AOT424
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=30A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=30A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
110
3
4.7
4.3
106
0.72
1
85
3200
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
590
414
0.54
59.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=30A
30.4
9.5
19.8
12.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.5,
R
根
=3
I
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
2
3
4
6
5.5
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
3840
0.7
72
37
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
35.5
40
32.5
35.3
30.7
42
体二极管反向恢复电荷我
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
ns
nC
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值
取决于用户的具体的电路板设计，最高温度
of
175℃下也可以使用，如果印刷电路板或散热片允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
G的最大额定电流被包电流能力是有限的。
转2 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOT424
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=30A
电容（pF）
5000
4000
C
国际空间站
3000
2000
C
OSS
1000
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1000
R
DS （ ON）
有限
10s
1ms
10ms
0.1s
1s
100s
功率（W）的
100
80
60
40
20
0
0.01
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
100
I
D
（安培）
10
1
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
100
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ，单脉冲
P
D
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
T
on
T
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOT424
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=30A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=30A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
110
3
4.7
4.3
106
0.72
1
85
3200
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
590
414
0.54
59.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=30A
30.4
9.5
19.8
12.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.5,
R
根
=3
I
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
2
3
4
6
5.5
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
3840
0.7
72
37
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
35.5
40
32.5
35.3
30.7
42
体二极管反向恢复电荷我
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
ns
nC
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值
取决于用户的具体的电路板设计，最高温度
of
175℃下也可以使用，如果印刷电路板或散热片允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
G的最大额定电流被包电流能力是有限的。
转2 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOT424
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=30A
电容（pF）
5000
4000
C
国际空间站
3000
2000
C
OSS
1000
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1000
R
DS （ ON）
有限
10s
1ms
10ms
0.1s
1s
100s
功率（W）的
100
80
60
40
20
0
0.01
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
100
I
D
（安培）
10
1
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
100
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ，单脉冲
P
D
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
T
on
T
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOT424
N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AOT424采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和低
栅极电阻。此装置非常适合于用作CPU核心电源转换的低侧开关。
标准产品AOT424是无铅的（符合ROHS &索尼259规格） 。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 110A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 4MΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 5.5mΩ （V
GS
= 4.5V)
TO-220
D
G
S
G
D
S
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
B，G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
最大
30
±20
110
88
200
30
112
100
50
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
V
GS
T
C
=25°C
G
B
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°C
功耗
B
T
C
=100°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
C
符号
T = 10秒
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
14.2
39
0.8
最大
20
50
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
www.freescale.net.cn
AOT424
N沟道增强型场
场效应晶体管
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=30A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=30A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°C
1
110
3
4.7
4.3
106
0.72
1
85
3700
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
700
390
0.54
59.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=30A
30.4
9.5
19.8
12.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.5,
R
根
=3
I
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
2
3
4
6
5.5
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
4400
0.7
72
37
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
35.5
40
32.5
35.3
30.7
42
ns
nC
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
对用户的特定板的设计，并在最高温度FO 175℃下也可以使用，如果印刷电路板或散热片允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
G的最大额定电流被包电流能力是有限的。
Rev4 ： 2008年7月
2
www.freescale.net.cn
AOT424
N沟道增强型场
场效应晶体管
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=30A
电容（pF）
5000
C
国际空间站
4000
3000
2000
C
OSS
1000
C
RSS
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
DC
1.0
0.1
R
DS （ ON）
有限
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
10s
10s
100
1m
10ms
0.1s
1000
900
800
700
功率（W）的
600
500
400
300
200
100
0
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
0.0
0.01
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.5°C/W
1
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ，单脉冲
P
D
T
on
0.1
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
www.freescale.net.cn
QQ：2881677436 复制
