AON4701
P沟道增强型场效应晶体管
与肖特基二极管
概述
该AON4701采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。一
肖特基二极管被设置以便于执行
双向阻断开关，或用于DC-DC
转换应用。标准产品AON4701是
无铅（符合ROHS &索尼259规格） 。
AON4701L是一种绿色产品订购选项。 AON4701
和AON4701L是电相同。
特点
V
DS
(V) = -20V
I
D
= -3.4A （V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
< 90mΩ （V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
< 120MΩ （V
GS
= -2.5V)
R
DS （ ON）
< 160mΩ （V
GS
= -1.8V)
肖特基
V
DS
（V）= 20V，我
F
= 1A ，V
F
<0.5V@0.5A
D
A
A
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K
K
D
D
G
S
K
DFN3X2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
T
A
=25°C
I
D
A
连续漏电流
T
A
=70°C
I
DM
漏电流脉冲
B
V
KA
肖特基反向电压
T
A
=25°C
I
F
A
连续正向电流
T
A
=70°C
I
FM
脉冲正向电流
B
T
A
=25°C
P
D
T
A
=70°C
功耗
T
J
, T
英镑
结温和存储温度范围
参数：热特性MOSFET
t
≤
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
A
C
稳态
最大结对铅
热特性肖特基
t
≤
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
A
稳态
最大结对铅
C
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
MOSFET
-20
±8
-3.4
-2.7
-15
A
肖特基
单位
V
V
A
20
1.9
1.2
1.7
1.1
-55到150
典型值
49
81
37
60
89
40
7
0.96
0.62
-55到150
最大
75
100
45
75
130
50
V
A
W
°C
单位
° C / W
° C / W
AON4701
电气特性（T = 25° C除非另有说明）
J
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3.4A
T
J
=125°C
-0.3
-15
-0.63
73
102
95
123
7
-0.83
民
-20
-1
-5
±100
-1
90
125
120
160
-1
-2
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
0.5
0.1
20
34
5.2
0.8
10
V
mA
pF
ns
nC
静态漏源导通电阻
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2.5A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-1.5A
V
DS
= -5V ，我
D
=-3.4A
正向跨导
I
S
=-1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
4
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
rm
C
T
t
rr
Q
rr
最大反向漏电流
结电容
SchottkyReverse恢复时间
肖特基反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
540
72
49
12
6.1
0.6
1.6
10
12
44
22
21
7.5
0.39
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-3.8A
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，R
L
=2.6,
R
根
=3
I
F
= -3.8A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -3.8A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
=0.5A
V
R
=16V
V
R
= 16V ，T
J
=125°C
V
R
=10V
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10S热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
REV 0 2005年12月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
2
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AON4701
典型的电气和热特性
5
4
-V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
2
4
6
8
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=-10V
I
D
=-3.4A
电容（pF）
800
C
国际空间站
600
400
200
C
RSS
C
OSS
165
20
0
0
5
10
15
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
10.0
R
DS （ ON）
有限
0.1s
1.0
1s
DC
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
100μs
10μs
1ms
10ms
功率（W）的
20
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
15
10
5
0.1
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
P
D
T
on
T
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AON4701
典型的电特性和热特性：肖特基
1.0E+01
125°C
电容（pF）
1.0E+00
I
F
（安培）
80
60
40
20
25°C
1.0E-03
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
F
（伏）
图12 ：肖特基正向特性
0
0
5
10
15
20
V
KA
（伏）
图13 ：肖特基电容特性
100
F = 1MHz的
1.0E-01
1.0E-02
0.5
1.0E-02
漏电流（ A）
0.4
V
F
（伏）
I
F
=0.5A
0.3
1.0E-03
V
R
=16V
1.0E-04
0.2
1.0E-05
0.1
0
25
50
75
100
温度（℃）
125
150
1.0E-06
0
25
50
75
100
125
150
温度（℃）
图15 ：肖特基泄漏电流与结
温度
图14 ：肖特基正向压降与
结温
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
10
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图16 ：肖特基归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AON4701
P沟道增强型场效应晶体管
与肖特基二极管
概述
该AON4701采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。一
肖特基二极管被设置以便于执行
双向阻断开关，或用于DC-DC
转换应用。标准产品AON4701是
无铅（符合ROHS &索尼259规格） 。
AON4701L是一种绿色产品订购选项。 AON4701
和AON4701L是电相同。
特点
V
DS
(V) = -20V
I
D
= -3.4A （V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
< 90mΩ （V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
< 120MΩ （V
GS
= -2.5V)
R
DS （ ON）
< 160mΩ （V
GS
= -1.8V)
肖特基
V
DS
（V）= 20V，我
F
= 1A ，V
F
<0.5V@0.5A
D
A
A
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K
K
D
D
G
S
K
DFN3X2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
T
A
=25°C
I
D
A
连续漏电流
T
A
=70°C
I
DM
漏电流脉冲
B
V
KA
肖特基反向电压
T
A
=25°C
I
F
A
连续正向电流
T
A
=70°C
I
FM
脉冲正向电流
B
T
A
=25°C
P
D
T
A
=70°C
功耗
T
J
, T
英镑
结温和存储温度范围
参数：热特性MOSFET
t
≤
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
A
C
稳态
最大结对铅
热特性肖特基
t
≤
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
A
稳态
最大结对铅
C
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
MOSFET
-20
±8
-3.4
-2.7
-15
A
肖特基
单位
V
V
A
20
1.9
1.2
1.7
1.1
-55到150
典型值
49
81
37
60
89
40
7
0.96
0.62
-55到150
最大
75
100
45
75
130
50
V
A
W
°C
单位
° C / W
° C / W
AON4701
电气特性（T = 25° C除非另有说明）
J
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3.4A
T
J
=125°C
-0.3
-15
-0.63
73
102
95
123
7
-0.83
民
-20
-1
-5
±100
-1
90
125
120
160
-1
-2
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
0.5
0.1
20
34
5.2
0.8
10
V
mA
pF
ns
nC
静态漏源导通电阻
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-2.5A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-1.5A
V
DS
= -5V ，我
D
=-3.4A
正向跨导
I
S
=-1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
4
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
rm
C
T
t
rr
Q
rr
最大反向漏电流
结电容
SchottkyReverse恢复时间
肖特基反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
540
72
49
12
6.1
0.6
1.6
10
12
44
22
21
7.5
0.39
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-3.8A
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，R
L
=2.6,
R
根
=3
I
F
= -3.8A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -3.8A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
=0.5A
V
R
=16V
V
R
= 16V ，T
J
=125°C
V
R
=10V
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10S热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
REV 0 2005年12月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
2
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AON4701
典型的电气和热特性
5
4
-V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
2
4
6
8
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=-10V
I
D
=-3.4A
电容（pF）
800
C
国际空间站
600
400
200
C
RSS
C
OSS
165
20
0
0
5
10
15
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
10.0
R
DS （ ON）
有限
0.1s
1.0
1s
DC
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
100μs
10μs
1ms
10ms
功率（W）的
20
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
15
10
5
0.1
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
P
D
T
on
T
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AON4701
典型的电特性和热特性：肖特基
1.0E+01
125°C
电容（pF）
1.0E+00
I
F
（安培）
80
60
40
20
25°C
1.0E-03
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
F
（伏）
图12 ：肖特基正向特性
0
0
5
10
15
20
V
KA
（伏）
图13 ：肖特基电容特性
100
F = 1MHz的
1.0E-01
1.0E-02
0.5
1.0E-02
漏电流（ A）
0.4
V
F
（伏）
I
F
=0.5A
0.3
1.0E-03
V
R
=16V
1.0E-04
0.2
1.0E-05
0.1
0
25
50
75
100
温度（℃）
125
150
1.0E-06
0
25
50
75
100
125
150
温度（℃）
图15 ：肖特基泄漏电流与结
温度
图14 ：肖特基正向压降与
结温
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
10
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图16 ：肖特基归最大瞬态热阻抗
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