AON7611
N沟道电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=4A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=4A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.5
20
40
64
53
11
0.79
1
9.5
170
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1.7
35
23
3.5
4.05
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=4A
2
0.55
1
4.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=3.75,
R
根
=3
I
F
= 4A ，的di / dt = 100A / μs的
1.5
18.5
15.5
7.5
2.5
5.3
10
6
50
80
70
2
民
30
1
5
±100
2.5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 4A ，的di / dt = 100A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
对用户的特定板的设计，并在150℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
=150°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1英寸的设备执行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
版本1 ： 2011年12月
www.aosmd.com
第11 2
AON7611
N沟道的典型电气和热性能
10
V
DS
=15V
I
D
=4A
8
电容（pF）
300
250
200
150
100
C
OSS
50
0
0
2
3
4
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1
5
0
C
RSS
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
4
2
0
100
200
T
C
=25°C
10
10s
功率（W）的
160
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
1
100s
1ms
10ms
120
80
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
DC
40
0.01
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0
0.00001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
0.001
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
1
R
θJC
=18°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
版本1 ： 2011年12月
www.aosmd.com
第11 4
AON7611
N沟道的典型电气和热性能
10
10
功耗（ W）
8
额定电流我
D
(A)
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图12 ：功率降容（注F）
25
50
150
8
6
6
4
4
2
2
0
0
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图13 ：电流降评级（注F）
25
50
150
10000
T
A
=25°C
1000
100
17
5
2
10
功率（W）的
10
1
0.00001
0.1
10
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注高）
0.001
0
1000
18
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=85°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
0.01
单脉冲
P
D
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
版本1 ： 2011年12月
www.aosmd.com
第11个5
AON7611
30V互补MOSFET
概述
该AON7611采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。该
互补的MOSFET可以在逆变器和其它应用中使用。
特点
N沟道
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 9.0A
R
DS （ ON）
< 50mΩ以下
R
DS （ ON）
< 70mΩ
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
D2
D1
P沟道
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -18.5A
R
DS （ ON）
< 38mΩ
R
DS （ ON）
< 62mΩ
(V
GS
= ±10V)
(V
GS
= ±10V)
(V
GS
= ±4.5V)
顶视图
S2
G2
S1
G1
D2
D2
D1
D1
G2
S2
G1
S1
N沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
符号
参数
最大的n沟道
漏源电压
V
DS
30
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
A
雪崩电流
C
C
P沟道
单位
V
V
最大的p沟道
-30
±20
-18.5
-11.5
-35
-5
-4
-17
14
20.8
8.3
1.5
0.9
-55到150
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
±20
9
5.5
20
4
3
7
2
7
2.8
1.5
0.9
-55到150
A
A
mJ
W
W
°
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
C
C
T
A
=25°
功耗
功耗
B
T
A
=100°
C
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
A
结温和存储温度范围
热特性： N沟道
参数
t
≤
10s
最大结点到环境
A
AD
稳态
最大结点到环境
稳态
最大结到外壳
B
热特性： P沟道
参数
t
≤
10s
最大结点到环境
A
AD
稳态
最大结点到环境
符号
R
θJA
R
θJC
符号
R
θJA
R
θJC
典型值
40
70
15
典型值
40
70
5
最大
50
85
18
最大
50
85
6
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
最大结到外壳
B
稳态
1 / 11
www.freescale.net.cn
AON7611
30V互补MOSFET
C
N沟道电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=4A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=4A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.5
20
40
64
53
11
0.79
1
9.5
170
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1.7
35
23
3.5
4.05
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=4A
2
0.55
1
4.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=3.75,
R
根
=3
I
F
= 4A ，的di / dt = 100A / μs的
1.5
18.5
15.5
7.5
2.5
5.3
10
6
50
80
70
2
民
30
1
5
±100
2.5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 4A ，的di / dt = 100A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
对用户的特定板的设计，并在150℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
=150°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1英寸的设备执行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
2 / 11
www.freescale.net.cn
AON7611
30V互补MOSFET
N沟道的典型电气和热性能
10
V
DS
=15V
I
D
=4A
8
电容（pF）
300
250
200
150
100
C
OSS
50
0
0
2
3
4
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1
5
0
C
RSS
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
4
2
0
100
200
T
C
=25°C
10
10s
功率（W）的
160
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
1
100s
1ms
10ms
120
80
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
DC
40
0.01
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0
0.00001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
0.001
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
1
R
θJC
=18°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4 / 11
www.freescale.net.cn
AON7611
30V互补MOSFET
N沟道的典型电气和热性能
10
10
功耗（ W）
8
额定电流我
D
(A)
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图12 ：功率降容（注F）
25
50
150
8
6
6
4
4
2
2
0
0
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图13 ：电流降评级（注F）
25
50
150
10000
T
A
=25°C
1000
100
17
5
2
10
功率（W）的
10
1
0.00001
0.1
10
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注高）
0.001
0
1000
18
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=85°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
0.01
单脉冲
P
D
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
5 / 11
www.freescale.net.cn
QQ：2881677436 复制
