【AOT8N60 / AOTF8N60600V ， 8A N沟道MOSFET原工程零件号AOT9606】,IC型号AOTF8N60,AOTF8N60 PDF资料,AOTF8N60经销商,ic,电子元器件-51电子网

AOT8N60 / AOTF8N60

600V ， 8A N沟道MOSFET

原工程零件号AOT9606 / AOTF9606

概述

该AOT8N60 & AOTF8N60已制作

采用先进的高电压MOSFET工艺

这是旨在提供高水平的性能

和鲁棒性流行AC- DC应用。

通过提供低R

DS （ ON）

, C

国际空间站

和C

RSS

随着

雪崩能力保证这些部件可以

通过迅速进入新的和现有的离线功率

电源设计。

特点

（ V）= 700V @ 150℃

= 8A

DS （ ON）

< 0.9

= 10V)

100 ％ UIS测试！

100% R

测试了！

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

测试了！

TO-220

顶视图

TO-220F

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

AOT8N60

参数

符号

AOTF8N60

漏源电压

600

栅源电压

±30

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

单位

V / ns的

W / C

°C

=25°C

=100°C

dv / dt的

, T

英镑

符号

θJA

θCS

3.2

150

300

147

1.17

-50-150

300

AOT8N60

0.5

0.85

重复性雪崩能量

单脉冲雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

=25°C

功耗

减免上述25℃

结温和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热特性

参数

最大结点到环境

0.4

AOTF8N60

2.5

单位

° C / W

最大外壳到散热器

D，F

θJC

最大结到外壳

*漏电流受最高结温。

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www.aosmd.com

AOT8N60/AOTF8N60

电气特性（T

= 25 ° C除非另有说明）

符号

静态参数

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

零栅极电压漏极电流

门体漏电流

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

= 250μA ，V

= 0V ，T

=25°C

= 250μA ，V

= 0V ，T

=150°C

= 250μA ，V

=0V

=600V, V

=0V

= 480V ，T

=125°C

=0V, V

=±30V

, I

=250A

= 10V ，我

=4A

= 40V ，我

=4A

3.8

0.74

12.5

0.73

912

=0V, V

= 25V ， F = 1MHz的

=0V, V

= 0V ， F = 1MHz的

6.2

3.1

1140

109

7.8

3.9

28.4

=10V, V

= 480V ，我

=8A

5.8

13.4

=10V, V

= 300V ，我

=8A,

=25

=8A,dI/dt=100A/s,V

=100V

270

3.3

1370

131

9.5

5.9

324

4.0

600

700

0.65

±100

0.9

V / C

参数

条件

民

典型值

最大

单位

二极管的正向电压

= 1A ，V

=0V

最大体二极管连续电流

最大体二极管脉冲电流

动力参数

国际空间站

输入电容

OSS

RSS

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

切换参数

总栅极电荷

门源电荷

D（上）

D（关闭）

闸漏极电荷

开启DelayTime

开启上升时间

关断DelayTime

关断下降时间

体二极管反向恢复时间

体二极管反向恢复电荷我

=8A,dI/dt=100A/s,V

=100V

答： R的值

θJA

测量与设备在静止空气环境和T

=25°C.

B.功耗P

是以T

J（下最大）

= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用

散热限制的情况下额外的散热使用。

C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T

J（下最大）

=150°C.

D.第r

θJA

是热阻抗从结到外壳的R总和

θJC

和外壳到环境。

在图E的静态特性16使用<300获得

脉冲占空比0.5 ％以下。

F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设

T的最高结温

J（下最大）

=150°C.

G. L = 60mH ，我

= 3.2A ，V

= 50V ，R

= 25Ω ，起始物为

=25°C

REV 0 2008年7月

本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键

生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任

OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，

性能和可靠性，恕不另行通知。

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AOT8N60/AOTF8N60

典型的电气和热特性

10V

6.5V

(A)

125°C

100

=40V

-55°C

=5.5V

25°C

（伏）

图1 ：在区域特征

1.6

归一化的导通电阻

1.4

DS （ ON）

)

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

=10V

0.1

（伏）

图2 ：传输特性

2.5

1.5

0.5

-100

=10V

=4A

-50

100

150

200

(A)

图3 ：导通电阻与漏电流和

栅极电压

1.2

温度（℃）

图4 ：导通电阻与结温

1.0E+01

125°C

1.0E+00

1.0E-01

1.0E-02

25°C

DSS

（归一化）

1.1

(A)

0.9

1.0E-03

1.0E-04

-50

100

150

200

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

（伏）

图6 ：体二极管的性能

0.8

-100

(

图5 ：分解与结温

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AOT8N60/AOTF8N60

典型的电气和热特性

=480V

=8A

电容（pF）

1000

OSS

100

10000

国际空间站

（伏）

RSS

（ NC ）

图7 ：栅极电荷特性

0.1

（伏）

图8 ：电容特性

100

10s

DS （ ON）

有限

1ms

100

DS （ ON）

有限

10s

（安培）

100s

1ms

10ms

0.1s

10s

100s

J（下最大）

=150°C

=25°C

（伏）

100

0.1

10ms

0.1s

0.1

J（下最大）

=150°C

=25°C

0.01

1000

（伏）

100

1000

图9 ：最大正向偏置安全工作

对于AOT8N60区（注F）

图10 ：最大正向偏置安全

对于AOTF8N60 （注F）工作区

额定电流我

(A)

100

125

150

例

(°C)

图11 ：电流降评级（注二）

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AOT8N60/AOTF8N60

典型的电气和热特性

θJC

归一化瞬时

热阻

D =吨

，PK

θJC

=0.45°C/W

按降序排列

D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲

0.1

单脉冲

100

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

脉冲宽度（S ）

图12： AOT8N60归最大瞬态热阻抗（注F）

θJC

归一化瞬时

热阻

D =吨

，PK

θJC

=2.5°C/W

按降序排列

D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲

0.1

单脉冲

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

脉冲宽度（S ）

图13 ：为AOTF8N60归最大瞬态热阻抗（注F）

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