AON7432
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=10.5A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°
C
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=4A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=10.5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
G
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
0.6
60
12.5
20
14
18
50
0.7
1
18
813
15
24
18
24
1.07
1.5
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1.1
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
98
56
2.3
18
3.5
26
12
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= 10.5A ，的di / dt = 100A / μs的
1in
2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=10.5A
8
1.2
2.6
3
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.4,
R
根
=3
3
26
3.5
14
2.6
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10.5A ，的di / dt = 100A / μs的
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
t
≤
10秒值和150℃的最大允许结温。在任何给定的值
应用程序依赖于用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
冯0 ： 2012年1月
www.aosmd.com
第2 6
AON7432
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=10.5A
8
电容（pF）
1200
1000
C
国际空间站
800
600
400
C
OSS
200
0
0
10
15
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
20
0
10
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
30
C
RSS
V
GS
（伏）
6
4
2
0
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
10s
功率（W）的
200
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
160
R
DS （ ON）
10s
100s
1ms
10ms
120
80
40
0
DC
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
17
5
2
10
100
0.0001
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注F）
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
（注六）
0.001
0.01
0.1
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=6°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
0.01
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
冯0 ： 2012年1月
www.aosmd.com
第4 6
AON7432
典型的电气和热特性
1000
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
25
100
T
A
=25°C
T
A
=100°C
功耗（ W）
1000
20
15
T
A
=150°C
10
T
A
=125°C
10
5
1
1
10
100
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
（注三）
0
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图13 ：功率降容（注F）
25
50
150
20
10000
T
A
=25°C
额定电流我
D
(A)
15
功率（W）的
1000
10
100
17
5
2
10
5
10
0
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图14 ：电流降评级（注F）
25
50
150
1
1E-05
0.1
10
0
1000
脉冲宽度（S ）
18
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
0.001
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
T
冯0 ： 2012年1月
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分页： 5 6
AON7432
30V N沟道MOSFET
概述
该AON7432结合了先进的沟槽MOSFET技术，具有低电阻封装提供
非常低R
DS （ ON）
。该器件非常适用于负荷开关和电池保护的应用程序。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=4.5V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=2.5V)
30V
18A
< 15MΩ
< 18MΩ
< 24mΩ
D
顶视图
1
2
3
4
8
7
6
5
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
30
±12
18
14
60
10.5
8.5
17
14
20.8
8.3
3.1
2
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
C
T
C
=100°
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
30
60
5
最大
40
75
6
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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AON7432
30V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=10.5A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
C
T
J
=125°
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=4A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=10.5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
G
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
0.6
60
12.5
20
14
18
50
0.7
1
18
813
15
24
18
24
1.07
1.5
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1.1
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
98
56
2.3
18
3.5
26
12
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= 10.5A ，的di / dt = 100A / μs的
1in
2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=10.5A
8
1.2
2.6
3
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.4,
R
根
=3
3
26
3.5
14
2.6
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10.5A ，的di / dt = 100A / μs的
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
t
≤
10秒值和150℃的最大允许结温。在任何给定的值
应用程序依赖于用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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AON7432
30V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=10.5A
8
电容（pF）
1200
1000
C
国际空间站
800
600
400
C
OSS
200
0
0
10
15
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
20
0
10
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
30
C
RSS
V
GS
（伏）
6
4
2
0
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
10s
功率（W）的
200
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
160
R
DS （ ON）
10s
100s
1ms
10ms
120
80
40
0
DC
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
17
5
2
10
100
0.0001
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注F）
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
（注六）
0.001
0.01
0.1
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=6°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
0.01
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4/6
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30V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
1000
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
25
100
T
A
=25°C
T
A
=100°C
功耗（ W）
1000
20
15
T
A
=150°C
10
T
A
=125°C
10
5
1
1
10
100
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
（注三）
0
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图13 ：功率降容（注F）
25
50
150
20
10000
T
A
=25°C
额定电流我
D
(A)
15
功率（W）的
1000
10
100
17
5
2
10
5
10
0
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图14 ：电流降评级（注F）
25
50
150
1
1E-05
0.1
10
0
1000
脉冲宽度（S ）
18
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
0.001
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
T
5/6
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