AOU412
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
T
J
=125°C
1.5
85
5.7
8.4
8.7
60
0.72
7.5
10
11
1
85
1600
2.15
民
30
0.005
1
5
100
2.5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
10
18
33
9
36
36
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1320
533
154
0.95
26
1.2
32
16.2
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
13.3
3.2
6.6
7.2
12.5
22
6
29.7
29
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B的功耗P被基于T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
D
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
REV3 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOU412
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
2400
2000
1600
1200
C
OSS
800
400
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
国际空间站
1000
R
DS （ ON）
有限
1ms
10ms
10
DC
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
100s
功率（W）的
10s
1000
800
600
400
200
0
1E-05 1E-04 0.001 0.01
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
100
I
D
（安培）
1
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
100
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJA
R
θJC
=1.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOU412
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
T
J
=125°C
1.5
85
5.7
8.4
8.7
60
0.72
7.5
10
11
1
85
1600
2.15
民
30
0.005
1
5
100
2.5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
10
18
33
9
36
36
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1320
533
154
0.95
26
1.2
32
16.2
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
13.3
3.2
6.6
7.2
12.5
22
6
29.7
29
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B的功耗P被基于T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
D
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
REV3 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOU412
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
2400
2000
1600
1200
C
OSS
800
400
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
国际空间站
1000
R
DS （ ON）
有限
1ms
10ms
10
DC
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
100s
功率（W）的
10s
1000
800
600
400
200
0
1E-05 1E-04 0.001 0.01
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
100
I
D
（安培）
1
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
100
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJA
R
θJC
=1.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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