AON4805L
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.5A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-3A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-2A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-4.5A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
-0.5
-25
53
72
66
88
15
-0.7
-1
-1.7
560
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
80
70
15
8.5
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-4.5A
1.2
2.1
7.2
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，R
L
=2.2,
R
根
=6
I
F
= -4.5A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
-20
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
-1
-5
±100
-0.67
-1
65
90
85
115
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
670
23
10
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
36
53
56
37
27
45
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4.5A ，的di / dt = 100A / μs的
ns
nC
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C：评级是基于低频率和占空比，以保持initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
12
2
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的FR- 4电路板与元件的结到环境的热阻抗
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
REV0 ： 2008年7月
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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AON4805L
典型的电气和热特性
5
4
-V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=-10V
I
D
=-4.5A
电容（pF）
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
C
RSS
5
10
15
20
C
OSS
C
国际空间站
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.00
R
DS （ ON）
有限
10s
1000
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10.00
100
功率（W）的
-I
D
（安培）
100
1.00
1ms
10ms
0.1s
1s
10
0.10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.1
1
10
DC
1
100
0.1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
12
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
on
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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AON4805L
双P沟道增强模式
场效应晶体管
概述
该AON4805L采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压可低至1.8V 。这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
-RoHS标准
卤素免费
特点
V
DS
(V) = -20V
I
D
= -4.5A
(V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
< 65mΩ （V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
< 85mΩ （V
GS
= -2.5V)
R
DS （ ON）
< 115mΩ （V
GS
= -1.8V)
为3x2 DFN
顶视图
销1
底部视图
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
MOSFET
-20
±8
-4.5
-3.5
-25
2
1.3
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
符号
A
AD
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
50
84
28
最大
60
100
34
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/5
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AON4805L
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.5A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-3A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-2A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-4.5A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
-0.5
-25
53
72
66
88
15
-0.7
-1
-1.7
560
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
80
70
15
8.5
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-4.5A
1.2
2.1
7.2
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，R
L
=2.2,
R
根
=6
I
F
= -4.5A ，的di / dt = 100A / μs的
36
53
56
37
27
45
23
10
670
65
90
85
115
-0.67
民
-20
-1
-5
±100
-1
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4.5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C：评级是基于低频率和占空比，以保持initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
12
2
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的FR- 4电路板与元件的结到环境的热阻抗
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
REV0 ： 2008年7月
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AON4805L
典型的电气和热特性
5
4
-V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=-10V
I
D
=-4.5A
电容（pF）
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
C
RSS
5
10
15
20
C
OSS
C
国际空间站
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.00
R
DS （ ON）
有限
10s
1000
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10.00
100
功率（W）的
-I
D
（安培）
100
1.00
1ms
10ms
0.1s
1s
10
0.10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.1
1
10
DC
1
100
0.1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
12
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
on
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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