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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第685页 > AOTF7N60FD
AOS半导体
产品可靠性报告
AOTF7N60FD,
REV A
塑料封装的器件
ALPHA & OMEGA半导体公司
www.aosmd.com
1
这AOS产品可靠性报告总结了AOTF7N60FD资格的结果。
加速环境试验是在一个特定的样本量进行,再其次是
电气试验的终点。复审终裁电测试结果证实, AOTF7N60FD
通过AOS的质量和可靠性的要求。发布的产品将被归类
处理家庭和不断改进的产品。每季进行监控
质量。
目录:
I.
II.
III.
IV 。
产品说明
包装及模具信息
环境应力测试总结及结果
可靠性评估
一,产品简介:
该AOTF7N60FD一直采用先进的高电压MOSFET的过程,是制造
旨在提供流行的AC- DC应用的高水准的性能和鲁棒性。通过
提供低R
DS ( ON)
,西塞和的Crss一起雪崩能力保证这部分可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。
详细信息请参考表。
II 。模具/包装信息:
AOTF7N60FD
过程
标准亚微米
600V ,7A N沟道MOSFET,具有快速恢复二极管
套餐类型
TO220F
引线框架
裸铜
芯片粘接
软焊料
铝焊丝
模具材料
环氧树脂与二氧化硅填料
水分含量
截至1级*
注*
基于信息由汇编器和模塑料供应商。
2
III 。可靠性应力的AOTF7N60FD结果
测试项目
测试条件
时间
-
LOT
归因
12批次
样品
SIZE
2112pcs
of
失败
0
参考
标准
JESD22-
A113
JESD22-
A108
MSL
前提
HTGB
168小时85°C
/ 85% RH下3周期
reflow@260°c
温度= 150 ℃,
的栅极电压= 100%
Vgsmax
168hrs
500小时
1000小时
2手
3手
3手
(注A * )
2手
3手
3手
(注A * )
9批次
539pcs
0
HTRB
温度= 150 ℃,
的Vds = 80 %的
Vdsmax
130 ,85 %RH下,
33.3磅, VGS =
Vgs的最大值为100 %
121℃ , 29.7psi ,
RH=100%
-65 ° C至150° C,
空气到空气中,
168hrs
500小时
1000小时
77个/很多
539pcs
0
JESD22-
A108
HAST
96小时
77个/很多
495pcs
0
JESD22-
A110
压力罐
96小时
(注A * )
9批次
(注A * )
55个/很多
693pcs
77个/很多
924pcs
0
JESD22-
A102
JESD22-
A104
温度
周期
250 / 500
周期
12批次
0
(注A * )
77个/很多
注一:
可靠性数据给出总的可用通用数据到出版日期。
IV 。可靠性评估
FIT率(十亿) : 4.73
MTTF = 23972年
FIT率对个别产品可靠性报告会是由实际的老化限制
选定产品( AOTF7N60FD )的样本量。失败率的测定是基于
JEDEC标准JESD 85 FIT意味着每十亿小时一次失败。
故障率
=驰X 10
/
[2
(N) (H)( Af)中的]
9
= 1.83 x 10
/
[2x
(4x77x168 +6x77x500 +6x77x1000) x258] = 4.73
9
8
MTTF =
10 / FIT = 2.10 ×10小时= 23972年
Chi
=驰平方分布,通过故障和置信区间的数目来确定
N
从HTRB和HTGB试验单位=总数
H
=的HTRB / HTGB测试时间
Af
=从测试加速因子使用条件( EA = 0.7EV和土色= 55 °
C)
加速因子AF] =
EXP
[ EA /
k
( 1 / TJ ü - 1 / TJ S) ]
加速系数比列表:
55摄氏度
70℃
85摄氏度
100℃
115摄氏度
130℃
150℃
2
9
Af
258
87
32
13
5.64
TJ s
=在程度上强调结点温度(开尔文) ,K = C + 273.16
TJ ü
=在度使用结点温度(开尔文) ,K = C + 273.16
k
=
玻尔兹曼常数, 8.617164 ×10
-5
电子伏特/ K
2.59
1
3
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AOTF7N60FD
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    -
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