AOT466L/AOB466L
60V N沟道MOSFET
概述
该AOT466L & AOB466L结合了先进的沟槽
MOSFET技术的低电阻包
提供非常低R
DS （ ON）
。这器件是理想的
升压转换器和同步整流器的消费者，
电信，工业电源和LED背光。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
60V
180A
< 3.9mΩ
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
TO220
顶视图
底部视图
D
D
顶视图
TO-263
D
2
PAK
底部视图
D
D
D
G
G
D
S
S
D
G
S
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.3mH
功耗
功耗
B
C
C
最大
60
±25
180
140
540
15
12
80
960
333
167
1.9
1.2
-55至175
单位
V
V
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
A
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
12
54
0.35
最大
15
65
0.45
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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第1页6
AOT466L/AOB466L
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
静态漏源导通电阻
TO220
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
TO263
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
T
J
=125°C
3.6
540
3.2
5.2
2.9
60
0.67
3.9
6.3
3.6
1
180
4485
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
750
280
0.35
85
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=20A
24
27
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=1.5,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
60
典型值
最大
单位
V
1
5
100
4.3
5
A
nA
V
A
m
正向跨导
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
G
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
5607
1076
485
0.75
108
30
46
31
29
41
13
6730
1400
680
1.2
130
36
65
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
20
190
35
273
50
355
ns
nC
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值依赖于
用户的特定板的设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
= 25° C.Maximum UIS电流受测试设备。
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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第2 6
AOT466L/AOB466L
典型的电气和热特性
10
V
DS
=30V
I
D
=20A
电容（pF）
9000
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
60
80
100
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
20
40
120
0
0
20
30
40
50
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
60
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
8
V
GS
（伏）
6
4
2
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
DC
1.0
0.1
0.0
0.01
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10s 10s
功率（W）的
100s
1ms
10ms
5000
4000
3000
2000
1000
0
1E-05 0.0001 0.001
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
17
5
2
10
0.1
1
10
V
DS
（伏）
100
1000
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注F）
0
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值
18
结点到
案例（注F）
0.01
0.1
1
10
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.45°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
40
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.01
0.001
0.000001
T
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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第4 6
AOT466L/AOB466L
典型的电气和热特性
1000
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
350
300
T
A
=25°C
功耗（ W）
T
A
=100°C
250
200
150
100
50
10
1
10
100
1000
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
（注三）
0
0
25
75
100
125
150
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注F）
50
175
100
T
A
=150°C
T
A
=125°C
200
160
120
80
40
0
0
75
100
125
150
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注F）
25
50
175
1000
T
A
=25°C
额定电流我
D
(A)
功率（W）的
100
10
17
5
2
10
1
0.01
100
10000
0
脉冲宽度（S ）
18
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
1
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=65°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.01
T
on
T
100
1000
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
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