AON6922
25V双路非对称N沟道MOSFET
概述
该AON6922的目的是提供一种高效率
以优化布局的同步降压功率级和
电路板空间的利用率。它包括两个专业
MOSFET的采用双电源DFN5x6A包。在Q1
"High Side" MOSFET的设计，以尽量减少开关
损失。第二季度"Low Side" MOSFET是专为低
R
DS （ ON）
以减少传导损耗。该AON6922是
非常适合于紧凑型DC / DC转换器的使用
应用程序。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
100 ％ UIS测试
100 ％通过Rg测试
Q1
25V
71A
<3.8m
<4.8m
Q2
25V
85A
<1.4m
<1.8m
DFN5X6A
顶视图
S2
S2
S2
底部视图
G2
(S1/D2)
D1
D1
D1
G1
D1
顶视图
底部视图
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
最大Q1
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大Q2
25
±12
85
66
420
31
25
78
304
104
41.5
2.2
1.4
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
71
44
240
18
14
40
80
31
12.5
2
1.3
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型Q1
25
50
3.1
典型Q2
20
45
0.9
最大Q1 Q2最大
30
25
60
55
4
1.2
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
版本1 ： 2011年4月
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分页： 10 1
AON6922
Q1电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=25V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
0.7
240
3
4.3
3.7
125
0.7
1
30
1560
V
GS
=0V, V
DS
= 12.5V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
530
20
0.7
21
V
GS
=10V, V
DS
= 12.5V ，我
D
=20A
9
1950
755
70
1.4
26.5
11.2
2.7
4
5.5
V
GS
=10V, V
DS
=12.5V,
R
L
=1.25, R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
12
20
3.5
30
4
15
25
18
30
2340
980
120
2.1
32
13.4
3.8
5.4
4.8
1.2
民
25
1
5
100
1.7
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温在任何给定应用的值取决于
C.
用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
C,
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
C.
初始的T
J
=25°
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1平方英寸FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境与环境温度为25 °
C.
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
版本1 ： 2011年4月
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第10 2
AON6922
Q1 - CHANNEL ：典型的电气和热性能
10
V
DS
=12.5V
I
D
=20A
8
电容（pF）
2000
2500
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
1500
4
1000
C
OSS
2
500
C
RSS
0
0
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
30
0
0
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
25
1000.0
100.0
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
200
10us
R
DS （ ON）
有限
100us
功率（W）的
160
120
80
40
0
0.0001
T
J（下最大）
=150°
C
T
C
=25°
C
I
D
（安培）
1ms
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
10ms
0.001
0.01
0.1
1
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
R
θJC
=4°
C / W
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
版本1 ： 2011年4月
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第10 4
AON6922
Q1 - CHANNEL ：典型的电气和热性能
100
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
T
A
=25°
C
功耗（ W）
T
A
=100°
C
T
A
=125°
C
T
A
=150°
C
30
40
20
10
10
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
（注三）
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°
C)
图13 ：功率降容（注F）
80
70
额定电流我
D
(A)
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°
C)
图14 ：电流降评级（注F）
10000
T
A
=25°
C
1000
功率（W）的
100
17
5
2
10
10
0
1
脉冲
0.1
宽度（S ）
10
18
0.00001
0.001
1000
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=60°
C / W
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
10
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
版本1 ： 2011年4月
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第10个5
QQ：2880707522 复制
