AOT5N60
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°C
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ，T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=2.5A
V
DS
= 40V ，我
D
=2.5A
3
3.9
1.44
7.7
0.76
1
5
16
466
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
46
4.2
2.9
583
58.4
5.3
3.7
16.8
V
GS
=10V, V
DS
= 480V ，我
D
=5A
3.1
8.5
21
V
GS
=10V, V
DS
= 300V ，我
D
=5A,
R
G
=25
I
F
=5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
44
35
37
208
2
700
70
6.5
5.6
20
4
11
25
55
45
45
250
2.4
600
700
0.65
1
10
±100
5
1.8
V
V
V / C
A
nA
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
o
参数
条件
民
典型值
最大
单位
二极管的正向电压
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
最大体二极管脉冲电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
=150°C.
G. L = 60mH ，我
AS
= 2.6A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
REV 0 2008年7月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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AOT5N60
典型的电气和热特性
15
V
DS
=480V
I
D
=5A
电容（pF）
1000
C
国际空间站
10000
12
V
GS
（伏）
9
100
C
OSS
6
3
10
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100
1
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
6
R
DS （ ON）
有限
10s
额定电流我
D
(A)
5
4
3
2
1
0
10
I
D
（安培）
1m
1
100s
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
1
10
V
DS
（伏）
100
0.1
10ms
0.1s
DC
0.01
1000
0
25
50
75
100
125
150
图9 ：最大正向偏置安全工作
对于AOT5N60区（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
T
例
(°C)
图10 ：电流降评级（注二）
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.95°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
单脉冲
T
on
T
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11： AOT5N60归最大瞬态热阻抗（注F）
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AOT5N60
600V ， 5A N沟道MOSFET
概述
使用被设计用于提供先进的高电压MOSFET工艺的AOT5N60已经制造
高水平的流行AC-DC applications.By性能和鲁棒性提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着雪崩能力保证这些部件可以快速通过进入新的和现有的offlin
电源设计。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
E电源
700V@150℃
5A
<1.8
D
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
最大
600
±30
5
3.4
16
2.6
100
200
5
132
1.05
-55到150
300
典型
54
-
0.76
最大
65
0.5
0.95
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
V
GS
C
T
C
=25°
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
重复性雪崩能量
单plused雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
1/5
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AOT5N60
600V ， 5A N沟道MOSFET
C
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
466
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
46
4.2
2.9
583
58.4
5.3
3.7
16.8
V
GS
=10V, V
DS
= 480V ，我
D
=5A
3.1
8.5
21
V
GS
=10V, V
DS
= 300V ，我
D
=5A,
R
G
=25
I
F
=5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
44
35
37
208
2.0
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ，T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=2.5A
V
DS
= 40V ，我
D
=2.5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3
3.9
1.44
7.7
0.76
1
5
16
700
70
6.5
5.6
20
4
11
25
55
45
45
250
2.4
600
700
0.65
1
10
±100
4.5
1.8
V
V/
o
C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°
C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
C,
散热限制的情况下额外的散热使用。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持初始的T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
C.
的T最大结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C
G. L = 60mH ，我
AS
= 2.6A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°
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AOT5N60
600V ， 5A N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
15
V
DS
=480V
I
D
=5A
1000
9
电容（pF）
V
GS
（伏）
10000
12
C
国际空间站
100
C
OSS
6
10
3
C
RSS
0
0
15
20
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
25
1
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
100
10s
额定电流我
D
(A)
10
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
100s
6
5
4
3
2
1
1
1ms
0.1
T
J（下最大）
=150°
C
T
C
=25°
C
DC
10ms
0.01
1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
对于AOT5N60 （注F）工作区
100
1000
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°
C)
图10 ：电流降评级（注二）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.95°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
P
D
0.1
单脉冲
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11： AOT5N60归最大瞬态热阻抗（注F）
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