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AOP806
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
该AOP806采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。
这个装置是适合于用作负载开关或
在PWM应用。
标准产品AOP806是无铅的（符合
ROHS &索尼259规格） 。
特点
V
DS
(V) = 75V
I
D
= 3.4A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 132mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 168mΩ （V
GS
= 4.5V)
UIS测试！
RG ，西塞，科斯，测试的Crss
D1
S2
G2
S1
G1
D2
D2
D1
D1
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
S1
G2
S2
PDIP-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
AF
漏电流脉冲
功耗
雪崩电流
B
B
符号
V
DS
V
GS
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
B
最大
10秒
稳定状态
75
±25
3.4
2.7
2.1
15
2.5
1.6
10
15
-55到150
1.6
1
2.7
单位
V
V
A
I
D
I
DM
P
D
I
AR
E
AR
T
J
, T
英镑
W
A
mJ
°C
重复雪崩能量0.3mH
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
40
67
33
最大
50
80
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AOP806
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 10毫安，V
GS
=0V
V
DS
=75V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=3.4A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=3.4A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
15
108
162
128
10
0.77
1
3
290
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
54
24
2.4
5.1
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=3.4A
2.3
1.0
1.2
4
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=8.8,
R
根
=3
I
F
= 3.4A ，的di / dt = 100A / μs的
3.4
14.4
2.4
30.2
21.5
45
3.5
7
380
132
198
168
2.3
民
75
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 3.4A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
REV1 ：五月。 2007年
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AOP806
典型的电气和热特性
15
6V
12
10V
4.5V
12
V
DS
=5V
15
9
I
D
(A)
I
D
(A)
4V
9
125°C
6
25°C
6
3.5V
3
3
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
200
归一化的导通电阻
170
R
DS （ ON）
(m
)
140
110
80
50
0
2
4
6
8
10
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
0
1
2
3
4
5
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
1.8
1.6
1.4
V
GS
=4.5V
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结温
I
D
=2A
V
GS
=10V
I
D
=3.4A
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和门
电压
210
I
D
=3.4A
180
R
DS （ ON）
(m
)
150
120
90
25°C
60
2
4
6
8
10
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
I
S
(A)
125°C
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
125°C
25°C
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
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AOP806
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=30V
I
D
=3.4A
电容（pF）
500
400
C
国际空间站
300
200
C
OSS
100
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
100.0
T
J（下最大）
= 150 ° （C T）
A
=25°C
10s
功率（W）的
I
D
（安培）
10.0
R
DS （ ON）
有限
1.0
DC
10s
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100s
1ms
10ms
0.1s
50
40
30
20
10
1s
100
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=80°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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AAT3511IGV-3.50-C-A-T1
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ABV8038OC-T
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    AOP806
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