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万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
AOD2N60A/AOI2N60A
600V , 2A N沟道MOSFET
概述
使用AOD2N60A & AOI2N60A已制作
先进的高电压MOSFET的过程,是
旨在提供高水平的性能和
鲁棒性流行AC- DC应用。
通过提供低R
DS ( ON)
, C
国际空间站
和C
RSS
随着
雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源
设计。
产品概述
V
DS
@ TJ ,最大
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
700V
2A
< 4.7Ω
100 % UIS测试!
100% R
g
测试了!
TO252
DPAK
顶视图
底部视图
D
D
TO251A
IPAK
顶视图
底部视图
D
S
S
G
AOD2N60A
G
G
D
S
S
G
D
G
S
AOI2N60A
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
最大
600
±30
2
1.4
6
4.6
10.6
97
5
57
0.45
-50-150
300
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
栅源电压
连续漏极
当前
B
漏电流脉冲
雪崩电流
C,我
C,我
H
C
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
功耗
B
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A,G
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
D,F
°
C
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
典型
40
-
1.8
最大
50
0.5
2.2
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
Rev.1.0 2013年9月
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第1页6
AOD2N60A/AOI2N60A
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电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
C
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V ,T
J
=25°C
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0V ,T
J
=150°C
ID = 250μA , VGS = 0V
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ,T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V ,我
D
=250A
V
GS
= 10V ,我
D
=1A
V
DS
= 40V ,我
D
=1A
I
S
=1A,V
GS
=0V
600
典型值
最大
单位
700
0.7
1
10
±100
3.4
4
3.9
2.8
0.79
1
2
6
295
4.5
4.7
V
V/
o
C
A
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
11
nC
nC
nC
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
f=1MHz
V
GS
=0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
30
2.3
3.2
6.5
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
V
GS
=10V, V
DS
= 480V ,我
D
=2A
1.5
1.8
16
V
GS
=10V, V
DS
= 300V ,我
D
=2A,
R
G
=25
I
F
=2A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
11
28
t
f
t
rr
Q
rr
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=2A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
14
268
1.6
ns
ns
C
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150 ℃,在一个TO252封装,使用结到外壳的热阻,并且是更有益
设置上功耗限制,需要额外的散热使用情况。
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设一个
的T最大结温
J(下最大)
=150°C.
G.These测试与安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
H. L = 60mH ,我
AS
= 1.8A ,V
DD
= 150V ,R
G
= 10Ω ,起始物为
J
=25°C.
一, L = 1.0mH ,V
DD
= 150V ,R
G
= 25 ,起始物为
J
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
Rev.1.0 2013年9月
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第2 6
AOD2N60A/AOI2N60A
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典型的电气和热特性
5
7V
4
10V
I
D
(A)
3
I
D
(A)
6V
10
V
DS
=40V
-55°C
V
DS
2
5.5V
1
125
°
C
25
°
C
1
V
GS
=5V
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
10
归一化的导通电阻
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
1
2
3
4
5
-100
-50
0
0.1
2
6
8
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
4
10
8
R
DS ( ON)
()
V
GS
=10V
6
V
GS
=10V
I
D
=1A
4
2
0
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压
50
100
150
200
温度( δ
C)
图4 :导通电阻与结温
1.2
I
D
=30A
BV
DSS
(归一化)
1.1
1E+01
1E+00
40
125°C
1
125
°
I
S
(A)
1E-01
1E-02
0.9
25°
25°C
1E-03
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
T
J
(
o
C)
图5 :分解与结温
1E-04
0.0
0.4
0.6
0.8
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
0.2
1.0
Rev.1.0 2013年9月
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第3页6
AOD2N60A/AOI2N60A
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典型的电气和热特性
15
V
DS
=480V
I
D
=2A
电容(pF)
100
1000
C
国际空间站
12
V
GS
(伏)
9
C
OSS
V
DS
10
C
RSS
6
3
0
0
4
6
8
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
2
10
1
0.1
1
10
100
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
800
10s
R
DS ( ON)
有限
100s
10
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
600
功率(W)的
I
D
(安培)
1
DC
1ms
10ms
400
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
0.01
1
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.2°C/W
1
100
200
0
1000
0.0001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
0.001
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
0.01
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
Rev.1.0 2013年9月
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第4 6
AOD2N60A/AOI2N60A
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典型的电气和热特性
75
2.5
功耗( W)
60
额定电流我
D
(A)
0
50
75
100
125
T
C)
图12 :功率降容(注二)
25
150
2.0
45
1.5
V
DS
1.0
30
15
0.5
0
0.0
0
50
75
100
125
T
C)
图13 :电流降评级(注二)
25
150
400
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
300
功率(W)的
200
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图14 :单脉冲功率额定值结到环境(注七)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
0.01
P
D
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图15 :归最大瞬态热阻抗(注G)
Rev.1.0 2013年9月
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AOI2N60A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-82865294/82517859
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室
AOI2N60A
ALPHA
24+
68500
TO-251A
假一罚十,原装进口正品现货供应,只做原装
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
AOI2N60A
AOS
2025+
26820
TO-251A
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
AOI2N60A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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原厂一级代理,原装现货
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联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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AOS/万代
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联系人:刘生
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AOI2N60A
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