AOT266L/AOB266L/AOTF266L
60V N沟道MOSFET
概述
该AOT266L & AOB266L & AOTF266L使用海沟
MOSFET技术，具有独特的优化，以提供
最有效的高频开关性能。
这两种传导和开关功率损耗
由于最小化，以一种极其低R的组合
DS （ ON）
,
西塞和科斯。该器件非常适合于升压转换器
和同步整流器的消费，电信，
工业电源和LED背光。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=6V)
60V
140A/78A
< 3.5mΩ （ < 3.2mΩ
)
< 4.0mΩ （ < 3.8mΩ
)
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
顶视图
TO-220
TO-220F
D
TO-263
D
2
PAK
D
G
D
S
AOTF266L
G
D
S
AOB266L
G
S
S
AOT266L
G
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
AOT266L/AOB266L
V
DS
漏源电压
60
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
C
C
AOTF266L
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
268
134
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
140
110
±20
78
55
450
18
14
90
405
45.5
22.5
2.1
1.3
-55至175
A
A
A
mJ
W
W
°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
*表面贴装型封装TO263
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
AOT266L/AOB266L
15
60
0.56
AOTF266L
15
60
3.3
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
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第1页7
AOT266L/AOB266L/AOTF266L
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
TO220/TO220F
V
GS
= 6V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
TO220/TO220F
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
TO263
V
GS
= 6V ，我
D
=20A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
TO263
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
G
民
60
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
2.2
450
2.9
T
J
=125°
C
4.9
3.2
2.6
3
80
0.65
1
140
5650
3.5
5.9
4
3.2
3.8
2.7
3.2
A
nA
V
A
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
0.4
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
720
20
0.9
65
1.4
90
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=20A
20
7
21
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=1.5,
R
根
=3
20
36
6
27
145
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值
取决于用户的特定板的设计，并且可以使用175℃的最高温度，如果在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
假设T的最高结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.受限于封装的最大电流。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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第2 7
AOT266L/AOB266L/AOTF266L
典型的电气和热特性
10
V
DS
=30V
I
D
=20A
8
6000
电容（pF）
V
GS
（伏）
6
5000
4000
3000
2000
2
1000
0
0
30
40
50
60
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
20
70
0
0
20
30
40
50
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
60
C
RSS
C
OSS
8000
7000
C
国际空间站
4
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
600
R
DS （ ON）
10s
10s
100s
功率（W）的
500
400
300
200
100
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
1ms
10ms
DC
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
1.0
0.1
0.0
0.01
17
5
2
10
1
10
100
1000
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全工作
区AOT266L和AOB266L （注F）
0.1
0.001
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
对于AOT266L和AOB266L （注F）
0.01
0.1
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.56°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11： AOT266L和AOB266L归最大瞬态热阻抗（注F）
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第4 7
AOT266L/AOB266L/AOTF266L
典型的电气和热特性
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
100
1000
600
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
功率（W）的
500
400
300
200
100
0
0.001
0.01
0.1
1
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
1ms
10ms
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
DC
10
100
1000
图12 ：最大正向偏置
对于AOTF266L安全工作区
17
脉冲宽度（S ）
图13 ：单脉冲功率额定值结到外壳
5
对于AOTF266L （注F）
2
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3.3°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0
18
P
D
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
40
1
10
脉冲宽度（S ）
图14： AOTF266L归最大瞬态热阻抗（注F）
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