AON6908A
30V双路非对称N沟道MOSFET
概述
该AON6908A的目的是提供一种高效率
以优化布局的同步降压功率级和
电路板空间的利用率。它包括两个专业
MOSFET的采用双电源DFN5x6包。第一季度"High
Side" MOSFET被desgined到minimze开关损耗。
第二季度"Low Side" MOSFET是一种SRFET ，具有
低R
DS （ ON）
以减少传导损耗以及一个
集成肖特基二极管的低Q
RR
和V
f
减少
开关损耗。该AON6908A是非常适合于使用
紧凑型DC / DC转换器应用。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
100 ％ UIS测试
100 ％通过Rg测试
Q1
30V
46A
<8.9m
<12.5m
Q2
30V
80A
<3.6m
<4.5m
DFN5X6
顶视图
底部视图
PIN1
顶视图
底部视图
底部视图
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
最大Q1
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
V
DS
穗
功耗
功耗
B
C
C
最大Q2
30
±12
80
62
200
17
13.5
40
80
36
78
31
2.1
1.3
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
V
穗
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
100ns
C
T
C
=25°
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
±20
46
28
100
11.5
9
27
36
36
31
12
1.9
1.2
A
A
mJ
V
W
W
°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型Q1
29
56
3.3
典型Q2
24
50
1.2
最大Q1 Q2最大
35
29
67
60
4
1.6
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
REV0 ： 2010年9月
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分页： 11 1
AON6908A
Q1电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=11.5A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=11.5A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=11.5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.3
100
7.4
11.1
10
50
0.7
1
34
680
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
260
18
0.7
10
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=11.5A
4.6
1.6
1.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 11.5A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
1.8
2.4
8.9
13.4
12.5
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
850
380
30
1.4
12.5
5.7
2
2.6
5
9.5
18.5
4
8
13
10.5
17.2
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1110
540
51
2.1
15
6.9
2.4
3.6
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 11.5A ，的di / dt = 500A / μs的
13
21
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温在任何给定应用的值取决于
C.
用户的特定电路板设计。
C,
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
初始的T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
G.最大电流等级包是有限的。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境与环境温度为25 °
C.
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
冯0 ： 2010年9月
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第11 2
AON6908A
Q1 - CHANNEL ：典型的电气和热性能
10
V
DS
=15V
I
D
=11.5A
电容（pF）
1400
1200
C
国际空间站
1000
800
600
400
200
0
0
6
8
10
12
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
4
14
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
RSS
C
OSS
8
V
GS
（伏）
6
4
2
1000.0
100.0
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
200
160
100us
1ms
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
功率（W）的
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
10s
120
80
40
0
0.0001
T
J（下最大）
=150°
C
C
T
C
=25°
0.001
0.01
0.1
1
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=4°
C / W
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
冯0 ： 2010年9月
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第11 4
AON6908A
Q1 - CHANNEL ：典型的电气和热性能
100.0
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
35
30
功耗（ W）
25
20
15
10
5
10.0
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力（注
C)
0
0
25
75
100
125
T
例
(°
C)
图13 ：功率降容（注F）
50
150
T
A
=25°
C
T
A
=100°
C
T
A
=125°
C
T
A
=150°
C
50
40
10000
T
A
=25°
C
1000
额定电流我
D
(A)
功率（W）的
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°
C)
图14 ：电流降评级（注F）
100
17
5
2
10
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
0
18
1000
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=67°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
T
on
0.01
T
冯0 ： 2010年9月
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第11个5
QQ：2880707522 复制
