AOL1454
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AOL1454采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷。这是ESD
受保护的。此装置适合于用作低侧
在开关SMPS和通用的应用程序。
标准产品AOL1454是Pb-free （符合ROHS
&索尼259规格） 。
特点
V
DS
(V) = 40V
I
D
= 50A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 9mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 13mΩ （V
GS
= 4.5V)
ESD保护
UIS测试
RG ，西塞，科斯，测试的Crss
超
SO-8
TM
顶视图
D
适合SOIC8
足迹！
G
D
S
底部标签
连接到
漏
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
B
漏电流脉冲
连续漏极
当前
A
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.3mH
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
C
C
最大
40
±20
50
48
100
17
13
30
135
60
30
5.0
3.2
-55至175
单位
V
V
A
T
C
=25°C
H
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
A
最大结点到环境
D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
20
50
1.8
最大
25
60
2.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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AOL1454
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=40V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
T
J
=125°C
1
100
7.5
10
10.3
47
0.7
1
50
1600
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
320
100
3.4
22
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=20A
10.5
4.2
4.8
6.5
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
12.5
33
16
31
33
1920
13
9.0
2
民
40
1
5
±100
3
典型值
最大
单位
V
uA
uA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
= 25°C 。功耗P
帝斯曼
和电流额定值我
帝斯曼
是
基于T
J（下最大）
= 150 ° C，采用t
≤
10秒结到环境的热阻。
B.功耗PD是基于T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
H的最大电流等级债券的电线是有限的。
REV0 ： 2006年10月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
24
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10ms
1m
功率（W）的
DC
10s
V
DS
=20V
I
D
=20A
2400
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
电容（pF）
2000
1600
1200
800
400
0
0
5
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
V
DS
=40V, V
GS
=0V
±100
uA
15
20
25
30
35
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
40
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
500
150
60
T
J（下最大）
=175°C
Tc=25°C
1
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
10
100
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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典型的电气和热特性
120
I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
100
80
60
40
20
0
0.000001
T
A
=25°C
80
功耗（ W）
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=40V, V
GS
=0V
T
A
=150°C
70
60
50
40
30
20
10
±100
uA
0.00001
0.0001
0.001
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
60
50
额定电流我
D
(A)
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
100
90
80
70
功率（W）的
60
50
40
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
500
150
60
T
A
=25°C
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注七）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.01
0.1
1
10
0.01
0.001
0.00001
T
100
1000
0.0001
0.001
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注G）
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电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=40V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°C
1
100
7.5
10
10.3
47
0.7
1
50
1600
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
320
100
3.4
22
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=20A
10.5
4.2
4.8
6.5
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
12.5
33
16
31
33
1920
13
9.0
2
民
40
1
5
±100
3
典型值
最大
单位
V
uA
uA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
= 25°C 。功耗P
帝斯曼
和电流额定值我
帝斯曼
是基于T
J（下最大）
= 150 ° C，采用稳态结到环境的热阻。
B.功耗PD是基于T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
假设T的最高结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
H的最大电流等级债券的电线是有限的。
*本装置是保证以后日期代码8P11绿色（ 6月1日
ST
2008)
REV1 ： 2008年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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典型的电气和热特性
2400
10
V
DS
=20V
I
D
=20A
8
V
GS
（伏）
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
电容（pF）
2000
1600
C
国际空间站
V
DS
=40V, V
GS
=0V
6
±100
1200
800
400
uA
4
C
OSS
C
RSS
2
0
0
4
8
12
16
20
24
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1000.0
0
0
5
15
20
25
30
35
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
40
200
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10ms
1m
功率（W）的
DC
10s
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
500
150
60
T
J（下最大）
=175°C
Tc=25°C
1
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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典型的电气和热特性
120
I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
100
80
60
40
20
0
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
T
A
=25°C
80
70
功耗（ W）
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=40V, V
GS
=0V
T
A
=150°C
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
±100
uA
60
50
额定电流我
D
(A)
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
100
90
80
70
功率（W）的
60
50
40
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
500
150
60
T
A
=25°C
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注七）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
0.01
单脉冲
P
D
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注G）
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N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AOL1454采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷。这是ESD
受保护的。此装置适合于用作开关电源的低侧开关和一般用途。
特点
V
DS
(V) = 40V
I
D
= 50A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 9mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 13mΩ （V
GS
= 4.5V)
超
SO-8
TM
顶视图
D
底部标签
连接到
漏
G
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
B
漏电流脉冲
连续漏极
当前
A
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.3mH
C
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
D
G
S
S
最大
40
±20
50
48
100
12
10
30
135
60
30
2.1
1.3
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°C
C
H
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
D
符号
T = 10秒
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
20
50
1.8
最大
25
60
2.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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N沟道增强型场
场效应晶体管
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=40V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°C
1
100
7.5
10
10.3
47
0.7
1
50
1600
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
320
100
3.4
22
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=20A
10.5
4.2
4.8
6.5
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
12.5
33
16
31
33
1920
13
9.0
2
民
40
1
5
±100
3
典型值
最大
单位
V
uA
uA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
= 25°C 。功耗P
帝斯曼
和电流额定值我
帝斯曼
是基于T
J（下最大）
= 150 ° C，采用稳态结到环境的热阻。
B.功耗PD是基于T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
假设T的最高结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
H的最大电流等级债券的电线是有限的。
*本装置是保证以后日期代码8P11绿色（ 6月1日
ST
2008)
REV1 ： 2008年6月
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N沟道增强型场
场效应晶体管
典型的电气和热特性
2400
10
V
DS
=20V
I
D
=20A
8
V
GS
（伏）
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
电容（pF）
2000
1600
C
国际空间站
V
DS
=40V, V
GS
=0V
6
±100
1200
800
400
uA
4
C
OSS
C
RSS
2
0
0
4
8
12
16
20
24
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1000.0
0
0
5
15
20
25
30
35
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
40
200
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10ms
1m
功率（W）的
DC
10s
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
500
150
60
T
J（下最大）
=175°C
Tc=25°C
1
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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N沟道增强型场
场效应晶体管
典型的电气和热特性
120
I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
100
80
60
40
20
0
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
T
A
=25°C
80
70
功耗（ W）
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=40V, V
GS
=0V
T
A
=150°C
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
±100
uA
60
50
额定电流我
D
(A)
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
100
90
80
70
功率（W）的
60
50
40
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
500
150
60
T
A
=25°C
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注七）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
0.01
单脉冲
P
D
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注G）
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