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AOK10N90
900V ， 10A的N沟道MOSFET
概述
该AOK10N90采用了先进的高被制造
被设计为提供高电压MOSFET工艺
在流行的AC- DC的性能和鲁棒性
applications.By提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
沿
雪崩能力保证这部分可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源
设计。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
1000@150℃
10A
< 0.98Ω
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
对于无卤添加"L"后缀号码：
AOK10N90L
顶视图
TO-247
D
G
S
G
AOK10N90
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOK10N90
900
±30
10
7
38
3.7
205
410
5
403
3.2
-55到150
300
AOK10N90
40
0.5
0.31
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
重复性雪崩能量
单plused雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
REV0 ： 2012年11月
www.aosmd.com
第1页5
AOK10N90
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
2100
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
130
10
1.5
45
V
GS
=10V, V
DS
= 720V ，我
D
=10A
2630
190
18
3.4
60
13
27
64
V
GS
=10V, V
DS
= 450V ，我
D
=10A,
R
G
=25
I
F
=10A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
460
7.0
105
155
84
575
9.9
700
12.0
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=900V, V
GS
=0V
V
DS
= 720V ，T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V ，我
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=5A
V
DS
= 40V ，我
D
=5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3.4
4
0.82
17
0.7
1
10
38
3160
250
26
5.2
75
900
1000
0.9
1
10
±100
4.5
0.98
V
V/
o
C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=10A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 ° C，额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G. L = 60mH ，我
AS
= 3.7A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
REV0 ： 2012年11月
www.aosmd.com
页2的5
AOK10N90
典型的电气和热特性
25
10V
6.5V
10
15
I
D
(A)
6V
I
D
(A)
125°C
100
V
DS
=40V
-55°C
20
10
V
GS
=5.5V
5
1
25°C
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
2
归一化的导通电阻
1.6
1.2
0.8
0.4
0
15
20
25
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和门
电压
1.2
0
5
10
0.1
2
6
8
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
4
10
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-100
50
100
150
200
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结温
-50
0
V
GS
=10V
I
D
=5A
R
DS （ ON）
()
V
GS
=10V
1.0E+02
1.0E+01
BV
DSS
（归一化）
1.1
1.0E+00
I
S
(A)
40
125°C
25°C
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1
0.9
0.8
-100
50
100
150
200
T
J
(°C)
图5 ：分解与结北部沿海地区
-50
0
1.0E-05
0.0
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的特性（注五）
0.2
REV0 ： 2012年11月
www.aosmd.com
第3 5
AOK10N90
典型的电气和热特性
15
V
DS
=720V
I
D
=10A
1000
电容（pF）
C
OSS
100
C
RSS
10
3
V
GS
（伏）
9
10000
C
国际空间站
12
6
0
0
45
60
75
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
15
30
90
1
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
12
10
100
额定电流我
D
(A)
10
8
I
D
（安培）
6
4
0.1
2
0
0
75
100
125
T
例
(°C)
图9 ：电流降评级（注二）
25
50
150
0.01
1
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
DC
1ms
10ms
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
100
1000
V
DS
（伏）
图10 ：最大正向偏置安全工作
对于AOK10N90区（注F）
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.31°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
1E-06
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11： AOK10N90归最大瞬态热阻抗（注F）
1E-05
0.0001
10
100
REV0 ： 2012年11月
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第4 5
AOK10N90
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
10V
VDC
+
VD
C
-
DUT
VGS
Ig
+
VDS
-
QGS
Q
gd
收费
RES istive开关测试电路波形&
R
L
VDS
VDS
VGS
Rg
DU
T
+
VD
C
90%
VDD
10%
VGS
-
t
D（上）
t
r
t
on
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
VGS
非钳位感应开关（ UIS）测试电路波形&
L
VDS
Id
VGS
Rg
DU
T
VGS
VGS
VGS
VDC
E
AR
1/2李
=
VDS
2
AR
BV
DSS
+
VDD
-
Id
I
AR
二极管恢复TES T型电路波形&
VDS +
DUT
VGS
Q
rr
= - IDT
VDS -
ISD
VGS
L
ISD
I
F
的di / dt
I
RM
t
rr
+
VD
C
VDD
VDS
Ig
-
VDD
REV0 ： 2012年11月
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页5
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