与双通道负载开关
摆率控制
AOZ1325DI
概述
该AOZ1325DI是一个P沟道高端负载开关
以1ms的压摆率。该AOZ1325DI提供
输出放电电路进行快速放电的输出
当开关处于关闭状态。
P沟道MOSFET具有典型上的电阻
250m
在1.8V 。在非常低R
DS ( ON)
显着
降低了电源路径损耗。输入电压
AOZ1325DI的范围是从1.6V到5.5V 。控制
输入与TTL和CMOS逻辑兼容。超
低静态电流使该产品适用于任何
便携式应用。
该AOZ1325DI是采用8引脚3×3 DFN封装
,额定工作在-40° C至+ 85 °C的环境
温度范围。
特点
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1.6V至5.5V的输入电压范围
低R
DS ( ON)
(250m
典型的1.8V )
受控导通压摆率: 1ms的
输出放电功能
低静态电流( 1.0μA典型值)
低关断电流( <1μA )
4kV的ESD额定值
微小的3x3mm DFN封装
应用
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手机
MP3播放器
个人媒体播放器
笔记本电脑
数码相机
热插拔应用
典型应用电路
V
IN
IN1
C1
1F
V
OUT
OUT1
C3
0.1F
OFF ON
EN1
AOZ1325DI
V
IN
IN2
C2
1F
V
OUT
OUT2
C4
0.1F
OFF ON
EN2
GND
修订版1.2 2009年9月
www.aosmd.com
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AOZ1325DI
订购信息
产品型号
AOZ1325DI
压摆率
1ms
输出放电
是的
包
3×3 DFN - 8
环境的
符合RoHS
绿色产品
AOS绿色产品使用卤素水平降低,而且也符合RoHS标准。
请访问
www.aosmd.com/web/quality/rohs_compliant.jsp
了解更多信息。
引脚配置
顶视图
V
IN
1
1
EN1
2
EN2
3
V
IN
2
4
8
7
6
5
V
OUT
1
NC
GND
V
OUT
2
采用3mm x 3mm DFN - 8
引脚说明
引脚名称
V
IN
1
EN1
EN2
V
IN
2
V
OUT
2
GND
NC
V
OUT
1
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚功能
输入。 IN是P沟道MOSFET的漏极。它是在IC的电源输入。
启用。 P沟道MOSFET导通,当EN为逻辑高电平。
启用。 P沟道MOSFET导通,当EN为逻辑高电平。
输入。 IN是P沟道MOSFET的漏极。它是在IC的电源输入。
输出。 OUT是P沟道MOSFET的源极。
地面上。
无连接。
输出。 OUT是P沟道MOSFET的源极。
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