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AOTF42S60
600V 42A
α
MOS
TM
功率晶体管
概述
TM
该AOTF42S60一直采用先进的制造
αMOS
被设计为提供高电压工艺
高水平的性能和鲁棒性的开关应用。
通过提供低R
DS ( ON)
, Q
g
与ê
OSS
随着雪崩能力保证该设备能
通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。
特点
V
DS
@ T
, MAX
I
DM
R
DS ( ON) ,最大
Q
克,典型值
E
OSS
@ 400V
700V
166A
0.099
40nC
9.2J
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
AOTF42S60
符号
漏源电压
V
DS
600
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOTF42S60L
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
C
T
C
=100°
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
T
L
AOTF42S60
65
2.5
50
0.4
42*
27*
±30
42*
27*
166
11
234
1345
37.9
0.3
100
20
-55到150
300
AOTF42S60L
65
3.3
A
A
mJ
mJ
W
W/
o
C
V / ns的
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
MOSFET的dv / dt坚固
峰值二极管恢复的dv / dt
H
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 8"分之1从案例5秒
J
热特性
参数
符号
A,D
R
θJA
最大结点到环境
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
1/6
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AOTF42S60
600V 42A
α
MOS
TM
功率晶体管
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
静态参数
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
C
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V ,T
J
=25°
C
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V ,T
J
=150°
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ,T
J
=150°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
=5V,I
D
=250A
C
V
GS
= 10V ,我
D
= 21A ,T
J
=25°
C
V
GS
= 10V ,我
D
= 21A ,T
J
=150°
C
I
S
=21A,V
GS
= 0V ,T
J
=25°
600
650
-
-
-
2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GS
=0V, V
DS
= 0 480V , F = 1MHz的
-
V
GS
=0V, V
DS
= 100V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 480V ,我
D
=21A
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ,我
D
=21A,
R
G
=25
I
F
=21A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
I
F
=21A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
-
-
-
-
-
-
344
2.7
1.7
40
11.7
11.9
38.5
53
136
46
473
38.5
10.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
A
C
-
700
-
10
-
3.2
0.085
0.24
0.84
-
-
2154
135
103
-
-
1
-
±100
3.8
0.099
0.28
-
42
166
-
-
-
V
A
V
V
A
A
pF
pF
pF
参数
条件
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
O( ER )
C
O( TR )
C
RSS
R
g
输出电容
有效输出电容,能量
相关
H
有效的输出电容,时间
相关
I
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 100V , F = 1MHz的
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
I
rm
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
峰值反向恢复电流
体二极管反向恢复电荷我
F
=21A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°
C.
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150使用结到外壳的热阻°,并且是在设定上耗散更多的有用
C,
极限情况下,额外的散热使用。
C,
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
= 150 °评级是基于低频率和占空比,以保持初始的T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设一个
的T最大结温
J(下最大)
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
G. L = 60mH ,我
AS
= 6.7A ,V
DD
= 150V ,起始物为
J
=25°
C
小时。
O( ER )
是一个固定的电容,给相同的存储的能量为C
OSS
而V
DS
上升,从0至80 %的V
( BR ) DSS 。
一。C
O( TR )
是一个固定的电容,赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升,从0至80 %的V
( BR ) DSS 。
J.波峰焊只允许在引线。
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AOTF42S60
600V 42A
α
MOS
TM
功率晶体管
典型的电气和热特性
80
70
60
40
50
I
D
(A)
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
V
DS
(伏)
图1 :在区域特性@ 25°C
V
GS
=4.5V
5V
10
V
GS
=4.5V
0
0
5
10
15
20
V
DS
(伏)
图2 :在区域特性@ 125°C
5.5V
6V
I
D
(A)
30
20
5.5V
7V
10V
7V
60
10V
50
6V
5V
1000
V
DS
=20V
100
125°C
R
DS ( ON)
(
)
10
I
D
(A)
-55°C
0.30
0.25
0.20
V
GS
=10V
0.15
0.10
0.05
0.00
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
15
30
45
60
75
90
1
25°C
0.1
0.01
V
GS
(伏)
图3 :传输特性
I
D
(A)
图4 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
1.2
3
归一化的导通电阻
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-100
BV
DSS
(归一化)
V
GS
=10V
I
D
=21A
1.1
1
0.9
-50
0
50
100
150
200
0.8
-100
-50
0
50
o
100
150
200
温度(℃)
图5 :导通电阻与结温
T
J
( C)
图6 :分解与结温
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AOTF42S60
600V 42A
α
MOS
TM
功率晶体管
典型的电气和热特性
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
I
S
(A)
V
GS
(伏)
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
V
SD
(伏)
图7 :体二极管的特性(注五)
15
30
45
60
Q
g
( NC )
图8 :栅极电荷特性
25°C
9
125°C
12
V
DS
=480V
I
D
=21A
15
6
3
10000
C
国际空间站
EOSS ( UJ )
1000
C
OSS
100
20
16
E
OSS
12
电容(pF)
8
10
C
RSS
4
1
0
200
300
400
500
V
DS
(伏)
图9 :电容特性
100
600
0
0
100
200
300
400
V
DS
(伏)
图10 :科斯stroed能源
500
600
1000
1000
100
R
DS ( ON)
有限
10s
I
D
(安培)
100s
1ms
100
R
DS ( ON)
有限
10
10s
100s
1ms
I
D
(安培)
10
1
DC
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
10ms
0.1s
1s
10s
1
DC
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
10ms
0.1s
1s
10s
0.01
0.1
1
10
V
DS
(伏)
100
1000
0.01
0.1
1
10
V
DS
(伏)
100
1000
图11 :最大正向偏置安全
对于AOTF42S60 (注F)工作区
图12 :最大正向偏置安全
对于AOTF42S60L (注F)工作区
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AOTF42S60
600V 42A
α
MOS
TM
功率晶体管
典型的电气和热特性
1500
45
40
1200
额定电流我
D
(A)
25
50
75
100
125
150
175
E
AS
(兆焦耳)
35
30
25
20
15
10
5
0
T
(°C)
图13 :雪崩能量
0
0
75
100
125
T
(°C)
图14 :电流降评级(注二)
25
50
150
900
600
300
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
图15 :为AOTF42S60归最大瞬态热阻抗(注F)
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3.3°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
图16 :为AOTF42S60L归最大瞬态热阻抗(注F)
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AOTF42S60L
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AOTF42S60L
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联系人:李小姐
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AOS
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地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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21+22+
27000
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