AON6202
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.3
150
4.5
7
5.8
66
0.7
1
40
1450
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
500
38
0.3
21
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
10
3
2.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
1.8
2.3
5.5
8.5
7.5
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
1840
720
63
0.7
27
12
4.2
4.2
6.5
7
21
3.5
12
25
15
32
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2200
940
110
1.1
33
15
5
6
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
18
38
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温在任何给定应用的值取决于
C.
用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
C,
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
初始的T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
C.
假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°
C.
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
版本1 ： 2011年3月
www.aosmd.com
第2 6
AON6202
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
3000
2500
C
国际空间站
2000
1500
1000
500
0
0
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
30
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
8
V
GS
（伏）
6
4
2
C
RSS
0
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
10s
200
160
功率（W）的
120
80
40
0
0.0001
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1ms
10ms
T
J（下最大）
=150°
C
T
C
=25°
C
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
17
5
2
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3.5°
C / W
1
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
0.001
0.01
0.1
1
10
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
版本1 ： 2011年3月
www.aosmd.com
第4 6
AON6202
典型的电气和热特性
1000
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
40
功耗（ W）
T
A
=25°
C
100
T
A
=100°
C
30
20
T
A
=150°
C
T
A
=125°
C
10
10
1
10
100
1000
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力（注
C)
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°
C)
图13 ：功率降容（注F）
30
25
额定电流我
D
(A)
10000
T
A
=25°
C
1000
功率（W）的
20
15
10
5
100
10
17
5
2
10
1
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°
C)
图14 ：电流降评级（注F）
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
0
18
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=65°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
0.01
P
D
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
版本1 ： 2011年3月
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分页： 5 6
AON6202
30V N沟道MOSFET
概述
该AON6202采用沟槽MOSFET技术，具有独特的优化，以提供最有效的高
高频开关performance.Power损失由于最小化，以极低的R组合
DS （ ON）
和Crss.In此外，开关性能得到很好的控制了"Schottky style"软恢复体二极管。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
30V
24A
< 5.5mΩ
< 7.5mΩ
D
顶视图
1
2
3
4
8
7
6
5
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
30
±20
24
19
150
21
17
38
72
35
14
4.2
2.7
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
C
T
C
=100°
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
25
55
2.6
最大
30
65
3.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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AON6202
30V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.3
150
4.5
7
5.8
66
0.7
1
40
1450
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
500
38
0.3
21
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
10
3
2.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
1.8
2.3
5.5
8.5
7.5
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
1840
720
63
0.7
27
12
4.2
4.2
6.5
7
21
3.5
12
25
15
32
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2200
940
110
1.1
33
15
5
6
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
18
38
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温在任何给定应用的值取决于
C.
用户的特定电路板设计。
C,
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
初始的T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°
C.
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
2/6
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AON6202
30V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
3000
2500
C
国际空间站
2000
1500
1000
500
0
0
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
30
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
8
V
GS
（伏）
6
4
2
C
RSS
0
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
10s
200
160
功率（W）的
120
80
40
0
0.0001
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1ms
10ms
T
J（下最大）
=150°
C
T
C
=25°
C
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
17
5
2
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3.5°
C / W
1
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
0.001
0.01
0.1
1
10
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4/6
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30V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
1000
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
40
功耗（ W）
T
A
=25°
C
100
T
A
=100°
C
30
20
T
A
=150°
C
T
A
=125°
C
10
10
1
10
100
1000
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力（注
C)
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°
C)
图13 ：功率降容（注F）
30
25
额定电流我
D
(A)
10000
T
A
=25°
C
1000
功率（W）的
20
15
10
5
100
10
17
5
2
10
1
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°
C)
图14 ：电流降评级（注F）
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
0
18
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=65°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
0.01
P
D
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
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