AOZ8211
0NE线TVS二极管
概述
该AOZ8211是一个单行的瞬态电压抑制器
二极管旨在保护电压敏感的电子设备
高瞬态条件和ESD 。
该设备采用了1 TVS二极管采用超小型
DFN 1.0毫米×0.6毫米封装。在瞬态
的条件下，在单线TVS二极管指示瞬态
到地面。它可被用来满足抗ESD能力
IEC 61000-4-2的规定， 4级（ ± 15 kV（空气） ，
± 8 kV接触放电） 。
该AOZ8211进来了符合RoHS标准的封装
，额定温度范围为-40 ° C至+ 85 ° C的环境温度
范围内。
超小1.0毫米×0.6毫米× 0.5毫米DFN封装
使得AOZ8211非常适合应用在印刷电路板
空间是十分宝贵的。小尺寸和高ESD
保护使得AOZ8211理想的保护
电压敏感的电子设备免受高瞬态
条件和ESD 。
特点
用于高速数据线的ESD保护：
AOZ8211DI-02
–
超越： IEC 61000-4-2 （ ESD ）± 30千伏（空气） ，
± 30千伏（接触）
–
人体模型（ HBM ）± 30千伏
AOZ8211DI-03
–
超越： IEC 61000-4-2 （ ESD ）± 30千伏（空气） ，
± 30千伏（接触）
–
人体模型（ HBM ）± 30千伏
AOZ8211DI-05
–
超越： IEC 61000-4-2 （ ESD ）± 28千伏（空气） ，
± 28千伏（接触）
–
人体模型（ HBM ）± 30千伏
AOZ8211DI-12
–
超越： IEC 61000-4-2 （ ESD ）± 28千伏（空气） ，
± 28千伏（接触）
–
人体模型（ HBM ）± 30千伏
AOZ8211DI-24
–
超越： IEC 61000-4-2 （ ESD ） ±15千伏（空气） ，
± 18千伏（接触）
–
人体模型（ HBM ）± 30千伏
小型封装可节省电路板空间
低插入损耗
低钳位电压
低工作电压： 2.5 V ， 3.3 V ， 5 V ， 12 V和24 V
应用
便携式手持设备
小键盘，数据线，按钮
笔记本电脑
数码相机
便携式GPS
MP3播放器
典型用途
信号线
引脚配置
阴极2
1阳极
单线的单向保护
修订版1.4 2011年1月
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AOZ8211
订购信息
产品型号
AOZ8211DI-02
AOZ8211DI-03
AOZ8211DI-05
AOZ8211DI-12
AOZ8211DI-24
AOS绿色产品使用卤素水平降低，而且也符合RoHS标准。
请访问
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了解更多信息。
-40 ° C至+85°C
DFN 1.0× 0.6
绿色产品
符合RoHS
环境温度范围
包
环境的
绝对最大额定值
超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
参数
峰值脉冲电流，T
P
= 8/20 s
峰值脉冲功率，T
P
= 8/20 s
存储温度（T
S
)
ESD额定值每IEC61000-4-2 ，
联系
(1)
ESD额定值每IEC61000-4-2 ，
空气
(1)
每人体ESD额定值
模型
(2)
AOZ8211DI-02
6A
50 W
-65 ° C至+150°C
± 30千伏
± 30千伏
± 30千伏
AOZ8211DI-03
6A
55 W
-65 ° C至+150°C
± 30千伏
± 30千伏
± 30千伏
AOZ8211DI-05
5.5 A
50 W
-65 ° C至+150°C
± 28千伏
± 28千伏
± 30千伏
AOZ8211DI-12
5A
100 W
-65 ° C至+150°C
± 28千伏
± 28千伏
± 30千伏
AOZ8211DI-24
2.5 A
110 W
-65 ° C至+150°C
± 18千伏
± 15千伏
± 30千伏
注意事项：
1. IEC 61000-4-2放电用C
放电
= 150pF的，R
放电
= 330
Ω.
2.人体每MIL -STD- 883放电，方法3015
放电
= 100 pF的，R
放电
= 1.5 kΩ.
最大工作额定值
参数
结温（T
J
)
等级
-40 ° C至+85°C
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第2 7
AOZ8211
典型性能特性
钳位电压与峰值脉冲电流
（ TPERIOD = 100纳秒， TR = 1纳秒）
40
24V
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
24V
2.5V
12V
5V
正向电压与正向电流
（ TPERIOD = 100纳秒， TR = 1纳秒）
钳位电压，V
CL
(V)
35
30
25
20
15
10
5
0
5V
2.5V
12V
0
2
4
6
8
10
正向电压（ V）
12
0
2
4
6
8
10
12
峰值脉冲电流，我
PP
(A)
正向电流（ A）
电容与反向偏置
1.2
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
I / O - GND插入损耗与频率
归一化电容
1.0
插入损耗（dB ）
2.5V
12V
24V
5V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1
2
2.5V
12V
5V
24V
3
4
5
1
10
100
频率（MHz）
1000
10000
反向偏置（伏）
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