AON6234
40V N沟道MOSFET
概述
该AON6234采用沟槽MOSFET技术，具有独特的优化，以提供最有效的喜GH
高频开关performance.Power损失由于最小化，以极低的组合
R
DS （ ON）
和Crss.In此外，开关性能得到很好的控制了"Schottky style"软恢复博DY
二极管。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
40V
85A
< 3.4mΩ
< 5.0mΩ
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
顶视图
1
2
3
4
D
8
7
6
5
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
C
C
最大
40
±20
85
67
220
20
15
50
125
83
33
2.3
1.4
-55到150
单位
V
V
A
T
C
=25°
C
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
A
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
14
40
1.1
最大
17
55
1.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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AON6234
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=40V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
G
1865
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
425
13
0.4
25
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=20A
10
C
T
J
=125°
1.4
220
2.7
4.2
3.9
90
0.7
1
85
2335
612
45
0.8
33.5
15
7
4.5
8
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
民
40
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
1.9
2.4
3.4
5.2
5.0
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2805
795
77
1.2
41
20
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
3
26
4
12
33
17.5
47.5
23
62
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25 ℃。
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温在任何给定应用的值取决于
用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25 C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 150 ℃。 SOA的曲线提供了单个脉冲的评价。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25 C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
2/6
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AON6234
典型的电气和热特性
10
V
DS
=20V
I
D
=20A
8
电容（pF）
2000
1600
C
OSS
1200
800
400
0
0
15
20
25
30
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
35
0
0
15
20
25
30
35
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
40
C
RSS
2800
2400
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
4
2
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
10s
200
160
10s
功率（W）的
T
J（下最大）
=150
T
C
=25 C
C
R
DS （ ON）
有限
DC
100s
1ms
10ms
120
80
40
0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
T
J（下最大）
=150
T
C
=25 C
C
17
5
2
10
100
0.0001
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注F）
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
（注六）
0.001
0.01
0.1
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
R
θJC
=1.5
C / W
40
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4/6
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AON6234
典型的电气和热特性
1000
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
T
A
=25
100
T
A
=150
C
C
功耗（ W）
1000
T
A
=100
C
80
100
60
10
T
A
=125
C
40
20
1
1
10
100
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
（注三）
0
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图13 ：功率降容（注F）
25
50
150
100
10000
T
A
=25
C
80
额定电流我
D
(A)
功率（W）的
1000
60
100
40
17
5
2
10
10
20
0
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图14 ：电流降评级（注F）
25
50
150
1
0.00001
0.001
0.1
10
0
1000
脉冲宽度（S ）
18
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
R
θJA
=55
C / W
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
5/6
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AON6234
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=40V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
G
1865
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
425
13
0.4
25
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=20A
10
T
J
=125°
C
1.4
220
2.7
4.2
3.9
90
0.7
1
85
2335
612
45
0.8
33.5
15
7
4.5
8
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
12
33
3
26
4
17.5
47.5
23
62
2805
795
77
1.2
41
20
3.4
5.2
5.0
1.9
民
40
1
5
100
2.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25 ℃。
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温在任何给定应用的值取决于
用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25 C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 150 ℃。 SOA的曲线提供了单个脉冲的评价。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25 C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
冯0 ： 2011年8月
www.aosmd.com
第2 6
AON6234
典型的电气和热特性
10
V
DS
=20V
I
D
=20A
8
电容（pF）
2000
1600
C
OSS
1200
800
400
0
0
15
20
25
30
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
35
0
0
15
20
25
30
35
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
40
C
RSS
2800
2400
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
4
2
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
10s
200
160
10s
功率（W）的
T
J（下最大）
=150
T
C
=25 C
C
R
DS （ ON）
有限
DC
100s
1ms
10ms
120
80
40
0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
T
J（下最大）
=150
T
C
=25 C
C
17
5
2
10
100
0.0001
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注F）
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结到外壳
（注六）
0.001
0.01
0.1
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
R
θJC
=1.5
C / W
40
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
冯0 ： 2011年8月
www.aosmd.com
第4 6
AON6234
典型的电气和热特性
1000
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
T
A
=25
100
T
A
=150
C
C
功耗（ W）
1000
T
A
=100
C
80
100
60
10
T
A
=125
C
40
20
1
1
10
100
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
（注三）
0
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图13 ：功率降容（注F）
25
50
150
100
10000
T
A
=25
C
80
额定电流我
D
(A)
功率（W）的
1000
60
100
40
17
5
2
10
10
20
0
0
75
100
125
T
例
(°
C)
图14 ：电流降评级（注F）
25
50
150
1
0.00001
0.001
0.1
10
0
1000
脉冲宽度（S ）
18
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
R
θJA
=55
C / W
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
冯0 ： 2011年8月
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