超低电容TVS二极管阵列
AOZ8900
概述
该AOZ8900是一个瞬态电压抑制器阵列
从电子设计用于保护高速数据线路
静电放电（ ESD）和闪电。
该器件包含8个浪涌额定值，低
电容控向二极管和瞬态电压
抑制器（TVS ）在单个封装中。在瞬态
的条件下，所述转向二极管指示瞬态
电源线或任正侧
地面上。它们可以被用来满足抗ESD能力
IEC 61000-4-2第4级（ ± 15kV空气的要求，
± 8kV接触放电） 。
该AOZ8900进来符合RoHS标准SOT- 23
封装。它的额定温度范围为-40 ° C至+ 85 °C的环境
温度范围。
特点
●
用于高速数据线的ESD保护：
–
超越： IEC 61000-4-2 （ ESD ）具有±15kV （空气） ，
具有±8kV （接触）
–
IEC 61000-4-5 （闪电） 5A （ 8 / 20μS ）
–
人体模型（ HBM ）± 15kV的
●
●
●
●
●
小型封装可节省电路板空间
低插入损耗
保护四个I / O线
低钳位电压
低工作电压： 5.0V
应用
●
●
●
●
USB 2.0电源和数据线保护
视频图形卡
显示器和佛罗里达州的显示器
数字视频接口（ DVI ）
典型用途
USB主机
调节器
R
T
R
T
VBUS
+5V
下游
端口
VBUS
D+
D-
AOZ8900
GND
+5V
VBUS
R
T
R
T
D+
D-
GND
图1. 2个USB高速端口
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AOZ8900
订购信息
产品型号
AOZ8900CI
环境温度范围
-40 ° C至+ 85°C
包
SOT23-6
环境的
符合RoHS
所有AOS产品提供的封装无铅电镀，符合RoHS标准。
请访问
www.aosmd.com/web/quality/rohs_compliant.jsp
了解更多信息。
引脚配置
CH1
CH4
1
6
VN
2
5
VP
CH2
3
4
CH3
SOT23-6
（ TOP VIEW ）
绝对最大额定值
超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
参数
VP - VN
峰值脉冲电流（I
PP
), t
P
= 8/20s
峰值功率耗散（ 8× 20μs的@ 25°C ）
存储温度（T
S
)
每IEC61000-4-2 ，接触放电ESD额定值
(1)
每IEC61000-4-2 ESD额定值，空气
(2)
每个人体模型ESD额定值
(2)
结温（T
J
)
注意事项：
1. IEC 61000-4-2放电用C
放电
= 150pF的，R
放电
= 330
.
2.人体每MIL -STD- 883放电，方法3015
放电
= 100pF电容，R
放电
= 1.5k
.
等级
6V
5A
50W
-65 ° C至+ 150°C
±8kV
±15kV
±15kV
-40°C至+ 125°C
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第2 9
AOZ8900
电气特性
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
F
V
CL
参数
反向工作电压
反向击穿电压
反向漏电流
二极管的正向电压
通道钳位电压
积极瞬变
负瞬态
通道钳位电压
积极瞬变
负瞬态
通道钳位电压
积极瞬变
负瞬态
条件
与5脚和2
(4)
I
T
= 1mA时，引脚5和2之间
(5)
V
RWM
= 5V ，管脚5和2之间
I
f
= 15毫安
I
PP
= 1A ， TP = 100ns的，任何I / O引脚来
地
(3)(6)(8)
I
PP
= 5A ， TP = 100ns的，任何I / O引脚来
地
(3)(6)(8)
I
PP
= 12A ， TP = 100ns的，任何I / O引脚来
地
(3)(6)(8)
V
R
= 0V ， F = 1MHz时，所有的I / O引脚与地
(3)(7)
V
R
= 0V ， F = 1MHz时， I / O引脚之间
(3)(7)
分钟。
6.6
典型值。
马克斯。
5.5
1
单位
V
V
A
V
V
V
V
V
V
V
pF
pF
0.7
0.85
0.95
10.50
-2.00
12.50
-3.50
15.50
-5.00
C
j
ΔC
j
结电容
通道输入电容
匹配
1.25
1.3
0.03
注意事项：
3.这些规格由设计保证。
4.工作峰值反向电压，V
RWM
，应等于或大于DC或连续峰值工作电压电平。
5. V
BR
处测得的脉冲测试电流I
T
.
与V无需外部电容进行测量6。
P
（引脚5浮动） 。
7.测量与V进行
P
偏置到3.3伏（引脚5 @ 3.3V ） 。
8.执行测量使用100纳秒传输线路脉冲（ TLP ）系统。
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第3 9
AOZ8900
典型性能特性
钳位电压与峰值脉冲电流
（ TPERIOD = 100ns的， TR = 1纳秒）
17
钳位电压，V
CL
(V)
16
15
14
13
12
11
10
9
0
2
4
6
8
10
12
峰值脉冲电流，我
PP
(A)
插入损耗（dB ）
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
1
10
100
频率（MHz）
1000
I / O - GND插入损耗（ S21 ）与频率的关系
（VP = 3.3V ）
正向电压与正向电流
（ TPERIOD = 100ns的， TR = 1纳秒）
7
6
正向电压（ V）
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
正向电流I
PP
(A)
插入损耗（dB ）
0
-20
-40
-60
-80
10
20
模拟串扰（ I / O -I / O）与频率的关系
100
频率（MHz）
1000
I / O - I / O插入损耗（ S21 ）与频率的关系
（VP =浮动）
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
1
10
100
频率（MHz）
1000
插入损耗（dB ）
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