AON6458
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
810
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
110
5
1.9
17
V
GS
=10V, V
DS
= 200V ，我
D
=10A
1028
167
11
3.9
22
6.3
8
28
V
GS
=10V, V
DS
= 125V ，我
D
=10A,
R
G
=25
I
F
=10A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
125
0.8
57
65
40
158
1
190
1.2
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=250V, V
GS
=0V
V
DS
= 200V ，T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V ，我
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
DS
= 40V ，我
D
=10A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3.2
3.8
0.14
16
0.72
1
14
42
1240
225
17
5.9
27
250
300
0.25
1
10
±100
4.5
0.17
V
V/
o
C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=10A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量其上安装有1中的装置
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
t
≤
10秒值和150℃的最大允许结温。在任何给定的值
应用程序依赖于用户的特定电路板设计。
B.功耗PD是基于T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温
T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.These测试与安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
H. L = 60mH ，我
AS
= 4.5A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
REV0 ： 2011年6月
www.aosmd.com
第2 6
AON6458
典型的电气和热特性
15
V
DS
=200V
I
D
=10A
电容（pF）
10000
C
国际空间站
1000
12
V
GS
（伏）
9
100
C
OSS
6
3
10
C
RSS
1
0
15
20
25
30
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
35
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
0
100
10s
400
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
300
100s
R
DS （ ON）
有限
DC
功率（W）的
1000
10
I
D
（安培）
1
1ms
10ms
0.1s
200
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
100
100
0.01
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T
on
T
1
10
100
0.01
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
REV0 ： 2011年6月
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第2 6
AON6458
典型的电气和热特性
100
15
功耗（ W）
80
额定电流我
D
(A)
0
25
50
75
100
125
150
12
60
9
40
6
20
3
0
T
例
(°C)
°
图12 ：功率降容（注二）
0
0
75
100
125
T
例
(°C)
°
图13 ：电流降评级（注二）
25
50
150
300
250
200
功率（W）的
150
100
50
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注七）
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=64°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注G）
REV0 ： 2011年6月
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第2 6
AON6458
250V ， 14A N沟道MOSFET
概述
该AON6458是使用被设计用于提供高水平的先进的高电压MOSFET的工艺制造
在流行的AC- DC性能和鲁棒性applications.By提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着
保证雪崩能力，该设备可以通过迅速进入新的和现有的离线电源
designs.This器件理想用于升压转换器和同步整流器的消费，电信，工业
电源和LED背光。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
300V@150℃
14A
< 0.17Ω
g
顶视图
1
2
3
4
8
7
6
5
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
B
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
重复性雪崩能量
C
H
C
最大
250
±30
14
8.8
42
2.2
1.7
4.5
304
608
5
83
33
2
1.25
-50-150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W
W
°C
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°C
功耗
B
功耗
A
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
T = 10秒
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
24
53
1
最大
30
64
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
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AON6458
250V ， 14A N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
810
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
110
5
1.9
17
V
GS
=10V, V
DS
= 200V ，我
D
=10A
1028
167
11
3.9
22
6.3
8
28
V
GS
=10V, V
DS
= 125V ，我
D
=10A,
R
G
=25
I
F
=10A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
125
0.8
57
65
40
158
1
190
1.2
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=250V, V
GS
=0V
V
DS
= 200V ，T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V ，我
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
DS
= 40V ，我
D
=10A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3.2
3.8
0.14
16
0.72
1
14
42
1240
225
17
5.9
27
250
300
0.25
1
10
±100
4.5
0.17
V
V/
o
C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=10A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量其上安装有1中的装置
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
t
≤
10秒值和150℃的最大允许结温。在任何给定的值
应用程序依赖于用户的特定电路板设计。
B.功耗PD是基于T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温
T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.These测试与安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
H. L = 60mH ，我
AS
= 4.5A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
2/6
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AON6458
250V ， 14A N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
15
V
DS
=200V
I
D
=10A
电容（pF）
10000
C
国际空间站
1000
12
V
GS
（伏）
9
100
C
OSS
6
3
10
C
RSS
1
0
15
20
25
30
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
35
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
0
100
10s
400
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
300
100s
R
DS （ ON）
有限
DC
功率（W）的
1000
10
I
D
（安培）
1
1ms
10ms
0.1s
200
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
100
100
0.01
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T
on
T
1
10
100
0.01
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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典型的电气和热特性
100
15
功耗（ W）
80
额定电流我
D
(A)
0
25
50
75
100
125
150
12
60
9
40
6
20
3
0
T
例
(°C)
°
图12 ：功率降容（注二）
0
0
75
100
125
T
例
(°C)
°
图13 ：电流降评级（注二）
25
50
150
300
250
200
功率（W）的
150
100
50
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注七）
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=64°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注G）
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