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AON2809
双路12V P沟道MOSFET
概述
该AON2809结合了先进的沟槽MOSFET
技术具有低电阻包提供
非常低R
DS ( ON)
。该器件非常适用于负荷开关
和电池保护的应用程序。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=-4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-2.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-1.8V)
典型的ESD保护
-12V
-2A
< 68mΩ
< 90mΩ
< 118mΩ
HBM等级2
DFN 2x2A
顶视图
底部视图
D1
G2
S2
D1
D2
D2
销1
G1
S1
销1
D1
D2
G1
G2
S1
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
功耗
B
C
最大
-12
±8
-2
-1.6
-8
2.1
1.3
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
符号
t
10s
稳态
R
θJA
典型值
50
80
最大
60
100
单位
° C / W
° C / W
冯0 : 2012年11月
www.aosmd.com
第1页5
AON2809
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-12V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±6V
V
DS
=V
GS ,
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-2A
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-1A
V
GS
= -1.8V ,我
D
=-1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ,我
D
=-2A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
-0.3
-8
55
72
70
90
8
-0.7
-1
-1.5
415
V
GS
=0V, V
DS
= -6V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
115
78
26
4.4
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -6V ,我
D
=-2A
0.8
0.9
11.8
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -6V ,R
L
=3,
R
=3
I
F
= -2A ,的di / dt = 100A / μs的
1in
2
-12
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
-1
-5
±10
-0.6
-0.9
68
89
90
118
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
(4.5)
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -2A ,的di / dt = 100A / μs的
24.5
54.5
37.3
21
5
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是基于R
θJA
t
10秒和150℃的maxminum允许的最大结点温度。
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
= 150℃。额定值基于低频和占空比,以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 %最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜,假设T的最高结温
J(下最大)
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
REV0 : 2012年11月
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页2的5
AON2809
典型的电气和热特性
20
-10V
15
12
-I
D
(A)
10
V
GS
=-2V
5
4
25°C
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
140
归一化的导通电阻
120
100
80
60
40
20
0
2
4
6
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压
140
I
D
=-2A
120
100
R
DS ( ON)
(m)
1E-01
-I
S
(A)
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
125°C
1E-02
1E-03
1E-04
1E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
1E+00
125°C
25°C
1E+01
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-2.5V
1.6
V
GS
=-1.8V
V
GS
=-2.5V
I
D
=-1A
V
GS
=-4.5V
I
D
=-2A
1.2
V
GS
=-1.8V
I
D
=-1A
0
0
1
2
3
4
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性
-I
D
(A)
-4.5V
-2.5V
16
20
V
DS
=-5V
8
125°C
1.4
R
DS ( ON)
(m)
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
REV0 : 2012年11月
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第3 5
AON2809
典型的电气和热特性
5
V
DS
=-6V
I
D
=-2A
4
电容(pF)
500
C
国际空间站
400
300
200
C
OSS
100
C
RSS
0
0
1
2
3
4
5
6
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
0
0
3
6
9
12
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
-V
GS
(伏)
700
600
3
2
1
10.0
200
10s
R
DS ( ON)
有限
DC
0.1
150
功率(W)的
T
A
=25°C
-I
D
(安培)
1.0
1ms
10ms
10s
100
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
50
0.0
0.01
0
0.00001
0.1
1
10
100
0.001
0.1
10
1000
-V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=100°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
on
T
100
1000
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注五)
REV0 : 2012年11月
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第4 5
AON2809
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
-10V
VDC
VDC
DUT
VGS
Ig
电阻开关测试电路波形&
RL
VDS
VGS
VGS
Rg
DUT
VDC
VGS
VDS
二极管恢复测试电路波形&
VDS +
DUT
VGS
t
rr
VDS -
ISD
VGS
Ig
L
VDC
+
VDD
-
-Vds
REV0 : 2012年11月
+
-
+
收费
t
on
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
-
+
-
VDS
QGS
QGD
VDD
90%
10%
Q
rr
= - IDT
-Isd
-I
F
的di / dt
-I
RM
VDD
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
    -
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联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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AOS
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联系人:销售部
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AOS/万代
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AO
2418+
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