超低电容TVS二极管阵列
AOZ8000
概述
该AOZ8000是一个瞬态电压抑制器阵列
设计用于保护免受ESD的高速数据线路和
闪电。
该器件包含8个浪涌额定值,低电容
tance控向二极管和TVS在一个封装中。
在瞬态条件下,转向直接二极管
过渡到电源的任一正侧
供给线或接地。它们可以被用来满足
IEC 61000-4-2第4级的ESD抗扰性要求。
该TVS二极管提供ESD有效抑制
电压:具有±15kV (空气放电),并具有±8kV (接触
放电) 。
该AOZ8000进来SOT -23 , DFN -6和SC- 70
包。他们既无铅兼容
锡铅装配技术。小尺寸,低电容
tance和高ESD保护使其非常适用于保护─
荷兰国际集团高速视频和数据通信的接口。
特点
●
用于高速数据线的ESD保护:
–
IEC 61000-4-2第4级( ESD )抗扰度试验
–
具有±15kV (空气放电),并具有±8kV (接触放电)
–
IEC 61000-4-5 (闪电) 5A ( 8 / 20μS )
–
人体模型( HBM )± 15kV的
●
●
●
●
●
●
小型封装可节省电路板空间
低插入损耗
保护四个I / O线
I / O线之间的低电容: 0.9pF
低钳位电压
低工作电压: 5.0V
应用
●
●
●
●
●
●
USB 2.0电源和数据线保护
视频图形卡
显示器和佛罗里达州的显示器
数字视频接口( DVI )
10/100/1000以太网
笔记本电脑
典型用途
USB主机
调节器
R
T
R
T
VBUS
+5V
下游
端口
VBUS
D+
D-
AOZ8000
GND
+5V
VBUS
R
T
R
T
D+
D-
GND
图1. 2个USB高速端口
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AOZ8000
订购信息
产品型号
AOZ8000HIL
AOZ8000DIL
AOZ8000CIL
包
SC-70-6
DFN-6
SOT23-6
环境的
符合RoHS
绿色PRODCUT
AOS绿色产品(用“ L”后缀)使用卤素水平降低,而且也符合RoHS标准。
请访问
www.aosmd.com/web/quality/rohs_compliant.jsp
了解更多信息。
引脚配置
CH1
1
6
CH4
CH1
1
6
CH4
VN
2
5
VP
VN
2
5
VP
CH2
3
4
CH3
CH2
3
4
CH3
SOT23-6/SC-70-6
( TOP VIEW )
DFN-6
( TOP VIEW )
绝对最大额定值
超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
参数
VP - VN
峰值脉冲电流(I
PP
), t
P
= 8/20s
峰值功率耗散( 8× 20μs的@ 25°C )
SC-70
DFN
SOT-23
存储温度(T
S
)
每IEC61000-4-2 ,接触放电ESD额定值
(1)
每IEC61000-4-2 ESD额定值,空气
(1)
每个人体模型ESD额定值
(2)
注意事项:
1. IEC 61000-4-2放电用C
放电
= 150pF的,R
放电
= 330
.
2.人体每MIL -STD- 883放电,方法3015
放电
= 100pF电容,R
放电
= 1.5k
.
等级
6V
5A
60W
70W
60W
-65 ° C至+ 150°C
±8kV
±15kV
±15kV
最大工作额定值
参数
结温(T
J
)
等级
-55 ° C至+ 125°C
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AOZ8000
电气特性
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
F
V
CL
参数
反向工作电压
反向击穿电压
反向漏电流
二极管的正向电压
通道钳位电压
积极瞬变
负瞬态
通道钳位电压
积极瞬变
负瞬态
通道钳位电压
积极瞬变
负瞬态
条件
与5脚和2
(4)
I
T
= 1mA时,引脚5和2之间
(5)
V
RWM
= 5V ,管脚5和2之间
I
F
= 15毫安
I
PP
= 1A , TP = 100ns的,任何I / O引脚来
地
(3)(6)(8)
I
PP
= 5A , TP = 100ns的,任何I / O引脚来
地
(3)(6)(8)
I
PP
= 12A , TP = 100ns的,任何I / O引脚来
地
(3)(6)(8)
V
R
= 0V , F = 1MHz时,所有的I / O引脚与地
(3)(6)
V
R
= 0V , F = 1MHz时, I / O引脚之间
(3)(6)
V
R
= 0V , F = 1MHz时,所有的I / O引脚与地
(3)(7)
分钟。
6.6
典型值。
马克斯。
5.5
0.1
单位
V
V
A
V
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
pF
0.70
0.85
1
10.0
-3.0
11
-6.0
15.0
-10.0
C
j
结电容
1.85
0.9
1.0
1.94
0.94
1.17
0.03
ΔC
j
通道输入电容
匹配
V
R
= 0V , F = 1MHz时, I / O引脚之间
(3)(6)
注意事项:
3.这些规格由设计保证。
4.工作峰值反向电压,V
RWM
,应等于或大于DC或连续峰值工作电压电平。
5. V
BR
处测得的脉冲测试电流I
T
.
与V无需外部电容进行测量6。
P
(引脚5浮动) 。
7.测量与V进行
P
偏置到3.3伏(引脚5 @ 3.3V ) 。
8.执行测量用100ns的传输线路脉冲( TLP )系统。
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第15 3
AOZ8000
典型性能特性
的C典型变化
IN
VS V
R
( F = 1MHz时, T = 25 ° C)
2.00
输入电容(pF )
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
0.00
1.00
2.00
3.00
4.00
5.00
VP(引脚5 ) = 3.3V
钳位电压与峰值脉冲电流
( TPERIOD = 100ns的, TR = 1纳秒)
16
钳位电压,V
CL
(V)
15
14
13
12
11
10
9
8
0
2
4
6
8
峰值脉冲电流,我
PP
(A)
10
12
VP(引脚5 ) =浮动
输入电压( V)
正向电压与正向电流
( TPERIOD = 100ns的, TR = 1纳秒)
12
10
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
12
1
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
I / O - GND插入损耗( S21 )与频率的关系
(VP = 3.3V )
正向电压( V)
插入损耗(dB )
10
100
频率(MHz)
1000
正向电流( A)
I / O - I / O插入损耗( S21 )与频率的关系
(VP =浮动)
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
1
10
100
频率(MHz)
1000
20
0
-20
-40
-60
-80
10
模拟串扰( I / O -I / O)与频率的关系
插入损耗(dB )
插入损耗(dB )
100
频率(MHz)
1000
ESD钳位
每IEC61000-4-2 8kV接触
注:数据是用10X衰减
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