AON5802B
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
= 0V时，我
G
=±250uA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7A
C
T
J
=125°
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.0V ，我
D
=5A
V
GS
= 3.1V ，我
D
=5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=4A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=7A
I
S
=1A,V
GS
=0V
±12
0.6
55
12
19
13
14
17
15.5
23.5
16
18
23
32
0.71
0.9
2.5
920
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
105
52
1.7
17.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=7A
7.5
2.9
2.5
320
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=2.1,
R
根
=3
I
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
550
4.35
2.4
21.6
10
26
420
2.5
24
10
1150
19
29
20
23
30
S
V
A
pF
pF
pF
k
nC
nC
nC
nC
ns
ns
s
s
ns
nC
m
1.1
1.5
民
30
1
5
10
典型值
最大
单位
V
A
A
V
V
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
BV
GSO
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅源击穿电压
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
(4.5V)
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
总栅极电荷
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°中的值
C.
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是根据稳态热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
C.
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25 °的SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
Rev5 ： July2011
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AON5802B
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=7A
1200
6
电容（pF）
C
国际空间站
V
GS
（伏）
1600
8
800
4
2
400
C
RSS
C
OSS
0
0
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
4
8
12
16
20
0
0
10
V（伏特）
20
15
25
DS
图8 ：电容特性
5
30
100.0
200
10.0
I
D
（安培）
10s
功率（W）的
100s
160
T
J（下最大）
=150°
C
T
A
=25°
C
120
1.0
R
DS （ ON）
有限
DC
T
J（下最大）
=150°
C
T
A
=25°
C
0.1
1ms
10ms
0.1s
1s
10s
80
40
1
V
DS
（伏）
10
100
0.0
0.01
0.1
0
1E-04 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注五）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
P
D
T
on
0.1
1
T
100
1000
0.0001
0.001
0.01
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AON5802B
常见的漏双N沟道增强
型场效应晶体管
概述
该AON5802B / L采用了先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作
同时保持一个12V 10V栅极电压低至2.5V
GS （ MAX）
投资评级。此装置适合于用作单向或双向
定向负荷开关，其常见的漏配置提供便利。
AON5802B和AON5802BL是电相同。
-RoHS
柔顺
-AON5802BL是无卤
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 7.2A （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 19毫欧（V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 20毫欧（V
GS
= 4.0V)
R
DS （ ON）
< 23毫欧（V
GS
= 3.1V)
R
DS （ ON）
< 30毫欧（V
GS
= 2.5V)
DFN 2X5
S2
S1
G1
S1
D1/D2
G1
S1
S2
S2
G1
S1
S1
S2
Rg
Rg
S2
D1
1
D2
1
G2
G2
顶视图
G2
底部视图
符号
V
DS
V
GS
最大
30
±12
7.2
5.6
55
1.6
1.0
-55到150
W
°
C
A
单位
V
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
30
61
4.5
最大
40
75
6
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/5
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AON5802B
常见的漏双N沟道增强
型场效应晶体管
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
= 0V时，我
G
=±250uA
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7A
C
T
J
=125°
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.0V ，我
D
=5A
V
GS
= 3.1V ，我
D
=5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=4A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=7A
I
S
=1A,V
GS
=0V
±12
0.6
55
12
19
13
14
17
15.5
23.5
16
18
23
32
0.71
0.9
2.5
920
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
105
52
1.7
17.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=7A
7.5
2.9
2.5
320
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=2.1,
R
根
=3
I
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
550
4.35
2.4
21.6
10
26
420
2.5
24
10
1150
19
29
20
23
30
S
V
A
pF
pF
pF
k
nC
nC
nC
nC
ns
ns
s
s
ns
nC
m
1.1
1.5
民
30
1
5
10
典型值
最大
单位
V
A
A
V
V
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
BV
GSO
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅源击穿电压
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
(4.5V)
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
总栅极电荷
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°中的值
C.
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是根据稳态热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
C.
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25 °的SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
Rev5 ： July2011
2/5
AON5802B
常见的漏双N沟道增强
型场效应晶体管
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=7A
1200
6
电容（pF）
C
国际空间站
V
GS
（伏）
1600
8
800
4
2
400
C
RSS
C
OSS
0
0
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
4
8
12
16
20
0
0
10
V（伏特）
20
15
25
DS
图8 ：电容特性
5
30
100.0
200
10.0
I
D
（安培）
10s
功率（W）的
100s
160
T
J（下最大）
=150°
C
C
T
A
=25°
120
1.0
R
DS （ ON）
有限
DC
T
J（下最大）
=150°
C
C
T
A
=25°
0.1
1ms
10ms
0.1s
1s
10s
80
40
1
V
DS
（伏）
10
100
0.0
0.01
0.1
0
1E-04 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注五）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
P
D
T
on
0.1
1
T
100
1000
0.0001
0.001
0.01
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
4/5
飞思卡尔
电气特性
参数
门源阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
STATIC
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±8 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55°C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.7 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.2 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 4.8 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 5.7 A
I
S
= 1.1 A，V
GS
= 0 V
动态
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 5.7 A
V
DS
= 10 V ，R
L
= 1.8 Ω,
I
D
= 5.7 A,
V
根
= 4.5 V ，R
根
= 6 Ω
AON5802B / MCN5802B
民
0.4
典型值
最大
单位
V
nA
uA
A
±100
1
25
10
20
24
39
15
0.71
6
0.9
2.5
8
14
42
17
439
78
68
mΩ
S
V
nC
ns
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
pF
笔记
一。脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
B 。通过设计保证，不受生产测试。
FREESCALE保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 FREESCALE不作任何保证，
表示
或有关的保证其产品适用于任何特定用途，也不飞思卡尔承担由此产生的任何法律责任
任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，
间接或附带损失。可在飞思卡尔的数据表和/或规格提供“典型”参数可以做不同
在不同的应用和实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个验证
客户的客户应用的技术专家。飞思卡尔不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。飞思卡尔
产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
拟申请支持或维持生命，或任何其他应用程序中，飞思卡尔产品的故障可能造成这样的局面
可能发生的人身伤害或死亡。如果买方购买或使用飞思卡尔产品的任何意外或未经授权的应用程序，
买方应赔偿并持有飞思卡尔及其高级人员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害对所有索赔，费用，
损失，费用和合理的律师费直接或间接引起的，造成人身伤害或死亡的任何索赔相关
与此类意外或未经授权的使用，即使此类索赔称，有关部分的设计或制造飞思卡尔是疏忽。
飞思卡尔是一个机会均等/肯定行动雇主。
2
www.freescale.net.cn
飞思卡尔
典型电气特性
8
V
DS
= 10V
VGS栅 - 源极电压（ V）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
QG - 总栅极电荷（ NC）
RDS （ ON） - 导通电阻（ Ω ）
（归一化）
I
D
= 5.7A
2
AON5802B / MCN5802B
1.5
1
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ -JunctionTemperature （ ° C）
7.栅极电荷
100
10我们
8.归一化导通电阻VS
结温
30
瞬态峰值功率（ W）
10
ID电流（A ）
100美
1毫秒
10毫秒
20
1
100毫秒
1秒
10秒
100秒
10
0.1
1
0.1
1
10
100
DC
IDM限制
受
RDS
0.01
VDS漏极至源极电压（ V）
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T1时间（秒）
9.安全工作区
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10.单脉冲最大功率耗散
R
θJA
（吨） = R（T） + R
θJA
R
θJA
= 120
°C
/W
P（ PK）
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T1时间（秒）
1
10
100
1000
11.归热瞬态结到环境
4
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QQ：2880707522 复制
