AON6758
30V N通道AlphaMOS
概述
最新的沟槽功率AlphaMOS （ αMOS LV ）技术
集成的肖特基二极管（ SRFET ）
非常低的RDS（on ），在4.5V
GS
低栅极电荷
高电流能力
符合RoHS和无卤素标准
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
30V
32A
< 3.6mΩ
< 5mΩ的
应用
在电脑，服务器和POL DC / DC转换器
在电信和工业隔离DC / DC转换器
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
DFN5X6
顶视图
顶视图
底部视图
1
2
3
4
8
7
6
5
D
SRFET
TM
软恢复
MOSFET ：
集成肖特基二极管
G
PIN1
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.05mH
V
DS
穗
功耗
功耗
B
C
C
最大
30
±20
32
25
128
27
21
50
63
36
41
16
4.1
2.6
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
V
穗
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
100ns
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
A
mJ
V
W
W
°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
24
53
2.6
最大
30
64
3
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
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AON6758
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 10毫安，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=125°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
G
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
0.5
100
100
1.4
T
J
=125°
C
1.8
3
3.9
3.9
85
0.48
0.6
32
1975
2.4
3.6
4.7
5
mA
nA
V
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
0.7
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
913
92
1.5
29.0
2.3
40
19
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
13.6
5.8
5.3
7.9
4.0
27.3
6.5
19
36.7
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.单脉冲宽度有限的结点温度T
J（下最大）
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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第2 6
AON6758
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
3000
2500
C
国际空间站
2000
1500
1000
C
OSS
500
0
0
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
30
0
C
RSS
10
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
30
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
1000.0
100.0
10s
500
400
功率（W）的
R
DS （ ON）
I
D
（安培）
10.0
10s
100s
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
300
200
100
0
DC
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
1ms
100ms
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
17
5
2
10
100
0.0001
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
（注六）
0.001
0.01
0.1
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
R
θJC
=3°C/W
40
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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第4 6
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典型的电气和热特性
50
40
功耗（ W）
40
额定电流我
D
(A)
0
75
100
125
T
例
(°C)
°
图12 ：功率降容（注F）
25
50
150
30
30
20
20
10
10
0
0
0
50
75
100
125
T
例
(°C)
°
图13 ：电流降评级（注F）
25
150
10000
T
A
=25°C
1000
功率（W）的
100
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注高）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
R
θJA
=64°C/W
0.1
P
D
单脉冲
T
on
T
0.01
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
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