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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第904页 > AOT9602
AOT3N60
2.5A ， 600V N沟道MOSFET
原工程零件号AOT9602
概述
该AOT3N60一直使用的制造
先进的高电压MOSFET的过程，是
旨在提供高水平的性能和
鲁棒性流行AC- DC应用。
通过提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着
雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线功率
电源设计。
特点
V
DS
（ V）= 700V @ 150℃
I
D
= 2.5A
R
DS （ ON）
＆ LT ; 3.5
(V
GS
= 10V)
100 ％ UIS测试！
100% R
g
测试了！
C
国际空间站
C
OSS
, C
RSS
测试了！
顶视图
D
TO-220
G
G
S
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
最大
参数
符号
V
DS
漏源电压
600
V
GS
栅源电压
±30
连续漏极
T
C
=25°C
2.5
B
当前
T
C
=100°C
I
D
1.6
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W / C
°C
°C
o
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
典型
54
-
1.2
8
2
60
120
5
59.5
0.48
-50-150
300
最大
65
0.5
2.1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
最大外壳到散热器
最大结到外壳
D，F
A
A
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AOT3N60
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°C
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ，T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=1.25A
V
DS
= 40V ，我
D
=1.25A
3
4
2.9
2.8
0.64
1
2
8
240
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
25
2.6
2.3
304
31.4
3.3
2.9
9.9
V
GS
=10V, V
DS
= 480V ，我
D
=2A
2.1
4.6
17
V
GS
=10V, V
DS
= 300V ，我
D
=2A,
R
G
=25
I
F
=2.5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
17
24
16
175
1.4
370
38
4
4.5
12
3
6
20
20
30
20
210
1.7
600
700
0.65
1
10
±100
5
3.5
V
V
V / C
A
nA
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
o
参数
条件
民
典型值
最大
单位
二极管的正向电压
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
最大体二极管脉冲电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=2.5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下，额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=150°C.
G. L = 60mH ，我
AS
= 2A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
60
REV 0 2008年7月
100
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AOT3N60
典型的电气和热特性
5
10V
4
3
I
D
(A)
I
D
(A)
6V
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
6.0
5.5
归一化的导通电阻
5.0
R
DS （ ON）
(m
)
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
0
1
2
3
4
5
6
0
-100
-50
0
50
100
150
200
V
GS
=10V
2
V
GS
=10V
I
D
=1A
2.5
1
125°C
25°C
6.5V
10
V
DS
=40V
-55°C
V
GS
=5.5V
0.1
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
1.5
1
0.5
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
1.2
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结温
1.0E+01
125°C
1.0E+00
1.0E-01
25°C
1.0E-02
BV
DSS
（归一化）
1.1
I
S
(A)
60
1
0.9
1.0E-03
1.0E-04
-50
0
50
100
150
200
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
0.8
-100
T
J
(
o
C)
图5 ：分解与结温
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AOT3N60
典型的电气和热特性
15
V
DS
=480V
I
D
=2A
电容（pF）
1000
C
OSS
100
10000
C
国际空间站
12
V
GS
（伏）
9
6
3
10
C
RSS
0
0
6
8
10
12
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
4
14
1
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
100
3.00
R
DS （ ON）
有限
10s
额定电流我
D
(A)
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°C)
图10 ：电流降评级（注二）
10
I
D
（安培）
1ms
1
100s
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
1
10
V
DS
（伏）
100
10ms
0.1s
DC
0.01
1000
图9 ：最大正向偏置安全工作
对于AOT3N60区（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.45°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
单脉冲
T
on
T
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11： AOT3N60归最大瞬态热阻抗（注F）
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AOT3N60
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
+
VD
C
10V
-
DUT
VGS
Ig
+
VDC
VDS
QGS
Q
gd
-
收费
RES istive开关测试电路波形&
R
L
VDS
VDS
VGS
Rg
VGS
DU
T
+
VD
C
90%
VDD
10%
VGS
t
（O
n)
t
r
t
on
-
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
非钳位感应开关（ UIS）测试电路波形&
L
VDS
Id
VGS
Rg
DU
T
VGS
VGS
VGS
VDS
E
AR
1/2李
=
2
AR
BV
DSS
+
VDC
VDD
-
Id
I
AR
二极管恢复测试电路波形&
VDS +
DUT
VGS
Q
rr
= - IDT
VDS -
VGS
Ig
ISD
L
ISD
I
F
+
VD
C
的di / dt
I
RM
t
rr
VDD
VDS
-
VDD
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