AOD4126/AOI4126
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 7V ，我
D
=15A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
2
100
19
36
23.5
34
0.66
1
40
1400
V
GS
=0V, V
DS
= 50V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
115
33
0.3
14
V
GS
=10V, V
DS
= 50V ，我
D
=20A
4
6
V
GS
=10V, V
DS
= 50V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
民
100
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
10
50
100
3.3
4
24
43
30
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
1770
165
55
0.65
28
9
10
12
4
17
5
12
60
20
82
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2200
214
80
1.0
42
14
14
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
26
110
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
对用户的特定板的设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
版本1 ： 2012年5月
www.aosmd.com
第2 7
AOD4126/AOI4126
典型的电气和热特性
10
V
DS
=50V
I
D
=20A
电容（pF）
2500
8
2000
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
1500
4
1000
C
OSS
C
RSS
2
500
0
0
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
30
0
0
40
60
80
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
20
100
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
100
1000
10s
1000
800
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
10s
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
DC
10ms
600
400
200
0
0.0001
17
5
2
10
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
0.001
0.01
0.1
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
P
D
T
on
T
版本1 ： 2012年5月
www.aosmd.com
第4 7
AOD4126/AOI4126
典型的电气和热特性
100
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
120
功耗（ W）
90
T
A
=25°C
T
A
=100°C
60
30
T
A
=150°C
10
0.000001
T
A
=125°C
0
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
（注三）
0
75
100
125
150
T
例
(°C)
°
图13 ：功率降容（注F）
25
50
175
60
50
额定电流我
D
(A)
40
30
20
10
0
0
75
100
125
150
T
例
(°C)
°
图14 ：电流降评级（注F）
25
50
175
1000
T
A
=25°C
100
功率（W）的
10
17
5
2
10
1
0.01
1
100
0
脉冲宽度（S ）
18
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=42°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
40
0.1
0.01
P
D
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
版本1 ： 2012年5月
www.aosmd.com
第5页第7
AOD4126/AOI4126
100V N沟道MOSFET
概述
该AOD4126&AOI4126均选用SDMOS
TM
沟槽技术，结合优秀的研发
DS （ ON）
同
低门charge.The结果是优秀的效率与控制的开关行为。这种普遍的技术是
非常适合于PWM ，负荷开关和一般用途的应用。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 7V)
100V
43A
< 24mΩ
30mΩ到<
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
D
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
B
漏电流脉冲
连续漏极
当前
A
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
100
±25
43
30
100
7.5
6
28
39
100
50
3
1.9
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
8
35
1
最大
10
42
1.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/7
www.freescale.net.cn
AOD4126/AOI4126
100V N沟道MOSFET
C
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 7V ，我
D
=15A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
2
100
19
36
23.5
34
0.66
1
40
1400
V
GS
=0V, V
DS
= 50V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
115
33
0.3
14
V
GS
=10V, V
DS
= 50V ，我
D
=20A
4
6
V
GS
=10V, V
DS
= 50V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
民
100
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
10
50
100
3.3
4
24
43
30
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
1770
165
55
0.65
28
9
10
12
4
17
5
12
60
20
82
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2200
214
80
1.0
42
14
14
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
26
110
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
对用户的特定板的设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
2/7
www.freescale.net.cn
AOD4126/AOI4126
100V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=50V
I
D
=20A
电容（pF）
2500
8
2000
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
1500
4
1000
C
OSS
C
RSS
2
500
0
0
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
30
0
0
40
60
80
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
20
100
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
100
1000
10s
1000
800
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
10s
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
DC
10ms
600
400
200
0
0.0001
17
5
2
10
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
0.001
0.01
0.1
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
P
D
T
on
T
4/7
www.freescale.net.cn
AOD4126/AOI4126
100V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
100
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
120
功耗（ W）
90
T
A
=25°C
T
A
=100°C
60
30
T
A
=150°C
10
0.000001
T
A
=125°C
0
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
（注三）
0
75
100
125
150
T
例
(°C)
°
图13 ：功率降容（注F）
25
50
175
60
50
额定电流我
D
(A)
40
30
20
10
0
0
75
100
125
150
T
例
(°C)
°
图14 ：电流降评级（注F）
25
50
175
1000
T
A
=25°C
100
功率（W）的
10
17
5
2
10
1
0.01
1
100
0
脉冲宽度（S ）
18
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=42°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
40
0.1
0.01
P
D
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
5/7
www.freescale.net.cn
QQ：2881677436 复制
