AOT430
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
T
J
=125°C
2
200
9.8
16.0
90
0.7
1
80
4700
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
400
180
3
114
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=30A
33
18
21
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
39
70
24
53
143
11.5
19.0
2.7
民
75
1
5
1
4
典型值
最大
单位
V
A
uA
V
A
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
= 5V ，我
D
=80A
跨
二极管的正向电压
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
G
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
转2 ：
FEB
2007
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOT430
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
40
80
120
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1000
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
C
=25°C
I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
100
I
D
（安培）
10s
1ms
10
R
DS （ ON）
有限
1
DC
10ms
150
125
100
75
50
25
0
0.000001
T
A
=25°C
T
A
=150°C
V
DS
=30V
I
D
=30A
电容（ NF）
8
6
C
国际空间站
4
2
C
RSS
0
0
30
45
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
15
60
C
OSS
0.1
0.1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
1
1000
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图10 ：单脉冲雪崩能力
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.45°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOT430
N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AOT430采用先进的沟槽技术和设计，提供优秀的研发
DS （ ON）
低门
费。此装置适用于在PWM时，负载开关和一般用途的应用中使用。
标准
产品AOT430是无铅的（符合ROHS &索尼259规格） 。
特点
V
DS
(V) = 75V
I
D
= 80 A
(V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 11.5mΩ （V
GS
= 10V)
TO-220
D
顶视图
漏极连接
为制表
G
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
75
±25
80
78
200
45
300
268
134
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
G
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
重复雪崩能量L = 0.3mH
T
C
=25°C
功耗
B
T
C
=100°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
稳态
稳态
符号
R
θJA
R
θJC
典型值
45
0.45
最大
60
0.56
单位
° C / W
° C / W
1/5
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AOT430
N沟道增强型场
场效应晶体管
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
T
J
=125°C
2
200
9.8
16.0
90
0.7
1
80
4700
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
400
180
3
114
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=30A
33
18
21
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
39
70
24
53
143
11.5
19.0
2.7
民
75
1
5
1
4
典型值
最大
单位
V
A
uA
V
A
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
= 5V ，我
D
=80A
跨
二极管的正向电压
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
G
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
转2 ：
FEB
2007
2/5
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AOT430
N沟道增强型场
场效应晶体管
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
40
80
120
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1000
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
C
=25°C
I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
100
I
D
（安培）
10s
1ms
10
R
DS （ ON）
有限
1
DC
10ms
150
125
100
75
50
25
0
0.000001
T
A
=25°C
T
A
=150°C
V
DS
=30V
I
D
=30A
电容（ NF）
8
6
C
国际空间站
4
2
C
RSS
0
0
30
45
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
15
60
C
OSS
0.1
0.1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
1
1000
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图10 ：单脉冲雪崩能力
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.45°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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