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AON6536
30V N沟道MOSFET
概述
该AON6536结合了先进的沟槽MOSFET
技术具有低电阻包提供
非常低R
DS ( ON)
。该器件非常适用于负荷开关
和电池保护的应用程序。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=4.5V)
100 % UIS测试
100 %通过Rg测试
30V
55A
< 7MΩ
<为10mΩ
DFN5X6
顶视图
底部视图
1
2
3
4
顶视图
D
8
7
6
5
G
S
PIN1
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.05mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
30
±20
55
35
135
22
17.5
35
31
35.5
14
5.5
3.6
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
10s
稳态
稳态
典型值
18
40
2.8
最大
22
55
3.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
R
θJA
R
θJC
REV0 : 2012年8月
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第1页6
AON6536
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ,我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.5
135
5.6
8.6
7.8
58
0.72
1
40
1210
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
0.6
210
100
1.2
19.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,我
D
=20A
9
4.5
3.5
6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=0.75,
R
=3
I
F
= 20A ,的di / dt = 500A / μs的
1in
2
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
2.0
2.5
7
11
10
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1.8
30
15
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ,的di / dt = 500A / μs的
3
21.5
3
9
13
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
T≤ 10秒和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值
取决于用户的具体电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用结到外壳的热阻,并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.单脉冲宽度有限的结点温度T
J(下最大)
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 %最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设一个
的T最大结温
J(下最大)
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
REV0 : 2012年8月
www.aosmd.com
第2 6
AON6536
CHANNEL :典型的电和热性能
60
4.5V
50
40
I
D
(A)
30
20
10
V
GS
=2.5V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特性(注五)
3V
6V
10V
I
D
(A)
3.5V
50
40
30
125°C
20
10
0
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性(注五)
25°C
60
V
DS
=5V
12
10
V
GS
=4.5V
R
DS ( ON)
(m)
8
6
4
2
0
5
10
15
20
25
30
V
GS
=10V
归一化的导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压(注五)
25
50
75
100
125
150
175
V
GS
=10V
I
D
=20A
17
5
2
V
GS
=4.5V
10
I
D
=20A
0
温度( δ
C)
图4 :导通电阻与结温
18
(注五)
15
I
D
=20A
1.0E+02
1.0E+01
12
125°C
R
DS ( ON)
(m)
9
I
S
(A)
1.0E+00
40
125°C
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
2
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
(注五)
4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
25°C
6
25°C
3
0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的特性(注五)
REV0 : 2012年8月
www.aosmd.com
第3页6
AON6536
CHANNEL :典型的电和热性能
10
V
DS
=15V
I
D
=20A
8
电容(pF)
1800
1500
C
国际空间站
1200
900
600
300
0
0
10
15
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
5
20
0
C
RSS
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
OSS
V
GS
(伏)
6
4
2
0
1000.0
100.0
200
160
功率(W)的
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
I
D
(安培)
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
R
DS ( ON)
有限
DC
10s
100us
1ms
10ms
120
80
40
0
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
0.1
1
V
DS
(伏)
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
图9 :最大正向偏置
安全工作区(注F)
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3.5°C/W
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
REV0 : 2012年8月
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第4 6
AON6536
CHANNEL :典型的电和热性能
1000
I
AR
(A )峰值雪崩电流
40
35
功耗( W)
30
25
20
15
10
5
1
10
100
1000
在雪崩时间t
A
(s)
图12 :单脉冲雪崩能力
(注三)
1
0
0
75
100
125
T
(°C)
°
图13 :功率降容(注F)
25
50
150
T
A
=25°C
100
T
A
=100°C
T
A
=150°C
10
T
A
=125°C
60
50
额定电流我
D
(A)
10000
T
A
=25°C
1000
功率(W)的
40
30
20
100
10
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
(°C)
°
图14 :电流降评级(注F)
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度(S )
图15 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注高)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=55°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图16 :归最大瞬态热阻抗(注高)
T
on
T
REV0 : 2012年8月
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AON6536
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AON6536
AOS/万代
21+
18600
DFN
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-82780082
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
AON6536
AOS(万代)
23+
18000
N/A
只做原装 正品现货
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电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
AON6536
AOS/万代
24+
30000
原装正品,可含税供应。品质保障
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电话:0755-82812004/82811605
联系人:朱先生
地址:广东深圳福田区华强北上步工业区405栋6楼607
AON6536
AOS
24+
72370
DFN5x6
百分百原装进口现货
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电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
AON6536
AOS
2022
345860
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AON6536
A0S
21+22+
12600
DFN5x6D
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
AON6536
A0S
13+
11255
DFN5x6D
原装正品,支持实单
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电话:171-4729-0036(微信同号)
联系人:卢小姐,171-4729-0036微信同号,无线联通更快捷
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AON6536
AOS
24+
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AOS/ 万代
2443+
23000
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AOS
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