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AOL1436
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AOL1436采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,直通免疫力,
体二极管的特性。该器件是理想的浴室
用作CPU内核功率的高压侧开关
转换。
标准产品AOL1436是Pb-free
(符合ROHS &索尼259规格) 。
特点
V
DS
(V) = 25V
I
D
= 50A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 6MΩ (V
GS
= 20V)
R
DS ( ON)
< 8.2mΩ (V
GS
= 12V)
R
DS ( ON)
< 11.5mΩ (V
GS
= 10V)
UIS测试!
RG ,西塞,科斯,的Crss测试!
SO-8
TM
顶视图
D
适合SOIC8
足迹!
D
S
底部标签
连接到
G
G
S
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
G
连续漏极
T
C
=25°C
B
当前
T
C
=100°C
I
D
C
漏电流脉冲
I
DM
连续漏极
当前
A
C
最大
25
±30
50
48
120
20
16
28
118
43
22
5
3
-55至175
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
雪崩电流
重复雪崩能量L = 0.3mH
C
功耗
B
I
帝斯曼
I
AR
E
AR
P
D
A
A
mJ
W
W
°C
最大
25
55
3.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
P
帝斯曼
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围T
J
, T
英镑
热特性
参数
t
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
稳态
最大结到外壳
D
A
符号
R
θJA
R
θJC
典型值
20
46
2.5
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AOL1436
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±30V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=12V, V
DS
=5V
V
GS
= 20V ,我
D
=20A
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS
= 12V,我
D
=20A
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
T
J
=125°C
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=20A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
2
120
5
6.6
8.6
11
43
0.72
1
50
1100
V
GS
=0V, V
DS
= 12.5V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
420
200
0.8
20
V
GS
=10V, V
DS
= 12.5V ,我
D
=20A
17
6.5
6.8
9.5
V
GS
=10V, V
DS
= 12.5V ,R
L
=0.68,
R
=0.6
I
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
13.5
11.5
5.4
32
19
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
1.5
24
1350
6
8.2
11.5
3.2
25
1
5
100
4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 12V )总栅极电荷
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸2 FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
基于t<10s
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值依赖于
用户的特定板的设计,和175℃的最高温度,可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 175℃ ,使用结到外壳的热阻,并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下,额外的散热使用。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
1至6使用的是得到的图E的静特性<300我们脉冲,占空比0.5%以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设一个
的T最大结温
J(下最大)
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
REV1 : 2007年1月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AOL1436
典型的电气和热特性
120
20V
100
80
I
D
(A)
60
40
20
0
0
0
2
3
4
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
1
5
4
5
6
7
8
9
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
V
GS
=8V
20
10V
60
12V
I
D
(A)
40
V
DS
=5V
80
125°C
25°C
10.0
9.0
8.0
R
DS ( ON)
(m)
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
0
5
10
15
20
25
30
V
GS
=20V
V
GS
=12V
V
GS
=10V
归一化的导通电阻
1.6
I
D
=20A
V
GS
=20V
1.4
1.2
V
GS
=10V
V
GS
=12V
1
V
GS
=10V
V
GS
=12V
V
GS
=20V
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
1.0E+02
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压
18
I
D
=20A
1.0E+01
1.0E+00
14
R
DS ( ON)
(m)
T
C
=100°C
10
T
A
=25°C
I
S
(A)
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
125°C
125°C
25°C
6
25°C
2
8
10
12
14
16
18
20
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
-55至175
0.0
0.4
0.6
0.8
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
0.2
1.0
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典型的电气和热特性
20
18
16
14
V
GS
(伏)
12
10
8
6
4
2
0
0
5
15
20
25
30
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
10
35
1600
V
DS
=12.5V
I
D
=20A
电容(pF)
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
1000.0
100.0
I
D
(安培)
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
R
DS ( ON)
有限
100ms
DC
10s
100s
140
120
100
功率(W)的
80
60
40
20
0.0001
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
0.1
1
V
DS
(伏)
10
100
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
0.001
100
10
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
c
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
T
C
=100°C
T
A
=25°C
0.1
P
D
-55至175
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
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典型的电气和热特性
100
I
D
(A ) ,峰值雪崩电流
功耗( W)
0.001
T
A
=25°C
80
60
40
20
0
0.00001
150°C
25°C
50
40
30
20
10
0
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图13 :功率降容(注二)
在雪崩时间t
A
(s)
图12 :单脉冲雪崩能力
60
50
额定电流我
D
(A)
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图14 :电流降评级(注二)
100
80
功率(W)的
60
40
20
0
0.001
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图15 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注高)
0.01
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=55°C/W
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
100
1000
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
10
脉冲宽度(S )
图16 :归最大瞬态热阻抗(注高)
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N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AOL1436采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,直通免疫力,
体二极管的特性。该器件是理想的浴室
用作CPU内核功率的高压侧开关
转换。
-RoHS标准
卤素和无锑的绿色设备*
特点
V
DS
(V) = 25V
I
D
= 50A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 6MΩ (V
GS
= 20V)
R
DS ( ON)
< 8.2mΩ (V
GS
= 12V)
R
DS ( ON)
< 11.5mΩ (V
GS
= 10V)
UIS测试
RG ,西塞,科斯,测试的Crss
SO-8
TM
顶视图
D
底部标签
连接到
G
最大
25
±30
50
48
120
15
12
28
118
43
22
2.3
1.4
-55至175
符号
R
θJA
R
θJC
典型值
20
46
2.5
G
D
S
S
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
G
连续漏极
T
C
=25°C
B
当前
T
C
=100°C
I
D
C
漏电流脉冲
I
DM
连续漏极
当前
A
C
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
雪崩电流
重复雪崩能量L = 0.3mH
C
功耗
B
I
帝斯曼
I
AR
E
AR
P
D
A
A
mJ
W
W
°C
最大
25
55
3.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
P
帝斯曼
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围T
J
, T
英镑
热特性
参数
t
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
稳态
最大结到外壳
D
A
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AOL1436
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±30V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=12V, V
DS
=5V
V
GS
= 20V ,我
D
=20A
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS
= 12V,我
D
=20A
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
T
J
=125°C
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=20A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
2
120
5
6.6
8.6
11
43
0.72
1
50
1100
V
GS
=0V, V
DS
= 12.5V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
420
200
0.8
20
V
GS
=10V, V
DS
= 12.5V ,我
D
=20A
17
6.5
6.8
9.5
V
GS
=10V, V
DS
= 12.5V ,R
L
=0.68,
R
=0.6
I
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
13.5
11.5
5.4
32
19
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
1.5
24
1350
6
8.2
11.5
3.2
25
1
5
100
4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 12V )总栅极电荷
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸2 FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的具体的电路板设计,和175℃的最高温度,可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 175℃ ,使用结到外壳的热阻,并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下,额外的散热使用。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
1至6使用的是得到的图E的静特性<300我们脉冲,占空比0.5%以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设一个
的T最大结温
J(下最大)
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
*本装置是保证以后日期代码8P11绿色( 6月1日
ST
2008)
转2 : 2008年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AOL1436
典型的电气和热特性
120
20V
100
80
I
D
(A)
60
40
20
0
0
0
2
3
4
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
1
5
4
5
6
7
8
9
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
V
GS
=8V
20
10V
60
12V
I
D
(A)
40
V
DS
=5V
80
125°C
25°C
10.0
9.0
8.0
R
DS ( ON)
(m)
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
0
5
10
15
20
25
30
V
GS
=20V
V
GS
=12V
V
GS
=10V
归一化的导通电阻
1.6
I
D
=20A
V
GS
=20V
1.4
1.2
V
GS
=10V
V
GS
=12V
1
V
GS
=10V
V
GS
=12V
V
GS
=20V
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
1.0E+02
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压
18
I
D
=20A
1.0E+01
1.0E+00
14
R
DS ( ON)
(m)
T
C
=100°C
10
T
A
=25°C
I
S
(A)
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
125°C
125°C
25°C
6
25°C
2
8
10
12
14
16
18
20
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
-55至175
0.0
0.4
0.6
0.8
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
0.2
1.0
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典型的电气和热特性
20
18
16
14
V
GS
(伏)
12
10
8
6
4
2
0
0
5
15
20
25
30
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
10
35
1600
V
DS
=12.5V
I
D
=20A
电容(pF)
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
1000.0
100.0
I
D
(安培)
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
R
DS ( ON)
有限
100ms
DC
10s
100s
140
120
100
功率(W)的
80
60
40
20
0.0001
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
0.1
1
V
DS
(伏)
10
100
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
0.001
100
10
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
c
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
T
C
=100°C
T
A
=25°C
0.1
P
D
-55至175
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
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典型的电气和热特性
100
I
D
(A ) ,峰值雪崩电流
功耗( W)
0.001
T
A
=25°C
80
60
40
20
0
0.00001
150°C
25°C
50
40
30
20
10
0
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图13 :功率降容(注二)
在雪崩时间t
A
(s)
图12 :单脉冲雪崩能力
60
50
额定电流我
D
(A)
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图14 :电流降评级(注二)
100
80
功率(W)的
60
40
20
0
0.001
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图15 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注高)
0.01
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=55°C/W
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
100
1000
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
10
脉冲宽度(S )
图16 :归最大瞬态热阻抗(注高)
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