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AON6290
100V N沟道MOSFET
概述
该AON6290采用沟槽MOSFET技术，是
独特的优化，为客户提供最有效的高
高频开关性能。两者的传导和
开关功率损耗是由于最小化到一个
的R极低组合
DS （ ON）
，西塞和科斯。
该器件非常适合于升压转换器和同步
整流器消费，电信，工业电源
而LED背光源。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=6V)
100V
85A
< 4.6mΩ
< 6.2mΩ
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
DFN5X6
顶视图
底部视图
1
2
3
4
顶视图
D
8
7
6
5
G
S
PIN1
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
100
±20
85
67
260
28
23
60
180
208
83
7.3
4.7
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
C
T
C
=100°
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
14
40
0.3
最大
17
55
0.6
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
冯0 ： 2012年7月
www.aosmd.com
第1页6
AON6290
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 6V ，我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
G
民
100
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
2.2
260
3.8
T
J
=125°
C
6.5
4.7
70
0.7
1
85
4600
4.6
7.9
6.2
2.8
3.4
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
0.3
V
GS
=0V, V
DS
= 50V ， F = 1MHz的
415
27
0.75
63
1.2
90
40
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
V
GS
=10V, V
DS
= 50V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
V
GS
=10V, V
DS
= 50V ，我
D
=20A
28.5
17
10
14.5
5.5
37
7.5
40
230
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
t
≤
10秒和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值
取决于用户的具体电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
冯0 ： 2012年7月
www.aosmd.com
第2 6
AON6290
典型的电气和热特性
120
10V
100
80
60
I
D
(A)
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特性（注五）
8
归一化的导通电阻
V
GS
=4.0V
20
I
D
(A)
5V
6V
4.5V
80
100
V
DS
=5V
40
125°C
25°C
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性（注五）
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
15
20
25
30
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和门
电压（注五）
5
10
0
25
50
75
100
125
150
175
V
GS
=10V
I
D
=20A
6
R
DS （ ON）
(m)
V
GS
=6V
4
V
GS
=10V
2
V
GS
I
D
=20A
17
5
2
=6V
10
0
0
温度（ δ
C)
图4 ：导通电阻与结温
18
（注五）
12
I
D
=20A
10
8
R
DS （ ON）
(m)
6
4
25°C
2
0
2
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
（注五）
4
125°C
I
S
(A)
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
125°C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的特性（注五）
25°C
40
冯0 ： 2012年7月
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第3页6
AON6290
典型的电气和热特性
10
V
DS
=50V
I
D
=20A
8
电容（pF）
6000
5000
4000
3000
C
OSS
2000
1000
0
0
30
40
50
60
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
20
70
0
40
60
80
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
20
100
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
4
2
C
RSS
0
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
100
1000
10s
10s
功率（W）的
1000
800
600
400
200
0
0.0001
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
有限
DC
100s
1ms
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
17
5
2
10
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注F）
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
（注六）
0.001
0.01
0.1
1
10
100
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.6°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
1
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
0.01
1E-06
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
冯0 ： 2012年7月
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第4 6
AON6290
典型的电气和热特性
1000
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
T
A
=25°C
100
T
A
=150°C
10
T
A
=125°C
300
T
A
=100°C
250
200
150
100
50
1
1
10
100
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
（注三）
1000
0
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图13 ：功率降容（注F）
25
50
150
功耗（ W）
100
10000
T
A
=25°C
1000
80
额定电流我
D
(A)
功率（W）的
60
100
40
17
5
2
10
10
20
0
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图14 ：电流降评级（注F）
25
50
150
1
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
0
100
1000
脉冲宽度（S ）
18
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
R
θJA
=55°C/W
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
冯0 ： 2012年7月
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