AOD4185/AOI4185
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-40V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-15A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-20A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
-1.7
-115
12.5
19
16
50
-0.72
-1
-20
2550
V
GS
=0V, V
DS
= -20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
2.5
280
190
4
42
V
GS
=-10V, V
DS
=-20V,
I
D
=-20A
18.6
7
8.6
9.4
V
GS
=-10V, V
DS
= -20V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= -20A ，的di / dt = 100A / μs的
20
55
30
38
47
49
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
6
55
15
23
20
S
V
A
pF
pF
pF
nC
m
-1.9
民
-40
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ -10V ）总栅极电荷
Q
g
（ -4.5V ）总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
= 25°C 。功耗P
帝斯曼
和电流额定值我
帝斯曼
是
基于T
J（下最大）
= 150 ° C，采用稳态结到环境的热阻。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
待定
的T最大结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
待定
G.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
H的最大电流等级债券的电线是有限的。
*此设备是保证数据的代码8X11 （ 9月1日之后的绿色
ST
2008).
Rev4 ： ， 2012年4月
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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典型的电气和热特性
10
V
DS
=-20V
I
D
=-20A
8
电容（pF）
2500
2000
1500
1000
C
RSS
500
0
0
20
25
30
35
40
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
15
45
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
-V
GS
（伏）
3500
3000
C
国际空间站
6
4
2
1000
10000
T
J（下最大）
=175°
C
100
-I
D
（安培）
100s
1ms
10ms
DC
10
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
10s
1000
100
1
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
0.1
1
10
0.1
10
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
10
Z
θ
Jc
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
c
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.4°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
150
mJ
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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典型的电气和热特性
70
60
功耗（ W）
40
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
°
图12 ：功率降容（注二）
- 电流额定值我
D
(A)
50
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
°
图13 ：电流降评级（注二）
10000
T
J（下最大）
=150°
C
1000
功率（W）的
100
10
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注七）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
150
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注G）
T
on
T
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AOD4185/AOI4185
P沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AOD4185 / AOI4185采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
和低门
费。与DPAK / IPAK封装的优异的耐热性，该装置很适合于高
当前的应用程序。
特点
V
DS
(V) = -40V
I
D
= -40A
(V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 15MΩ （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 20MΩ （V
GS
= -4.5V)
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
C
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
B，H
漏电流脉冲
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
C
T
C
=25°
C
功耗
B
功耗
A
C
最大
-40
±20
-40
-31
-115
-42
88
62.5
31
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
mJ
T
C
=100°
C
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
W
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A，G
最大结点到环境
A，G
最大结到外壳
D，F
°
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
15
41
2
最大
20
50
2.4
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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P沟道增强型场
场效应晶体管
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-40V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-15A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-20A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
-1.7
-115
12.5
19
16
50
-0.72
-1
-20
2550
V
GS
=0V, V
DS
= -20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
2.5
280
190
4
42
V
GS
=-10V, V
DS
=-20V,
I
D
=-20A
18.6
7
8.6
9.4
V
GS
=-10V, V
DS
= -20V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= -20A ，的di / dt = 100A / μs的
20
55
30
38
47
49
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
6
55
15
23
20
S
V
A
pF
pF
pF
nC
m
-1.9
民
-40
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ -10V ）总栅极电荷
Q
g
（ -4.5V ）总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
= 25°C 。功耗P
帝斯曼
和电流额定值我
帝斯曼
是
基于T
J（下最大）
= 150 ° C，采用稳态结到环境的热阻。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
待定
的T最大结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
待定
G.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
H的最大电流等级债券的电线是有限的。
*此设备是保证数据的代码8X11 （ 9月1日之后的绿色
ST
2008).
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2/6
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P沟道增强型场
场效应晶体管
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-20V
I
D
=-20A
8
电容（pF）
2500
2000
1500
1000
C
RSS
500
0
0
20
25
30
35
40
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
15
45
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
-V
GS
（伏）
3500
3000
C
国际空间站
6
4
2
1000
10000
T
J（下最大）
=175°
C
100
-I
D
（安培）
100s
1ms
10ms
DC
10
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
10s
1000
100
1
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
0.1
1
10
0.1
10
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
10
Z
θ
Jc
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
c
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.4°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
150
mJ
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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场效应晶体管
典型的电气和热特性
70
60
功耗（ W）
40
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
°
图12 ：功率降容（注二）
- 电流额定值我
D
(A)
50
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
°
图13 ：电流降评级（注二）
10000
T
J（下最大）
=150°
C
1000
功率（W）的
100
10
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注七）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
150
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注G）
T
on
T
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