AON6448
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=80V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 7V ，我
D
=10A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=10A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
2.7
140
7.9
13.3
9.6
30
0.65
1
85
2100
V
GS
=0V, V
DS
= 40V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
240
70
0.4
35
V
GS
=10V, V
DS
= 40V ，我
D
=10A
11
8
V
GS
=10V, V
DS
= 40V ，R
L
=4,
R
根
=3
I
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
80
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
10
50
100
3.2
3.7
9.6
16
12
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
G
2600
340
120
0.8
44
14
14
18
10
24.5
5.2
12
45
17
65
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
3100
440
170
1.2
53
17
20
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
22
85
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温在任何给定应用的值取决于
C.
对用户的特定板的设计，和150°的最大温度可以被使用，如果在PCB允许这样。
C
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
C,
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
初始的T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
C.
假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
G.最大电流等级包是有限的。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°
C.
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
启3 ： 2011年4月
www.aosmd.com
第2 7
AON6448
典型的电气和热特性
10
V
DS
=40V
I
D
=10A
8
电容（pF）
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
30
40
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
20
50
0
0
C
RSS
30
40
50
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
20
60
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
4
2
1000.0
100.0
10s
400
10s
100s
360
320
280
功率（W）的
240
200
160
120
80
40
0
T
J（下最大）
=150°
C
T
C
=25°
C
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
R
DS （ ON）
有限
DC
1ms
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
17
5
2
10
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0.0001
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
1
R
θJC
=1.5°
C / W
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
0.001
0.01
0.1
1
10
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
启3 ： 2011年4月
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第4 7
AON6448
典型的电气和热特性
60
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
50
功耗（ W）
T
A
=25°
C
40
30
20
10
0
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力（注
C)
T
A
=150°
C
T
A
=100°
C
T
A
=125°
C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°
C)
图13 ：功率降容（注F）
80
70
额定电流我
D
(A)
60
10000
T
A
=25°
C
1000
功率（W）的
50
40
30
100
10
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°
C)
图14 ：电流降评级（注F）
17
5
2
10
1
0.0001
0.01
1
100
10000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
0
18
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=50°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
100
1000
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
启3 ： 2011年4月
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第5页第7
AON6448
80V N沟道MOSFET
概述
该AON6448是用纤维制作SDMOS
TM
沟槽技术，结合优秀的研发
DS （ ON）
低门
charge.The结果是出色的效率与控制的开关行为。这种普遍的技术是很好
适用于PWM ，负荷开关和一般用途的应用。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 7V)
80V
65A
< 9.6mΩ
< 12mΩ
D
顶视图
1
2
3
4
8
7
6
5
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
80
±25
65
41
138
11
9.0
50
125
83
33
2.5
1.6
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
14
40
1
最大
17
50
1.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/7
www.freescale.net.cn
AON6448
80V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=80V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 7V ，我
D
=10A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=10A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
2.7
140
7.9
13.3
9.6
30
0.65
1
85
2100
V
GS
=0V, V
DS
= 40V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
240
70
0.4
35
V
GS
=10V, V
DS
= 40V ，我
D
=10A
11
8
V
GS
=10V, V
DS
= 40V ，R
L
=4,
R
根
=3
I
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
80
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
10
50
100
3.2
3.7
9.6
16
12
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
G
2600
340
120
0.8
44
14
14
18
10
24.5
5.2
12
45
17
65
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
3100
440
170
1.2
53
17
20
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
22
85
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温在任何给定应用的值取决于
C.
对用户的特定板的设计，和150°的最大温度可以被使用，如果在PCB允许这样。
C
C,
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
初始的T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
G.最大电流等级包是有限的。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°
C.
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
2/7
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AON6448
80V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=40V
I
D
=10A
8
电容（pF）
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
30
40
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
20
50
0
0
C
RSS
30
40
50
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
20
60
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
4
2
1000.0
100.0
10s
400
10s
100s
360
320
280
功率（W）的
240
200
160
120
80
40
0
T
J（下最大）
=150°
C
T
C
=25°
C
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
R
DS （ ON）
有限
DC
1ms
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
17
5
2
10
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0.0001
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
1
R
θJC
=1.5°
C / W
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
0.001
0.01
0.1
1
10
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4/7
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80V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
60
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
50
功耗（ W）
T
A
=25°
C
40
30
20
10
0
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力（注
C)
T
A
=150°
C
T
A
=100°
C
T
A
=125°
C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°
C)
图13 ：功率降容（注F）
80
70
额定电流我
D
(A)
60
10000
T
A
=25°
C
1000
功率（W）的
50
40
30
100
10
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°
C)
图14 ：电流降评级（注F）
17
5
2
10
1
0.0001
0.01
1
100
10000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
0
18
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=50°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
100
1000
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
5/7
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