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AON1611
20V P沟道MOSFET
概述
该AON1611结合了先进的沟槽MOSFET技术,具有低电阻封装提供
非常低R
DS ( ON)
。该器件非常适用于负荷开关和电池保护的应用程序。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=-4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-2.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-1.8V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-1.5V)
-20V
-4A
< 58mΩ
< 76mΩ
< 98mΩ
< 120MΩ
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
功耗
A
C
最大
-20
±8
-4
-3
-16
1.8
1.15
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
符号
t
10s
稳态
R
θJA
典型值
56
88
最大
70
110
单位
°
C / W
°
C / W
1/5
www.freescale.net.cn
AON1611
20V P沟道MOSFET
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4A
C
T
J
=125°
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-3A
V
GS
= -1.8V ,我
D
=-2A
V
GS
= -1.5V ,我
D
=-1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ,我
D
=-4A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
-0.3
-16
46
64.5
58
74
88
15
-0.66
-1
-2.5
550
V
GS
=0V, V
DS
= -10V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
93
64
12
7
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,我
D
=-4A
1
1.8
15
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,R
L
=2.5,
R
=3
I
F
= -4A ,的di / dt = 100A / μs的
1in
2
-20
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
-1
-5
±10
-0.6
-0.9
58
80
76
98
120
A
A
V
A
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
(4.5V)
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4A ,的di / dt = 100A / μs的
10
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
33
50
43
16
6.5
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
t
10秒值和150℃的最大允许结温。在任何给定的值
应用程序依赖于用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用结到外壳的热阻,并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
= 150℃。额定值基于低频和占空比,以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 %最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设
T的最高结温
J(下最大)
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
2/5
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AON1611
20V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
20
-4.5V
15
-1.8V
-I
D
(A)
-I
D
(A)
10
-1.5V
5
V
GS
=-1.0V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特性(注五)
120
100
R
DS ( ON)
(m)
80
60
40
20
0
0
4
6
8
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压(注五)
2
V
GS
=-2.5V
归一化的导通电阻
V
GS
=-1.5V
V
GS
=-1.8V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性(注五)
5
25°C
10
125°C
-2.5V
15
20
V
DS
=-5V
1.6
V
GS
=-4.5V
I
D
=-4A
1.4
V
GS
=-2.5V
I
D
=-3A
1.2
V
GS
=-1.8V
I
D
=-2A
V
GS
=-1.5V
I
D
=-1A
V
GS
=-4.5V
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
200
温度( δ
C)
图4 :导通电阻与结温
(注五)
140
I
D
=-4A
120
-I
S
(A)
100
R
DS ( ON)
(m)
80
60
40
20
0
2
3
4
5
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
(注五)
1
125°C
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
25°C
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的特性(注五)
0.0
0.2
125°C
25°C
3/5
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AON1611
20V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
5
V
DS
=-10V
I
D
=-4A
4
电容(pF)
800
C
国际空间站
1000
-V
GS
(伏)
3
600
2
400
C
OSS
1
200
C
RSS
0
0
0
4
6
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
2
8
0
10
15
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
20
100.0
10s 10s
功率(W)的
R
DS ( ON)
有限
1.0
100s
1ms
10ms
100ms
1s
DC
200
160
120
80
40
0
0.01
0.1
1
-V
DS
(伏)
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注高)
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10.0
-I
D
(安培)
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.0
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注高)
T
4/5
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AON1611
20V P沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
-10V
VDC
VDC
DUT
VGS
Ig
电阻开关测试电路波形&
RL
VDS
VGS
VGS
Rg
DUT
VDC
VGS
VDS
非钳位感应开关( UIS)测试电路波形&
L
VDS
Id
VGS
Rg
DUT
VGS
VGS
VGS
VDC
二极管恢复测试电路波形&
VDS +
DUT
VGS
t
rr
VDS -
ISD
VGS
Ig
L
VDC
+
VDD
-
-Vds
5/5
+
-
-
+
收费
t
on
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
+
-
-
+
-
VDS
QGS
QGD
VDD
90%
10%
E
AR
= 1/2李
AR
2
VDS
BV
DSS
VDD
Id
I
AR
Q
rr
= - IDT
-Isd
-I
F
的di / dt
-I
RM
VDD
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AON1611
20V P沟道MOSFET
概述
该AON1611结合了先进的沟槽MOSFET
技术具有低电阻包提供
非常低R
DS ( ON)
。该器件非常适用于负荷开关
和电池保护的应用程序。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=-4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-2.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-1.8V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-1.5V)
典型的ESD保护
-20V
-4A
< 58mΩ
< 76mΩ
< 98mΩ
< 120MΩ
HBM等级2
顶视图
DFN 1.6x1.6A
底部视图
销1
S
S
G
G
D
D
S
销1
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
功耗
A
C
最大
-20
±8
-4
-3
-16
1.8
1.15
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
符号
t
10s
稳态
R
θJA
典型值
56
88
最大
70
110
单位
°
C / W
°
C / W
冯0 : 2012年6月
www.aosmd.com
第1页5
AON1611
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4A
T
J
=125°
C
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-3A
V
GS
= -1.8V ,我
D
=-2A
V
GS
= -1.5V ,我
D
=-1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ,我
D
=-4A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
-0.3
-16
46
64.5
58
74
88
15
-0.66
-1
-2.5
550
V
GS
=0V, V
DS
= -10V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
93
64
12
7
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,我
D
=-4A
1
1.8
15
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,R
L
=2.5,
R
=3
I
F
= -4A ,的di / dt = 100A / μs的
1in
2
-20
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
-1
-5
±10
-0.6
-0.9
58
80
76
98
120
A
A
V
A
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
(4.5V)
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -4A ,的di / dt = 100A / μs的
10
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
33
50
43
16
6.5
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
t
10秒值和150℃的最大允许结温。在任何给定的值
应用程序依赖于用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用结到外壳的热阻,并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
= 150℃。额定值基于低频和占空比,以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 %最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设
T的最高结温
J(下最大)
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
冯0 : 2012年6月
www.aosmd.com
页2的5
AON1611
典型的电气和热特性
20
-4.5V
15
-1.8V
-I
D
(A)
-I
D
(A)
10
-1.5V
5
V
GS
=-1.0V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特性(注五)
120
100
R
DS ( ON)
(m)
80
60
40
20
0
0
4
6
8
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压(注五)
2
V
GS
=-2.5V
归一化的导通电阻
V
GS
=-1.5V
V
GS
=-1.8V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性(注五)
5
25°C
10
125°C
-2.5V
15
20
V
DS
=-5V
1.6
V
GS
=-4.5V
I
D
=-4A
1.4
V
GS
=-2.5V
I
D
=-3A
1.2
V
GS
=-1.8V
I
D
=-2A
V
GS
=-1.5V
I
D
=-1A
V
GS
=-4.5V
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
200
温度( δ
C)
图4 :导通电阻与结温
(注五)
140
I
D
=-4A
120
-I
S
(A)
100
R
DS ( ON)
(m)
80
60
40
20
0
2
3
4
5
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
(注五)
1
125°C
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
25°C
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的特性(注五)
0.0
0.2
125°C
25°C
冯0 : 2012年6月
www.aosmd.com
第3 5
AON1611
典型的电气和热特性
5
V
DS
=-10V
I
D
=-4A
4
电容(pF)
800
C
国际空间站
1000
-V
GS
(伏)
3
600
2
400
C
OSS
1
200
C
RSS
0
0
0
4
6
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
2
8
0
10
15
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
20
100.0
10s 10s
功率(W)的
R
DS ( ON)
有限
1.0
100s
1ms
10ms
100ms
1s
DC
200
160
120
80
40
0
0.01
0.1
1
-V
DS
(伏)
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注高)
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10.0
-I
D
(安培)
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.0
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注高)
T
冯0 : 2012年6月
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第4 5
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VGS
Qg
-10V
VDC
VDC
DUT
VGS
Ig
电阻开关测试电路波形&
RL
VDS
VGS
VGS
Rg
DUT
VDC
VGS
VDS
非钳位感应开关( UIS)测试电路波形&
L
VDS
Id
VGS
Rg
DUT
VGS
VGS
VGS
VDC
二极管恢复测试电路波形&
VDS +
DUT
VGS
t
rr
VDS -
ISD
VGS
Ig
L
VDC
+
VDD
-
-Vds
冯0 : 2012年6月
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+
-
-
+
收费
t
on
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
+
-
-
+
-
VDS
QGS
QGD
VDD
90%
10%
E
AR
= 1/2李
AR
2
VDS
BV
DSS
VDD
Id
I
AR
Q
rr
= - IDT
-Isd
-I
F
的di / dt
-I
RM
VDD
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