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AOU452
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AOU452采用先进的沟槽技术和
设计，提供优秀的研发
DS （ ON）
低门
费。此装置适用于在PWM时，负载的使用
开关和一般用途的应用。
标准
产品AOU452是无铅的（符合ROHS &索尼
259规格） 。 AOU452L是一种绿色产品
订购选项。 AOU452和AOU452L是
电相同。
TO-251
D
特点
V
DS
(V) =25V
I
D
= 55 A（V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 9毫欧（V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 15毫欧（V
GS
= 4.5V)
顶视图
漏极连接
为制表
G
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
25
±20
55
40
100
30
135
50
25
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
T
C
=25°C
重复雪崩能量L = 0.1mH
功耗
B
T
C
=100°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
稳态
稳态
符号
R
θJA
R
θJC
典型值
39
2.5
最大
50
3
单位
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOU452
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=10A
二极管的正向电压
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
T
J
=125°C
1
100
7
10
12
35
0.72
1
55
1230
V
GS
=0V, V
DS
= 12.5V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
315
190
1.2
26.4
V
GS
=10V, V
DS
= 12.5V ，我
D
=20A
13.5
3.9
7.75
6.5
V
GS
=10V, V
DS
= 12.5V ，R
L
=0.6,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
10
22.7
6.2
23.06
15.25
27.5
1.45
32
1476
9
12
15
1.8
民
25
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
转2 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOU452
典型的电气和热特性
100
10V
6V
80
7V
40
60
I
D
(A)
V
GS
=4V
40
20
3.5V
20
3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
18
V
GS
=4.5V
归一化的导通电阻
16
R
DS （ ON）
(m
)
14
12
10
V
GS
=10V
8
6
0
30
40
50
60
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
10
20
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结温
1.8
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
10
25°C
I
D
(A)
30
125°C
5V
4.5V
50
60
V
DS
=5V
1.6
V
GS
= 10V ， 20A
1.4
V
GS
= 4.5V ， 20A
1.2
1
30
I
D
=20A
25
20
15
10
5
0
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
25°C
125°C
I
S
(A)
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
R
DS （ ON）
(m
)
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
125°C
25°C
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOU452
典型的电气和热特性
10
V
DS
=12.5V
I
D
=20A
电容（pF）
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
30
0
0
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
25
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
8
V
GS
（伏）
6
4
2
1000.0
R
DS （ ON）
有限
100.0
I
D
（安培）
1ms
10.0
10ms
1.0
DC
100s
功率（W）的
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
A
=25°C
10s
200
160
120
80
40
0
0.0001
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3°C/W
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOU452
典型的电气和热特性
60
I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
50
40
30
20
10
0
0.00001
T
A
=25°C
60
BV
V
DD
功耗（ W）
t
A
=
L
I
D
50
40
30
20
10
0
0.0001
0.001
0
25
50
75
100
125
150
175
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
60
50
额定电流我
D
(A)
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
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AT27C010-17KC
AVT-51663-TR1G
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