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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第523页 > AOP610
AOP610
互补增强型场效应晶体管
概述
该AOP610采用先进沟道技术
MOSFET,以提供优秀的研发
DS ( ON)
栅极电荷。互补的MOSFET
可被用于形成一个电平移位的高侧
开关,以及用于许多其它的应用程序。一
并联肖特基二极管的n沟道
FET降低体二极管相关的损失。这是
ESD保护。
标准产品AOP610是
无铅(符合ROHS &索尼259
规范)。 AOP610L是一种绿色产品
订购选项。 AOP610和AOP610L是
电相同。
特点
N沟道
P沟道
V
DS
(V) = 30V
-30V
-6.2A (V
GS
=10V)
I
D
= 7.7A (V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
< 24mΩ (V
GS
=10V)
< 37米
(V
GS
= -10V)
< 42mΩ (V
GS
=4.5V)
< 60米
(V
GS
= -4.5V)
ESD等级: 1500V ( HBM )
PDIP-8
S2/A
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2/K
D2/K
D1
D1
D2
D1
K2
G1
A2
N沟道
P沟道
G2
S2
S1
N沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
雪崩电流
B
B
P沟道
最大的p沟道
-30
±20
-6.2
-4.9
-30
2.3
1.45
20
20
-55到150
W
A
mJ
°C
A
单位
V
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
B
7.7
I
D
I
DM
P
D
I
AR
E
AR
T
J
, T
英镑
6.1
30
2.3
1.45
15
11
-55到150
重复雪崩能量0.1mH
结温和存储温度范围
热特性: n沟道+肖特基和p沟道
符号
参数
A
t
10s
最大结点到环境
R
θJA
A
稳态
最大结点到环境
R
θJL
稳态
最大结对铅
C
A
t
10s
最大结点到环境
R
θJA
A
稳态
最大结点到环境
C
R
θJL
稳态
最大结对铅
典型值
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
最大
45
78
30
38.5
78
28
55
95
40
55
95
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOP610
N通道+肖特基电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=7.7A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=4A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=7.7A
10
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
20
20
29
34
18
0.5
1
3
543
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
142
76
2.1
11
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,我
D
=7.7A
5.3
1.9
4
4.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=1.9,
R
=3
I
F
= 7.7A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 7.7A ,的di / dt = 100A / μs的
4.9
16.2
3.5
15.7
7.9
7
10
22
7
20
10
3
15
7
630
24
35
42
2
30
2
50
125
10
3
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
θJL
和R
θJC
是等价的术语指的是
热阻结到漏极引线。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
F.版本0 : 2005年10月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOP610
N-CH +肖特基的典型电气和热性能
30
10V
25
4V
20
I
D
(A)
5V
4.5V
20
16
12
V
DS
=5V
15
3.5V
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
I
D
(A)
8
125°C
4
V
GS
=3V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
25°C
3.5
4
4.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
40
归一化的导通电阻
35
R
DS ( ON)
(m
)
30
25
20
15
10
0
5
10
15
20
I
D
(安培)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
V
GS
=4.5V
I
D
=4A
V
GS
=10V
I
D
=7.7A
70
1.0E+01
I
D
=7.7A
60
1.0E+00
R
DS ( ON)
(m
)
125°C
40
30
20
10
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
1.0E-03
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的特性
I
S
安培
50
125°C
1.0E-01
25°C
1.0E-02
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOP610
N-CH +肖特基的典型电气和热性能
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=7.7A
电容(pF)
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
f=1MHz
V
GS
=0V
100
R
DS ( ON)
有限
10
I
D
(安培)
1ms
10ms
0.1s
1
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
(伏)
10
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
100s
10s
功率W
20
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
15
10
5
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=55°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOP610
P沟道电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ,我
D
=-6.2A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ,我
D
=4A
正向跨导
V
DS
= -5V ,我
D
=-6.2A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1
30
30.5
43
47
12.5
-0.77
-1
3
1040
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
179
134
5
16.8
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,我
D
=-6.2A
8.7
3.4
5
9
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,R
L
=2.5,
R
=3
I
F
= -6.2A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -6.2A ,的di / dt = 100A / μs的
5.7
22.7
10.2
21.7
13.6
12
11
30
20
27
18
10
22
12
1250
37
52
60
-1.8
-30
-1
-5
10
-3
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷( 10V )
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷( 4.5V )
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
2
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
θJA
A
任何给定的应用程序依赖于user'sthe用户的特定电路板设计。目前基于ratingon 10sthe吨
10秒热阻率。
在任何一个给定的应用价值取决于特定的电路板设计。目前的等级是根据是T
对热电阻额定值。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
θJL
和R
θJC
是等价的术语指的是
θJA
θJL
图thermalstatic特点1至6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
D.结点的阻力排出铅。
D.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2oz.duty CYCLEIN静止空气环境符合T = 25 ℃。国家海洋局
图E的静态特性1 6,12,14使用80获得
s
豆类,铜, 0.5 %最大。
A
E.这些试验进行评价。设备安装1
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
曲线提供了与单脉冲
提供了单一的脉冲等级。
F.版本0 : 2005年10月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOP610
互补增强型场效应晶体管
概述
该AOP610采用先进沟道技术
MOSFET,以提供优秀的研发
DS ( ON)
栅极电荷。互补的MOSFET
可被用于形成一个电平移位的高侧
开关,以及用于许多其它的应用程序。一
并联肖特基二极管的n沟道
FET降低体二极管相关的损失。这是
ESD保护。
标准产品AOP610是
无铅(符合ROHS &索尼259
规范)。 AOP610L是一种绿色产品
订购选项。 AOP610和AOP610L是
电相同。
特点
N沟道
P沟道
V
DS
(V) = 30V
-30V
-6.2A (V
GS
=10V)
I
D
= 7.7A (V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
< 24mΩ (V
GS
=10V)
< 37米
(V
GS
= -10V)
< 42mΩ (V
GS
=4.5V)
< 60米
(V
GS
= -4.5V)
ESD等级: 1500V ( HBM )
PDIP-8
S2/A
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2/K
D2/K
D1
D1
D2
D1
K2
G1
A2
N沟道
P沟道
G2
S2
S1
N沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
雪崩电流
B
B
P沟道
最大的p沟道
-30
±20
-6.2
-4.9
-30
2.3
1.45
20
20
-55到150
W
A
mJ
°C
A
单位
V
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
B
7.7
I
D
I
DM
P
D
I
AR
E
AR
T
J
, T
英镑
6.1
30
2.3
1.45
15
11
-55到150
重复雪崩能量0.1mH
结温和存储温度范围
热特性: n沟道+肖特基和p沟道
符号
参数
A
t
10s
最大结点到环境
R
θJA
A
稳态
最大结点到环境
R
θJL
稳态
最大结对铅
C
A
t
10s
最大结点到环境
R
θJA
A
稳态
最大结点到环境
C
R
θJL
稳态
最大结对铅
典型值
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
最大
45
78
30
38.5
78
28
55
95
40
55
95
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOP610
N通道+肖特基电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=7.7A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=4A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=7.7A
10
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
20
20
29
34
18
0.5
1
3
543
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
142
76
2.1
11
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,我
D
=7.7A
5.3
1.9
4
4.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=1.9,
R
=3
I
F
= 7.7A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 7.7A ,的di / dt = 100A / μs的
4.9
16.2
3.5
15.7
7.9
7
10
22
7
20
10
3
15
7
630
24
35
42
2
30
2
50
125
10
3
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
θJL
和R
θJC
是等价的术语指的是
热阻结到漏极引线。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
F.版本0 : 2005年10月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
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AOP610
N-CH +肖特基的典型电气和热性能
30
10V
25
4V
20
I
D
(A)
5V
4.5V
20
16
12
V
DS
=5V
15
3.5V
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
I
D
(A)
8
125°C
4
V
GS
=3V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
25°C
3.5
4
4.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
40
归一化的导通电阻
35
R
DS ( ON)
(m
)
30
25
20
15
10
0
5
10
15
20
I
D
(安培)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
V
GS
=4.5V
I
D
=4A
V
GS
=10V
I
D
=7.7A
70
1.0E+01
I
D
=7.7A
60
1.0E+00
R
DS ( ON)
(m
)
125°C
40
30
20
10
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
1.0E-03
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的特性
I
S
安培
50
125°C
1.0E-01
25°C
1.0E-02
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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N-CH +肖特基的典型电气和热性能
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=7.7A
电容(pF)
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
f=1MHz
V
GS
=0V
100
R
DS ( ON)
有限
10
I
D
(安培)
1ms
10ms
0.1s
1
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
(伏)
10
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
100s
10s
功率W
20
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
15
10
5
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=55°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
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P沟道电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ,我
D
=-6.2A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ,我
D
=4A
正向跨导
V
DS
= -5V ,我
D
=-6.2A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1
30
30.5
43
47
12.5
-0.77
-1
3
1040
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
179
134
5
16.8
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,我
D
=-6.2A
8.7
3.4
5
9
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,R
L
=2.5,
R
=3
I
F
= -6.2A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -6.2A ,的di / dt = 100A / μs的
5.7
22.7
10.2
21.7
13.6
12
11
30
20
27
18
10
22
12
1250
37
52
60
-1.8
-30
-1
-5
10
-3
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷( 10V )
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷( 4.5V )
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
2
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
θJA
A
任何给定的应用程序依赖于user'sthe用户的特定电路板设计。目前基于ratingon 10sthe吨
10秒热阻率。
在任何一个给定的应用价值取决于特定的电路板设计。目前的等级是根据是T
对热电阻额定值。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
θJL
和R
θJC
是等价的术语指的是
θJA
θJL
图thermalstatic特点1至6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
D.结点的阻力排出铅。
D.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2oz.duty CYCLEIN静止空气环境符合T = 25 ℃。国家海洋局
图E的静态特性1 6,12,14使用80获得
s
豆类,铜, 0.5 %最大。
A
E.这些试验进行评价。设备安装1
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
曲线提供了与单脉冲
提供了单一的脉冲等级。
F.版本0 : 2005年10月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
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