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AON7401
P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AON7401 / L采用先进沟道技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和超低低栅极
充电用25V的栅极评级。此装置适用于
用作负载开关或PWM应用。
AON7401和AON7401L是电相同。
-RoHS标准
-AON7401L是无卤
特点
V
DS
(V) = -30V
(V
GS
= -10V)
I
D
= -9A
R
DS ( ON)
< 14mΩ (V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 36mΩ (V
GS
= -4.5V)
3×3 DFN
顶视图
底部视图
D
销1
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
B,G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
功耗
功耗
B
C
最大
-30
±25
-20
-20
-80
-9
-7
27
11
1.6
1
-55到150
单位
V
V
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
A
I
D
I
DM
I
帝斯曼
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
W
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
D
°C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
30
60
4
最大
40
75
4.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AON7401
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ,我
D
=-9A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-5A
正向跨导
V
DS
= -5V ,我
D
=-10A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1.7
-80
11
14
28
27
-0.7
-1
-3
2060
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
370
295
2.4
30
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,我
D
=-9A
4.6
10
11
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,R
L
=1.6,
R
=3
I
F
= -9A ,的di / dt = 500A / μs的
9.4
24
12
14
35
18
3.6
39
2600
14
17
36
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
m
-2.2
-30
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -9A ,的di / dt = 500A / μs的
答: R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
= 25°C 。功耗P
帝斯曼
和电流额定值我
帝斯曼
基于T
J(下最大)
= 150 ° C,采用稳态结到环境的热阻。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用结到外壳的热阻,并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
150
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
2
F.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
REV0 : 2008年6月
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AON7401
典型的电气和热特性
80
-10V
60
-I
D
(A)
-6V
-5V
-4.5V
40
-4V
20
V
GS
=-3.5V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性
20
125°C
25°C
60
80
V
DS
=-5V
-I
D
(A)
归一化的导通电阻
40
45
40
35
R
DS ( ON)
(m
)
30
25
20
15
10
5
0
5
10
15
20
V
`
GS
=-10V
V
GS
=-4.5V
1.6
V
GS
=-10V
I
D
=-9A
1.4
1.2
1
V
GS
=-4.5V
I
D
=-5A
0.8
0.6
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
30
I
D
=-9A
25
R
DS ( ON)
(m
)
150
10
1
0.1
125°C
-I
S
(A)
20
0.01
0.001
0.0001
25°C
0.00001
2
4
6
8
10
0.0
125°C
25°C
15
10
5
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
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AON7401
典型电气和热特性
S
10
8
-V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
3000
V
DS
=-15V
I
D
=-9A
电容(pF)
2500
2000
1500
1000
500
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
国际空间站
V
DS
=V
GS
I
D
=1mA
1.4
50
OSS
C
1.8
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
100
50
10s
100s
功率(W)的
1ms
40
30
20
10
0
0.001
800
140
80
0.5
15
7
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
220
140
10
-I
D
(安培)
1
R
DS ( ON)
有限
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
DC
0.1
10ms
0.1s
1s
10s
0.01
10
100
-V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
0.01
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
P
D
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
0.01
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
T
on
单身
性能和可靠性,恕不另行通知脉冲
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
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    AON7401L
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    -
    -
    -
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AON7401L
AOS/万代
20+
16800
DFN3x3EP
全新原装正品/质量有保证
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电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
AON7401L
AOS/万代
2024
16880
15PBF
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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24+
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8-PowerVDFN
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:吴
地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
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AOS
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联系人:陈先生
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AOS
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联系人:钟彩香
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联系人:李
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