AOT2918L/AOB2918L/AOTF2918L
100V N沟道MOSFET
概述
该AOT2918L & AOB2918L & AOTF2918L使用海沟
MOSFET技术，具有独特的优化，以提供
最有效的高频开关性能。
功率损失是由于最小化，以极低的
的R组合
DS （ ON）
和C
RSS
.
另外，开关特性得到很好的控制用
软恢复身体diode.This器件理想用于升压
转换器和同步整流器的消费者，
电信，工业电源和LED背光。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
100V
90A
< 7MΩ
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
顶视图
TO-220
TO-220F
D
TO-263
D
2
PAK
D
G
D
S
AOTF2918L
G
D
S
AOB2918L
G
S
S
AOT2918L
G
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
AOT2918L/AOB2918L
漏源电压
V
DS
100
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
C
C
AOTF2918L
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
267
133
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
90
70
±20
58
45
260
13
10
35
61
41
20
2.1
1.33
-55至175
A
A
A
mJ
W
W
°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
AOT2918L/AOB2918L
15
60
0.56
AOTF2918L
15
60
3.6
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
第2版： 2011年2月
www.aosmd.com
第1页7
AOT2918L/AOB2918L/AOTF2918L
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
T
J
=125°
C
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
G
民
100
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
1
5
100
2.7
260
5.6
9
34
0.7
1
90
2580
3430
2035
63
2.3
53
7
12
3.3
3.9
A
nA
V
A
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 50V ， F = 1MHz的
1530
37
1.5
38
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
V
GS
=10V, V
DS
= 50V ，我
D
=20A
12
12
17
38
53
66
53
65
320
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
GS
=10V, V
DS
= 50V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
24
30
24
46
230
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值
取决于用户的特定板的设计，并且可以使用175℃的最高温度，如果在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
假设T的最高结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.受限于封装的最大电流为120A 。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
转2 ： 2011年2月
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第2 7
AOT2918L/AOB2918L/AOTF2918L
典型的电气和热特性
100
10V
7V
80
6V
60
I
D
(A)
I
D
(A)
60
80
100
V
DS
=5V
40
40
125°C
20
Vgs=5V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特性（注五）
10
归一化的导通电阻
V
GS
=10V
8
R
DS （ ON）
(m)
20
25°C
0
2
4
5
6
7
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性（注五）
3
8
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
15
20
25
30
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和门
电压（注五）
5
10
0
25
50
75
100
125
150
175
200
V
GS
=10V
I
D
=20A
6
4
17
5
2
10
2
0
0
温度（ δ
C)
图4 ：导通电阻与结温
18
（注五）
20
I
D
=20A
16
R
DS （ ON）
(m)
I
S
(A)
125°C
12
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
125°C
1.0E-01
25°C
1.0E-02
1.0E-03
40
8
25°C
1.0E-04
4
5
8
9
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
（注五）
6
7
1.0E-05
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的特性（注五）
0.0
0.2
转2 ： 2011年2月
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第3页7
AOT2918L/AOB2918L/AOTF2918L
典型的电气和热特性
10
V
DS
=50V
I
D
=20A
8
电容（pF）
4000
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
3000
5000
4
2000
C
OSS
1000
C
RSS
2
0
0
15
20
25
30
35
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
40
0
0
40
60
80
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
20
100
1000.0
100.0
1000
R
DS （ ON）
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
10s
10s
100s
功率（W）的
900
800
700
600
500
400
300
200
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
DC
1ms
10ms
17
5
2
10
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
1
10
100
1000
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全工作
区AOT2918L和AOB2918L （注F）
0.1
0.001
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
对于AOT2918L和AOB2918L （注F）
0.01
0.1
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.56°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11： AOT2918L和AOB2918L归最大瞬态热阻抗（注F）
转2 ： 2011年2月
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第4 7
AOT2918L/AOB2918L/AOTF2918L
典型的电气和热特性
1000.0
100.0
800
10s
R
DS （ ON）
功率（W）的
600
I
D
（安培）
10.0
100s
DC
1ms
10ms
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
400
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
200
0
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
图9 ：最大正向偏置
对于AOTF2918L安全工作区
17
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
5
对于AOTF2918L （注F）
2
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3.6°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0
18
0.1
P
D
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T
on
T
1
10
40
0.1
脉冲宽度（S ）
图11： AOTF2918L归最大瞬态热阻抗（注F）
转2 ： 2011年2月
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第5页第7
AOT2918L/AOB2918L/AOTF2918L
100V N沟道MOSFET
概述
该AOT2918L & AOB2918L & AOTF2918L采用沟道MOSFET技术，具有独特的优化，以提供
最有效的高频开关性能。功率损失是由于最小化，以极低的
的R组合
DS （ ON）
和C
RSS
。另外，开关特性得到很好的控制用
软恢复身体diode.This器件理想用于升压转换器和同步整流器的消费者，
电信，工业电源和LED背光。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
100V
90A
< 7MΩ
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
AOT2918L/AOB2918L
符号
漏源电压
100
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
C
C
AOTF2918L
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
267
133
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
90
70
±20
58
45
260
13
10
35
61
41
20
2.1
1.33
-55至175
A
A
A
mJ
W
W
°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
AOT2918L/AOB2918L
15
60
0.56
AOTF2918L
15
60
3.6
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/7
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AOT2918L/AOB2918L/AOTF2918L
100V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
C
T
J
=125°
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
G
民
100
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
1
5
100
2.7
260
5.6
9
34
0.7
1
90
2580
3430
2035
63
2.3
53
7
12
3.3
3.9
A
nA
V
A
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 50V ， F = 1MHz的
1530
37
1.5
38
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
V
GS
=10V, V
DS
= 50V ，我
D
=20A
12
12
17
38
53
66
53
65
320
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
GS
=10V, V
DS
= 50V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
24
30
24
46
230
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值
取决于用户的特定板的设计，并且可以使用175℃的最高温度，如果在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
假设T的最高结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.受限于封装的最大电流为120A 。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
2/7
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AOT2918L/AOB2918L/AOTF2918L
100V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
100
10V
7V
80
6V
60
I
D
(A)
I
D
(A)
60
80
100
V
DS
=5V
40
40
125°C
20
Vgs=5V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特性（注五）
10
归一化的导通电阻
V
GS
=10V
8
R
DS （ ON）
(m)
20
25°C
0
2
4
5
6
7
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性（注五）
3
8
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
15
20
25
30
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和门
电压（注五）
5
10
0
25
50
75
100
125
150
175
200
V
GS
=10V
I
D
=20A
6
4
17
5
2
10
2
0
0
温度（ δ
C)
图4 ：导通电阻与结温
18
（注五）
20
I
D
=20A
16
R
DS （ ON）
(m)
I
S
(A)
125°C
12
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
125°C
1.0E-01
25°C
1.0E-02
1.0E-03
40
8
25°C
1.0E-04
4
5
8
9
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
（注五）
6
7
1.0E-05
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的特性（注五）
0.0
0.2
3/7
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AOT2918L/AOB2918L/AOTF2918L
100V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=50V
I
D
=20A
8
电容（pF）
4000
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
3000
5000
4
2000
C
OSS
1000
C
RSS
2
0
0
15
20
25
30
35
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
40
0
0
40
60
80
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
20
100
1000.0
100.0
1000
R
DS （ ON）
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
10s
10s
100s
功率（W）的
900
800
700
600
500
400
300
200
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
DC
1ms
10ms
17
5
2
10
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
1
10
100
1000
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全工作
区AOT2918L和AOB2918L （注F）
0.1
0.001
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
对于AOT2918L和AOB2918L （注F）
0.01
0.1
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.56°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11： AOT2918L和AOB2918L归最大瞬态热阻抗（注F）
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AOT2918L/AOB2918L/AOTF2918L
100V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
1000.0
100.0
800
10s
R
DS （ ON）
功率（W）的
600
I
D
（安培）
10.0
100s
DC
1ms
10ms
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
400
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
200
0
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
图9 ：最大正向偏置
对于AOTF2918L安全工作区
17
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
5
对于AOTF2918L （注F）
2
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3.6°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0
18
0.1
P
D
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
T
on
T
1
10
40
0.1
脉冲宽度（S ）
图11： AOTF2918L归最大瞬态热阻抗（注F）
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