AOT1404L/AOB1404L
40V N沟道坚固的平面MOSFET
概述
该AOT1404L / AOB1404L采用了强大的技术，
的目的是提供有效和可靠的动力
转换，即使在最苛刻的应用，
包括电机控制。与低R
DS （ ON）
和优秀的
热能力这个设备适合于高
电流切换和可以忍受恶劣的工作
条件。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
40V
220A
< 4.2mΩ
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
TO220
顶视图
底部视图
D
D
顶视图
D
TO-263
D
2
PAK
底部视图
D
D
G
G
D
S
S
D
G
G
S
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
40
±20
220
157
500
15
11
140
980
417
208
2.1
1.3
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
12
48
0.3
最大
15
60
0.36
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
REV1 ： 2011年5月
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第1页6
AOT1404L/AOB1404L
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=40V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250Α
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
TO220
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
TO263
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
G
民
40
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
2.5
500
3.6
T
J
=125°
C
6
3.3
55
0.7
4.2
7
3.9
1
220
2840
3568
1388
151
3.1
71
15
23
16
4300
1810
215
4.7
86
3.1
3.7
A
nA
V
A
m
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
960
85
1.5
55
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=20A
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=1,
R
根
=3
35
225
30
54
20
45
287
55
350
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
对用户的特定板的设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
= 25°C 。 UIS的最大电流限制通过测试设备。
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.受限于封装的最大电流为120A 。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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第2 6
AOT1404L/AOB1404L
典型的电气和热特性
10
V
DS
=20V
I
D
=20A
电容（pF）
9000
7500
6000
4500
3000
1500
C
RSS
0
0
30
45
60
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
15
75
0
0
20
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
40
8
V
GS
（伏）
6
C
国际空间站
C
OSS
4
2
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全工作
面积（注F）
9000
10s
7500
6000
4500
3000
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
有限
DC
10s
功率（W）的
100s
1ms
10ms
17
5
2
10
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
1500
0
0.0001
0.01
0.1
1
10
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
0.001
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.36°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
单脉冲
0.01
0.000001
0.00001
P
D
T
on
T
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
0.0001
1
10
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第4 6
AOT1404L/AOB1404L
典型的电气和热特性
250
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
500
T
A
=25°C
150
T
A
=150°C
100
T
A
=125°C
T
A
=100°C
功耗（ W）
200
400
300
200
50
100
0
1
10
100
1000
10000
在雪崩时间t
A
（女士）
图12 ：单脉冲雪崩能力
（注三）
0
0
25
75
100
125
150
T
例
(°C)
°
图13 ：功率降容（注F）
50
175
300
250
额定电流我
D
(A)
10000
T
A
=25°C
1000
功率（W）的
200
150
100
100
17
5
2
10
10
50
0
0
75
100
125
150
T
例
(°C)
°
图14 ：电流降评级（注F）
25
50
175
1
0.00001
0
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
18
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
0.001
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.001
0.01
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
0.1
1000
T
0.01
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AOT1404L/AOB1404L
40V N沟道坚固的平面MOSFET
概述
该AOT1404L / AOB1404L采用了强大的技术，旨在提供高效，可靠的动力
转换即使在最苛刻的应用，包括电机控制。与低R
DS （ ON）
和优秀的
热能力这个设备适合于大电流的开关，并且可以承受不利的操作
条件。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
40V
220A
< 4.2mΩ
TO220
TO-263
D
2
PAK
D
D
D
G
S
D
G
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
40
±20
220
157
500
15
11
140
980
417
208
2.1
1.3
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
12
48
0.3
最大
15
60
0.36
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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AOT1404L/AOB1404L
40V N沟道坚固的平面MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=40V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250Α
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
TO220
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
TO263
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
G
民
40
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
2.5
500
3.6
C
T
J
=125°
6
3.3
55
0.7
4.2
7
3.9
1
220
2840
3568
1388
151
3.1
71
15
23
16
4300
1810
215
4.7
86
3.1
3.7
A
nA
V
A
m
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
960
85
1.5
55
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=20A
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=1,
R
根
=3
35
225
30
54
20
45
287
55
350
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
对用户的特定板的设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
= 25°C 。 UIS的最大电流限制通过测试设备。
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.受限于封装的最大电流为120A 。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
2/6
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40V N沟道坚固的平面MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=20V
I
D
=20A
电容（pF）
9000
7500
6000
4500
3000
1500
C
RSS
0
0
30
45
60
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
15
75
0
0
20
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
40
8
V
GS
（伏）
6
C
国际空间站
C
OSS
4
2
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全工作
面积（注F）
9000
10s
7500
6000
4500
3000
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
有限
DC
10s
功率（W）的
100s
1ms
10ms
17
5
2
10
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
1500
0
0.0001
0.01
0.1
1
10
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
0.001
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.36°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
单脉冲
0.01
0.000001
0.00001
P
D
T
on
T
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
0.0001
1
10
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40V N沟道坚固的平面MOSFET
典型的电气和热特性
250
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
500
T
A
=25°C
150
T
A
=150°C
100
T
A
=125°C
T
A
=100°C
功耗（ W）
200
400
300
200
50
100
0
1
10
100
1000
10000
在雪崩时间t
A
（女士）
图12 ：单脉冲雪崩能力
（注三）
0
0
25
75
100
125
150
T
例
(°C)
°
图13 ：功率降容（注F）
50
175
300
250
额定电流我
D
(A)
10000
T
A
=25°C
1000
功率（W）的
200
150
100
100
17
5
2
10
10
50
0
0
75
100
125
150
T
例
(°C)
°
图14 ：电流降评级（注F）
25
50
175
1
0.00001
0
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
18
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
0.001
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.001
0.01
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
0.1
1000
T
0.01
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