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AON1605
20V P沟道MOSFET
概述
该AON1605采用先进的沟槽MOSFET
科技小DFN 1.0× 0.6封装。该装置是
适用于负荷开关应用。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=-4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-2.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-1.8V)
-20V
-0.7A
< 710mΩ
< 930mΩ
< 1250mΩ
典型的ESD保护
HBM 1C类
DFN 1.0x0.6
顶视图
底部视图
G
S
D
G
D
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
E
漏电流脉冲
C
T
A
=25°
C
功耗
A
最大
-20
±8
-0.7
-0.55
-2
0.9
0.55
-55到150
单位
V
V
A
A
W
°
C
V
GS
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
T
A
=70°
C
P
D
T
J
, T
英镑
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结点到环境
B
最大结点到环境
B
符号
t
10s
稳态
t
10s
稳态
R
θJA
R
θJA
典型值
80
110
200
280
最大
100
140
245
340
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
冯0 : 2012年10月
www.aosmd.com
第1页5
AON1605
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-0.4A
T
J
=125°
C
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-0.3A
V
GS
= -1.8V ,我
D
=-0.2A
V
GS
= -1.5V ,我
D
=-0.1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ,我
D
=-0.4A
I
S
=-0.4A,V
GS
=0V
E
-20
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
-1
-5
±10
-0.4
-2
590
835
745
955
1115
1
-0.85
-1.2
-0.7
50
710
1010
930
1250
-0.7
-1.1
A
A
V
A
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= -10V , F = 1MHz的
12
7.5
45
0.75
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,R
L
=25,
R
=3
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,我
D
=-0.4A
0.15
0.2
6
5
22
8
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
对用户的特定板的设计,并在150℃的最高温度,可以使用如在PCB允许它。
B. R的值
θJA
测定用安装在FR-4的最小垫板的设备,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值依赖于
用户的特定板的设计,并在150℃的最高温度,可以使用如在PCB允许它。
在图C的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
D.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
E.受封装的最大电流。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
冯0 : 2012年10月
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页2的5
AON1605
典型的电气和热特性
2
-8V
-3V
-4V
-4.5V
-2.5V
1.5
2
V
DS
=-5V
1.5
-I
D
(A)
-I
D
(A)
1
-2.0V
1
0.5
V
GS
=-1.5V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特性(注五)
1400
1200
R
DS ( ON)
(m)
1000
800
600
V
GS
=-4.5V
400
0
0.3
0.4
0.5
0.6
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压(注五)
0.1
0.2
V
GS
=-1.5V
V
GS
=-1.8V
归一化的导通电阻
0.5
125°C
25°C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性(注五)
1.6
V
GS
=-2.5V
I
D
=-6A
V
GS
=-1.8V
I
D
=-5A
1.4
1.2
V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V
5
I
D
=-8A
V
GS
=-4.5V
I
D
=-8A
17
1
2
10
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
0
温度( δ
C)
图4 :导通电阻与结温
18
(注五)
1600
I
D
=-0.4A
1400
1200
R
DS ( ON)
(m)
125°C
-I
S
(A)
1000
800
600
400
200
0
4
6
8
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
(注五)
2
25°C
1.0E+01
1.0E+00
40
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的特性(注五)
0.0
0.2
25°C
125°C
冯0 : 2012年10月
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第3 5
AON1605
典型的电气和热特性
5
V
DS
=-10V
I
D
=-0.4A
4
电容(pF)
80
100
-V
GS
(伏)
3
60
C
国际空间站
2
40
C
OSS
1
20
C
RSS
0
0
0
0.4
0.6
0.8
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
0.2
1
0
10
15
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
20
10.0
10s
-I
D
(安培)
1.0
R
DS ( ON)
有限
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.0
0.01
0.1
1
-V
DS
(伏)
10
100
5
4
功率(W)的
3
2
1
0
0.0001 0.001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10s
100s
1ms
10ms
DC
17
5
2
10
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注二)
0
脉冲宽度(S )
18
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注二)
0.01
0.1
1
10
100
1000
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
1
R
θJC
=140°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
40
0.1
P
D
T
on
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注二)
0.01
单脉冲
T
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第4 5
AON1605
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
-10V
VDC
VDC
DUT
VGS
Ig
电阻开关测试电路波形&
RL
VDS
VGS
VGS
Rg
DUT
VDC
VGS
VDS
冯0 : 2012年10月
+
收费
t
on
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
+
-
-
+
-
VDS
QGS
QGD
VDD
90%
10%
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AON1605
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    -
    -
    -
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3-DFN(1.0 x 0.60)
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:朱
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
24+
19000
3-DFN(1.0 x 0.60)
全新原装现货,原厂代理。
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
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