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AOT12N50 / AOTF12N50
500V ,12A N沟道MOSFET
概述
该AOT12N50 & AOTF12N50已制作
采用先进的高电压MOSFET工艺
这是旨在提供高水平的性能
和鲁棒性流行AC- DC应用。
通过提供低R
DS ( ON)
, C
国际空间站
和C
RSS
随着
雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线功率
电源设计。
特点
V
DS
( V)= 600V @ 150℃
I
D
= 12A
R
DS ( ON)
< 0.52Ω
(V
GS
= 10V)
100 % UIS测试!
100% R
g
测试了!
TO-220
顶视图
TO-220F
D
G
G
D
G
S
D
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
AOT12N50
参数
符号
AOTF12N50
V
DS
漏源电压
500
V
GS
栅源电压
±30
连续漏极
当前
B
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°C
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
12
7.6
48
5.5
454
908
5
208
1.7
-50-150
300
AOT12N50
65
0.5
0.6
12*
7.6*
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
A
50
0.4
符号
R
θJA
最大结点到环境
A
R
θCS
最大外壳到散热器
D,F
R
θJC
最大结到外壳
*漏电流受最高结温。
AOTF12N50
65
-
2.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AOT12N50/AOTF12N50
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V ,T
J
=25°C
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V ,T
J
=150°C
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
DS
= 400V ,T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V ,我
D
=250A
V
GS
= 10V ,我
D
=6A
V
DS
= 40V ,我
D
=6A
3.3
3.9
0.36
16
0.72
1
12
48
1089
V
GS
=0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
134
10
1.8
1361
167
12.6
3.6
30.7
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ,我
D
=12A
7.6
13.0
29
V
GS
=10V, V
DS
= 250V ,我
D
=12A,
R
G
=25
I
F
=12A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
69
82
55.5
231
2.82
1633
200
15
5
37
9
16
35.0
83.0
98.0
67.0
277.0
3.4
500
600
0.54
1
10
±100
4.5
0.52
典型值
最大
单位
V
V
V / C
A
nA
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
o
二极管的正向电压
I
S
= 1A ,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
最大体二极管脉冲电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=12A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
答: R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用结到外壳的热阻,并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下,额外的散热使用。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设一个
的T最大结温
J(下最大)
=150°C.
4.4
G. L = 60mH ,我
AS
= 5.5A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
=25°C
2.修订版2008年12月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AOT12N50/AOTF12N50
典型的电气和热特性
24
10V
20
16
I
D
(A)
12
8
4
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
0.8
V
GS
=10V
归一化的导通电阻
0.7
R
DS ( ON)
(m
)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0
4
8
12
16
20
24
28
0
-100
-50
0
50
100
150
200
3
2.5
2
1.5
1
0.5
V
GS
=10V
I
D
=6A
V
GS
=5V
0.1
2
4
6
8
10
6V
I
D
(A)
6.5V
100
V
DS
=40V
-55°C
10
125°C
25°C
1
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
1.2
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
1.0E+02
4.4
1.0E+01
BV
DSS
(归一化)
1.1
1.0E+00
I
S
(A)
1
1.0E-01
1.0E-02
0.9
1.0E-03
0.8
-100
1.0E-04
-50
0
50
100
150
200
0.2
0.4
125°C
25°C
0.6
0.8
1.0
T
J
(
o
C)
图5 :分解与结温
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AOT12N50/AOTF12N50
典型的电气和热特性
15
V
DS
=400V
I
D
=12A
电容(pF)
1000
10000
C
国际空间站
12
V
GS
(伏)
9
C
OSS
6
100
C
RSS
10
3
0
0
5
20
25
30
35
40
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
10
15
45
0.1
10
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
1
100
100
10s
R
DS ( ON)
有限
100
10s
10
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
100s
10
I
D
(安培)
100s
1ms
DC
10ms
0.1s
1
1
DC
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
1
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全工作
对于AOT10N60区(注F)
100
1000
1ms
10ms
0.1s
1s
10s
0.01
0.01
1
10
V
DS
(伏)
图10 :最大正向偏置安全
对于AOTF10N60 (注F)工作区
100
1000
14
12
额定电流我
D
(A)
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
T
(°C)
图11 :电流降评级(注二)
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AOT12N50/AOTF12N50
典型的电气和热特性
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.6°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
单脉冲
T
on
T
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度(S )
图12: AOT12N50归最大瞬态热阻抗(注F)
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
脉冲宽度(S )
图13 :为AOTF12N50归最大瞬态热阻抗(注F)
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AOT12N50
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
AOT12N50
AOS/万代
24+
8640
TO-220
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
AOT12N50
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
24+
10000
TO-220
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
AOT12N50
A
24+
25000
TO220
全新进口原装现货!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
AOT12N50
AO
2418+
39482
TO220
全新大量库存!样品可出!实单可谈!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004264855 复制

电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
AOT12N50
AOS/万代
24+
330000
原装正品,可含税供应。品质保障
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
AOT12N50
AOS/韩国太虹
2024
20000
TO-220
原装现货上海库存,欢迎咨询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
AOT12N50
AOS/韩国太虹
2024
20000
TO-220
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2675049463 复制

电话:13681678667
联系人:吴
地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
AOT12N50
AOS
23+
36200
只做进口原装,假一赔十;欢迎致电:杨先生15001712988
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AOT12N50
AOS/万代
21+22+
27000
TO-220
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AOT12N50
AOS/万代
13+
2200
TO-220
原装正品,支持实单
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