AON7200
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.3
146
6.7
9.2
9
60
0.7
1
30
870
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
340
22
0.4
12
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
5
2
1.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
10
20
1090
490
38
0.9
16
7
2.5
2.5
5
2
16
2
13
25
16
30
1300
640
53
1.4
20
9
3
3.5
8
11
11
1.85
民
30
1
5
100
2.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
t
≤
10秒值和150℃的最大允许结温。在任何给定的值
应用程序依赖于用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
第5版： 2011年7月
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第2 6
AON7200
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
9
12
15
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
3
6
18
0
0
10
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
30
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
8
V
GS
（伏）
6
4
2
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10s
500
10s
功率（W）的
400
300
200
100
0
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
DC
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
10.0
100s
1ms
1s
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
100
0.00001 0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
第5版： 2011年7月
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第4 6
AON7200
典型的电气和热特性
100
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
功耗（ W）
30
25
20
15
10
5
0
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
（注三）
0
75
100
125
T
例
(°C)
°
图13 ：功率降容（注F）
25
50
150
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=150°C
T
A
=125°C
10
0.000001
50
1000
T
A
=25°C
40
额定电流我
D
(A)
100
30
20
功率（W）的
10
10
0
0
50
75
100
125
T
例
(°C)
°
图14 ：电流降评级（注F）
25
150
1
0.0001 0.001
0.1
1
10
100 1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
0.01
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
0.01
P
D
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
第5版： 2011年7月
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分页： 5 6
AON7200
30V N沟道MOSFET
概述
该AON7200采用沟槽MOSFET技术，具有独特的优化，以提供最有效的喜GH
高频开关性能。传导和开关损耗被最小化，由于到极低
的R组合
DS （ ON）
和的Crss 。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
30V
40A
< 8mΩ
< 11MΩ
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
D
顶视图
1
2
3
4
8
7
6
5
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
30
±20
40
31
146
15.8
12.7
28
39
62
25
3.1
2
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
C
T
C
=25°
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
30
60
1.6
最大
40
75
2
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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AON7200
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.3
146
6.7
9.2
9
60
0.7
1
30
870
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
340
22
0.4
12
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
5
2
1.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
10
20
1090
490
38
0.9
16
7
2.5
2.5
5
2
16
2
13
25
16
30
1300
640
53
1.4
20
9
3
3.5
8
11
11
1.85
民
30
1
5
100
2.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
t
≤
10秒值和150℃的最大允许结温。在任何给定的值
应用程序依赖于用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
2/6
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AON7200
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
9
12
15
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
3
6
18
0
0
10
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
30
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
8
V
GS
（伏）
6
4
2
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10s
500
10s
功率（W）的
400
300
200
100
0
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
DC
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
10.0
100s
1ms
1s
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
100
0.00001 0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4/6
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AON7200
典型的电气和热特性
100
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
功耗（ W）
30
25
20
15
10
5
0
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
（注三）
0
75
100
125
T
例
(°C)
°
图13 ：功率降容（注F）
25
50
150
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=150°C
T
A
=125°C
10
0.000001
50
1000
T
A
=25°C
40
额定电流我
D
(A)
100
30
20
功率（W）的
10
10
0
0
50
75
100
125
T
例
(°C)
°
图14 ：电流降评级（注F）
25
150
1
0.0001 0.001
0.1
1
10
100 1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
0.01
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
0.01
P
D
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
5/6
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