AOT500
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
AOT500使用最佳设计的温度
补偿栅 - 漏极齐纳钳位。在过压
条件下，钳位激活和接通
的MOSFET ，安全地耗散能量在MOSFET 。
内置电阻，保证正确的操作钳
所有电路的条件下，并且在MOSFET决不会下
进入雪崩击穿。先进的沟槽技术
提供了出色的低导通电阻，栅极电荷和体
二极管的特性，使得该器件非常适用于电机
和感性负载控制应用。
标准产品AOT500是无铅的（符合ROHS &
索尼259规格） 。
TO-220
D
顶视图
漏
连接到
TAB
特点
V
DS
（V ） =钳位
I
D
= 80A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 5.3毫欧（V
GS
= 10V)
G
10
G
D
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
最大
V
DS
漏源电压
夹
V
GS
栅源电压
夹
连续漏极
T
C
=25°C
80
G
当前
I
D
T
C
=100°C
57
连续漏电流门
+50
I
DG
Continuouse门源电流
+50
I
GS
漏电流脉冲
C
雪崩电流L = 100UH
重复性雪崩能量
B
H
H
单位
V
V
A
mA
A
A
mJ
W
°C
I
DM
I
AR
E
AR
250
50
125
115
58
-55至175
T
C
=25°C
P
D
功耗
T
C
=100°C
结温和存储温度范围T
J
, T
英镑
热特性
参数
A
最大结点到环境
最大结到外壳
B
稳态
稳态
符号
R
θJA
R
θJC
典型值
60
0.7
最大
75
1.3
单位
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AOT500
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS （ Z）
漏源击穿电压
BV
钳
漏源电压钳位
I
DSS （ Z）
零栅极电压漏极电流
BV
GSS
栅源电压
I
GSS
门体漏电流
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
D（上）
在国家漏极电流
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
条件
I
D
= 10毫安，V
GS
=0V
I
D
= 1A ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
V
DS
= 0V时，我
D
=250A
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
T
J
=125°C
民
33
36
20
1.5
250
2
4.1
6.2
95
0.7
10
3
5.3
典型值
最大
单位
V
V
A
V
Α
V
A
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
44
30
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=30A
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
1
80
6150
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
4735
765
340
13
69
34
12
15
25
35
150
62
60
84
17
89
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=30A
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.5,
R
根
=3
I
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
78
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H. ê
AR
我
AR
是基于一个100UH电感TJ （开始）= 25℃下为每脉冲。
11
启0_prelim ： 2007年12月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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AOT500
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
7000
V
DS
=30V
I
D
=30A
电容（pF）
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
C
RSS
C
国际空间站
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
C
OSS
10
20
30
40
50
60
70
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1000
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10000
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
100s
功率（W）的
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
100限制
10s
1000
10
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
1
0.1
1
10
DC
1ms
10ms
20
48
30
10
26
63
40
13
100
100
0.00001 0.0001
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注五）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
对案例（注F）
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.3°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
P
D
T
on
0.01
0.1
1
T
10
100
0.0001
0.001
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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AOT500L
N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
AOT500采用了优化设计，温度补偿的栅 - 漏齐纳钳位。在过压
条件下，钳位激活和接通MOSFET ，安全地耗散能量在MOSFET 。
内置的电阻保证正确夹紧操作的所有电路的条件下，并且在MOSFET从不
进入雪崩击穿。先进的沟槽技术，提供优异的低导通电阻，栅极电荷和体二极管
特点，使得该器件非常适用于电机和电感性负载控制应用。
标准产品AOT500是无铅的（符合ROHS &索尼259规格）
特点
V
DS
（V ） =钳位
I
D
= 80A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 5.3毫欧（V
GS
= 10V)
D
D
G
10
S
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
G
当前
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DG
I
GS
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
H
最大
夹
夹
80
57
+50
+50
250
50
125
115
58
-55至175
单位
V
V
A
mA
A
A
mJ
W
°
C
V
GS
连续漏电流门
Continuouse门源电流
漏电流脉冲
C
雪崩电流L = 100UH
H
重复性雪崩能量
T
C
=25°
C
功耗
B
T
C
=100°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
稳态
稳态
符号
R
θJA
R
θJC
典型值
60
0.7
最大
75
1.3
单位
°
C / W
°
C / W
1/7
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AOT500L
N沟道增强型场
场效应晶体管
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
参数
符号
静态参数
BV
DSS （ Z）
漏源击穿电压
BV
钳
I
DSS （ Z）
BV
GSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
漏源电压钳位
零栅极电压漏极电流
栅源电压
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
条件
I
D
= 10毫安，V
GS
=0V
I
D
= 1A ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
V
DS
= 0V时，我
D
=250A
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
T
J
=125°
C
V
DS
= 5V ，我
D
=30A
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
1.5
250
4.1
6.2
95
0.7
1
80
4200
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
765
340
13
69
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=30A
34
12
15
25
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.5,
R
根
=3
I
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
35
150
62
60
84
78
30
89
5500
5.3
2
20
10
3
民
33
36
44
30
典型值
最大
单位
V
V
A
V
Α
V
A
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°
C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
C,
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
C.
的T最大结温
J（下最大）
=175°
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
11
H. ê
AR
我
AR
是基于一个100UH电感TJ （开始）= 25℃下为每脉冲。
第2版： 2010年12月
2/7
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AOT500L
N沟道增强型场
场效应晶体管
典型的电气和热特性
250
10V
200
7V
5V
6V
4.5V
100
V
DS
=5V
80
150
I
D
(A)
100
GS
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
I
D
(A)
40
4V
60
V =3.5V
125°C
20
-40°C
25°C
50
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
2
5
V
GS
=10V
归一化的导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
4.5
R
DS （ ON）
(m
)
V
GS
=10V
I
D
=30A
4
3.5
20
48
30
10
26
63
40
13
3
0
5
10
15
20
25
30
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
14
I
D
=30A
12
10
R
DS （ ON）
(m
)
8
6
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
100
10
1
I
S
(A)
125°C
0.1
25°C
0.01
0.001
-40°C
125°C
4
2
2
5
8
25°C
0.0001
-1. -1. -1. -1. -0. -0. -0. -0. 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
6 4 2 0 8 6 4 2
11
14
17
20
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
3/7
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N沟道增强型场
场效应晶体管
典型的电气和热特性
10
V
DS
=30V
I
D
=30A
8
6
4
2
电容（pF）
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
C
RSS
C
国际空间站
V
GS
（伏）
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
C
OSS
0
0
30
40
50
60
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
20
70
0
0
5
10
15
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
20
25
30
1000
10000
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
100s
功率（W）的
100
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
10s
1000
10
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
1
0.1
1
10
DC
1ms
10ms
20
48
30
10
26
63
40
13
100
100
0.00001 0.0001
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注五）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.3°C/W
1
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
对案例（注F）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
P
D
T
on
0.01
0.1
1
T
10
100
0.0001
0.001
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4/7
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