
j
=25℃, I
S
= 1.6A ，V
GS
=0V
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
o
2.Starting牛逼
j
= 25℃ ，V
DD
= 50V ，L = 10MH ，R
G
=25Ω , I
AS
=1.6A.
3.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
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AP01N60H/J
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
动态的dv / dt额定值
▼
额定重复性雪崩
▼
快速开关
▼
简单的驱动要求
▼
符合RoHS
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
600V
8Ω
1.6A
描述
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于AC / DC转换器。
通孔版（ AP01N60J ）可用于低轮廓
应用程序。
G
DS
TO-252(H)
G
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
E
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
600
±30
1.6
1
6
39
0.31
2
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
℃
℃
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
存储温度范围
工作结温范围
13
1.6
0.5
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
3.2
110
单位
℃/W
℃/W
200705052-1/4
数据&规格如有变更，恕不另行通知
AP01N60H/J
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
o
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
分钟。
600
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.6
7.2
-
0.8
-
-
-
7.7
1.5
2.6
8
5
14
7
286
25
5
MAX 。单位
-
-
8
4
-
10
100
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
GS
= 10V ，我
D
=0.8A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 50V ，我
D
=0.8A
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=480V
,
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
I
D
=1.6A
V
DS
=480V
V
GS
=10V
V
DD
=300V
I
D
=1.6A
R
G
=10Ω,V
GS
=10V
R
D
=187.5Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
3
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.5V
1
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
1.6
6
1.5
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
正向电压上
3
T
j
=25℃, I
S
= 1.6A ，V
GS
=0V
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
o
2.Starting牛逼
j
= 25℃ ，V
DD
= 50V ，L = 10MH ，R
G
=25Ω , I
AS
=1.6A.
3.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
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