【AOT474/AOTF474N沟道增强模式场效应晶体管概述在AOT （ F） 474 / L采用了强】,IC型号AOT474,AOT474 PDF资料,AOT474经销商,ic,电子元器件-51电子网

AOT474/AOTF474

N沟道增强模式

场效应晶体管

概述

在AOT （ F） 474 / L采用了强大的技术，是

旨在提供高效，可靠的动力

转换，即使在最苛刻的应用，

包括电机控制。与低R

DS （ ON）

和优秀的

热能力这个设备适合于高

电流切换和可以忍受恶劣的工作

条件。

AOT （F ） 474 / AOT （F ） 474L是相同的电

AOT （ F） 474 -RoHS标准

AOT （ F） 474L卤素免费

TO220FL

底部视图

产品概述

TO220 （在V

=10V)

TO220FL （在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

=10V)

75V

127A

47A

< 11.3mΩ

100 ％ UIS测试

顶视图

TO220

底部视图

顶视图

AOT474

AOTF474

±25

127

200

106

562

417

208

1.9

1.2

-55至175

57.5

1.9

1.2

°C

单位

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

AOT474

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

连续漏极

当前

雪崩电流

=25°C

=100°C

=25°C

=70°C

帝斯曼

, T

英镑

=25°C

重复雪崩能量L = 0.1mH

功耗

=100°C

=25°C

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

AOT474

13.9

0.36

AOTF474

13.9

2.6

单位

° C / W

冯0 ： 2009年2月

www.aosmd.com

第1页7

AOT474/AOTF474

电气特性（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

符号

静态参数

DSS

漏源击穿电压

DSS

GSS

GS （ TH）

D（上）

DS （ ON）

零栅极电压漏极电流

门体漏电流

栅极阈值电压

在国家漏极电流

静态漏源导通电阻

正向跨导

条件

= 250μA ，V

=0V

=75V, V

=0V

=55°C

=0V, V

= ±25V

=250A

=10V, V

=5V

= 10V ，我

=30A

=125°C

= 5V ，我

=30A

2.6

200

9.4

0.73

128

2240

=0V, V

= 30V ， F = 1MHz的

=0V, V

= 0V ， F = 1MHz的

355

1.4

=10V, V

= 30V ，我

=30A

=10V, V

= 30V ，R

=1,

根

= 30A ，的di / dt = 500A / μs的

民

典型值

最大

单位

100

3.4

11.3

21.5

二极管的正向电压

=1A,V

=0V

最大体二极管连续电流

动力参数

国际空间站

输入电容

OSS

RSS

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

2805

507

2.8

49.6

13.8

4.5

3370

660

4.2

切换参数

（ 10V ）总栅极电荷

门源电荷

D（上）

D（关闭）

闸漏极电荷

开启DelayTime

开启上升时间

关断DelayTime

关断下降时间

体二极管反向恢复时间

330

472

614

体二极管反向恢复电荷我

= 30A ，的di / dt = 500A / μs的

的R A的值

θJA

测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T

= 25°C 。该

功耗P

帝斯曼

是基于R

θJA

和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于

用户的具体的电路板设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。

B.功耗P

是以T

J（下最大）

= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用

散热限制的情况下额外的散热使用。

C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T

J（下最大）

= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持初始

=25°C.

D.第r

θJA

是热阻抗从结到外壳的R总和

θJC

和外壳到环境。

E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。

F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设

T的最高结温

J（下最大）

= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。

G.这些测试使用安装在1设备中进行

FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T

=25°C.

冯0 ： 2009年2月

生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任

OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，

性能和可靠性，恕不另行通知。

冯0 ： 2009年2月

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第2 7

AOT474/AOTF474

典型的电气和热特性

150

120

5.5V

=4.5V

（伏）

图1 ：在区域特性（注五）

归一化的导通电阻

DS （ ON）

)

100

(A)

图3 ：导通电阻与漏电流和

栅极电压（注五）

=10V

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-50 -25

75 100 125 150 175 200

温度（℃）

图4 ：导通电阻与结温

（注五）

=10V

=30A

(A)

10V

105

(A)

3.5

4.5

5.5

6.5

（伏）

图2 ：传输特性（注五）

125°C

25°C

-40°C

=5V

=30A

(A)

（伏）

图5 ：导通电阻与栅源电压

（注五）

25°C

125°C

1.0E+02

1.0E+01

1.0E+00

1.0E-01

1.0E-02

1.0E-03

1.0E-04

1.0E-05

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

（伏）

图6 ：体二极管的特性（注五）

25°C

125°C

-40°C

冯0 ： 2009年2月

DS （ ON）

)

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第3页7

AOT474/AOTF474

典型的电气和热特性

=30V

=30A

电容（pF）

5000

4000

国际空间站

（伏）

3000

2000

OSS

1000

RSS

（ NC ）

图7 ：栅极电荷特性

200

（A ）峰值雪崩电流

（伏）

图8 ：电容特性

150

=25°C

100

=150°C

=125°C

0.000001

0.00001

0.0001

0.001

在雪崩时间t

(s)

图9 ：单脉冲雪崩能力（注

=100°C

冯0 ： 2009年2月

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第4 7

AOT474/AOTF474

典型的电气和热特性

10000

8000

功率（W）的

6000

4000

2000

1E-05 0.0001 0.001

J（下最大）

=175°C

=25°C

功率（W）的

10000

8000

6000

4000

2000

1E-05 0.0001

J（下最大）

=175°C

=25°C

0.01

0.1

0.001

0.01

0.1

脉冲宽度（S ）

图10 ：单脉冲功率额定值结点到

案例AOT474 （注F）

10000

=25°C

1000

功率（W）的

脉冲宽度（S ）

图11 ：单脉冲功率额定值结点到

案例AOTF474 （注F）

10000

=25°C

1000

100

0.001

0.1

1000

0.001

0.1

1000

脉冲宽度（S ）

图12 ：单脉冲功率额定值结点到

周围的AOT474 （ NoteG ）

脉冲宽度（S ）

图13 ：单脉冲功率额定值结点到

周围的AOTF474 （注七）

1000.0

100.0

（安培）

10.0

1.0

0.1

0.0

0.01

1000.0

10s

（安培）

DS （ ON）

有限

100s

1ms

10ms

J（下最大）

=175°C

=25°C

100.0

10.0

1.0

0.1

0.0

0.01

10s

DS （ ON）

有限

J（下最大）

=175°C

=25°C

100s

1ms

10ms

100

1000

（伏）

图14 ：最大正向偏置

为AOT474 （注六）安全工作区

0.1

100

1000

（伏）

图15 ：最大正向偏置

安全工作区AOTF474 （注

0.1

冯0 ： 2009年2月

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